具有超晶格应激源的FinFET制造技术

提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件。该FinFET器件包括超晶格层和应变层。该超晶格层由衬底支撑。该应变层设置在超晶格层上，并且提供了栅极沟道。栅极沟道由超晶格层产生应力。在实施例中，通过堆叠不同的硅锗合金或者堆叠其他的III-V半导体材料形成该超晶格层。本发明专利技术还提供了一种具有超晶格应激源的FinFET。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件，包括：超晶格层，由衬底支撑；以及应变层，设置在所述超晶格层上并提供栅极沟道，所述超晶格层对所述栅极沟道施加应力。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李宜静，林佑儒，万政典，吴政宪，柯志欣，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：