在一个总的方面，本发明提供了一种装置，该装置可包括半导体区以及限定在所述半导体区内的槽。所述槽可具有沿着竖向轴线对齐的深度并具有沿着与所述竖向轴线正交的纵向轴线对齐的长度。所述槽可具有包括在所述半导体区的端接区中的长度的第一部分，并可具...

本发明涉及具有厚沟槽底部氧化物的MOSFET器件。披露了一种装置，包括基板；位于基板上且具有第一导电类型的外延层；位于外延层中的第一沟槽；位于第一沟槽中的沟槽氧化物，具有位于沟槽氧化物的栅极部分下方的沟槽底部氧化物部分；位于第一沟槽旁侧...

一种功率整流器件，包括：包括n‑型导电性的碳化硅的漂移层；设置在所述漂移层上的肖特基电极，所述肖特基电极和所述漂移层的表面提供肖特基接触。所述功率整理器件还可以包括设置在所述肖特基电极下面的p‑型区域阵列。

本申请案涉及一种功率转换器及一种电子装置。所述功率转换器包含负载检测器、处理器及功率控制块。所述负载检测器经配置以在未接收到从耦合到所述功率转换器的电子装置传达的指示所述电子装置的负载值的改变的消息的情况下确定所述负载值的所述改变，且确...

本发明公开了一种箝位电路及箝位电压的方法，该箝位电路包括：第一开关控制单元，包括控制端以及第一开关端和第二开关端，其中，控制端和第一开关端耦接至比较器的第一级输出的高电势端，并且其中，第一开关控制单元被配置为在高电势端的电压低于第一预定...

本发明涉及双侧冷却集成功率装置封装和模块及其制造方法。本发明提供一种集成功率装置模块，其具有：引线框架结构，其具有第一和第二分隔垫以及位于所述第一与第二垫之间的一个或一个以上共同源极‑漏极引线；第一和第二晶体管，其分别以倒装芯片形式附接...

本发明提供了一种默认用有效的电池电源为电子设备供电的电路和方法。在示例中，电路可以被配置为：接收与电池电源(例如，内部电池)有关的信息，如，电池电源电压(V

在至少一个一般方面，本发明提供了一种SiC器件及其制造方法，所述SiC器件可包括第一导电类型的漂移区、屏蔽体和肖特基区。所述SiC器件可包括至少部分地围绕所述屏蔽体和所述肖特基区的具有第二导电类型的边缘。所述SiC器件可包括至少部分地围...

本发明公开了一种装置，所述装置包括具有引线接合装置(210)、测量装置(215)和剔除装置(220)的引线接合器系统。所述引线接合装置(210)被构造为将引线接合型电互连件附接到电子组件。引线接合在第一半导体装置和第二电子装置之间形成，...

本发明涉及高压金属氧化物半导体器件及其形成方法。在一般方面，高压金属氧化物半导体(HVMOS)器件可包括设置在所述HVMOS器件的沟道区上的第一栅极电介质层和设置在所述HVMOS器件的漂移区的至少一部分上的第二栅极电介质层。所述漂移区可...

本发明涉及半导体部件之间的隔离。在一些一般方面，一种装置可包括设置为邻近第一引线框部分的第一半导体管芯、设置为邻近第二引线框部分的第二半导体管芯，以及耦接到所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯的电容性隔离电路。所述电容性隔离电路可设置...

本发明涉及自配置装置及自动配置电子设备的方法。该自配置装置包括：检测电路，被配置为从识别寄存器接收数字值，并且使用所述数字值来确定在音频或视频插头的导电端子处的分离附属设备的第一电阻值；以及控制逻辑电路，被配置将所述数字值存储在所述识别...

本发明涉及检测附属设备的电子电路及控制其操作的方法。该电子电路包括：检测电路，被配置为从识别寄存器接收数字值，并且使用所述数字值来确定音频或视频插头的导电端子处的电阻；以及控制逻辑电路，被配置将所述数字值存储在所述识别寄存器中，并且为当...

本申请涉及分立器件中的负载平衡。在一般方面，本发明公开了一种设备，所述设备可包括温度测量电路和温度比较电路，所述温度测量电路被配置成生成指示第一半导体器件的第一操作温度的第一信号，所述温度比较电路可操作地与所述温度测量电路联接。所述温度...

本发明涉及一种无结绝缘栅电流限制器装置。在一个总体方面，设备可包括半导体衬底，以及限定在所述半导体衬底内并具有沿着垂直轴对齐的深度、沿着纵轴对齐的长度和沿着水平轴对齐的宽度的沟槽。所述设备包括设置在所述沟槽内的电介质，以及设置在所述电介...

本发明公开了一种半导体组件，尤其公开了一种电源模块半导体组件，其包括柔性电路板以及制造这样的组件的方法。半导体组件包含柔性电路板，在柔性电路板的上表面的第一部分上的导电薄膜，在柔性电路板的上表面的第二部分上的焊盘，在柔性电路板的底面的一...

在一个总的方面，本发明提供了一种装置，该装置可包括半导体区以及限定在所述半导体区内的槽。所述槽可具有沿着竖向轴线对齐的深度并具有沿着与所述竖向轴线正交的纵向轴线对齐的长度。所述槽可具有包括在所述半导体区的端接区中的长度的第一部分，并可具...

本发明涉及输入电力保护。在一个总体方面，提供一种设备，该设备可包括输入端、输出端和接地端。所述设备还可包括耦接在所述输入端与所述输出端之间的过电流保护器件。所述设备还可包括耦接在所述输出端与所述接地端之间的热分流器件，所述热分流器件被配...

本发明描述了制备半导体结构、功率半导体器件及屏蔽栅极MOSFET器件的方法。制备半导体结构的方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上提供外延层，所述外延层包括底部和上部，所述底部包含在整个所述底部上基本上恒定的第一浓度的第一导电型掺杂物，...

本发明涉及包括电流限制器的方法和设备。在一个总体方面，所述设备可包括负载端和电源端。所述设备可包括耦接至所述负载端并耦接至所述电源端的电流限制器。所述电流限制器可被配置为使用响应于在所述电源端与所述负载端之间的电压差所激活的电场，限制从...