【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种鳍式场效应晶体管，包括SOI衬底、SOI衬底上的鳍形的栅极堆叠结构、SOI衬底中栅极堆叠结构两侧的源漏区以及源漏区之间的沟道区，源漏区与沟道区沿第一方向延伸，栅极堆叠结构沿垂直于第一方向的第二方向延伸，源漏区沿第二方向的宽度要大于沟道区沿第二方向的宽度且小于栅极堆叠结构沿第二方向的宽度，其特征在于：源漏区为金属硅化物，源漏区与沟道区之间的界面处还包括掺杂离子分凝区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：尚海平，徐秋霞，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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