提供了针对碳化硅（SiC）双极结晶体管（BJT）的新设计和生产这种SiC?BJT的新方法。所述SiC?BJT含有集电区（220），基极区（240）和发射区（260）。另外，表面钝化层沉积于用于接触所述发射区的发射极接触点和用于接触所述基...

本发明涉及与转发器相关的方法和设备。在一个一般方面，转发器可包括输入端，被配置为与MIPI信号路径的第一部分耦接。该MIPI信号路径是接收器与发送器之间的单向路径，该输入端被配置为经由MIPI信号路径从接收器接收一组信号。转发器可包括输...

本发明涉及与改进的互补MOSFET开关相关的方法及装置。在一个主要方面，一种装置可包括:包括第一部分及第二部分的互补开关电路，以及与所述互补开关电路的第一部分耦接的第一驱动器电路。所述装置可包括与所述第一驱动器耦接的正电荷泵器件，以及与...

提供了一种碳化硅（SiC）双极结型晶体管（BJT）和制造这样的SiC?BJT的方法。SiC?BJT包括布置为堆叠件的：集电极区（220），具有第一导电类型；基极区（240），具有与第一导电类型相反的第二导电类型；以及发射极区（260），...

此文献尤其揭示用于具有软启动过流保护的调光器控制的设备和方法。在一设备实例中，一种电路可包含：输入，其经配置以接收控制信号；控制器，其经配置以在所述控制器被启用时使用所述控制信号来调制脉冲串的脉冲宽度；输出，其经配置以将所述脉冲串提供给...

本发明提供用于在形成在半导体基板上的沟槽内形成掩埋导电层的方法、用于控制外延生长的半导体材料的厚度的方法、用于控制外延生长的半导体材料的厚度的方法、用于形成沟槽栅型晶体管的方法。方法包括：在半导体基板和所述沟槽的上表面上形成第一介电材料...

本发明涉及用于振荡器自我修调校准的方法及装置。在一个总体方面，一种装置可包括配置用于基于参考振荡器信号产生参考振荡器计数值的参考振荡器计数器电路，以及配置用于基于目标振荡器信号产生目标振荡器计数值的目标振荡器计数器电路，其中目标振荡器信...

本发明提供了一种碳化硅(SiC)双极结型晶体管(BJT)的制造方法和SiC?BJT(200)。所述SiC?BJT包括发射极区(236)、基极区(234)和集电极区(232)。所述集电极区被置于具有约4度以下离轴方向的衬底(210)上。进...

本发明涉及振荡器频率校准的方法和装置。在一个总的方面，该装置可包括相位频率检测器，所述相位频率检测器被配置用于产生目标振荡器信号的频率和参考振荡器信号的频率之间的相对差的多个指示。所述装置还可包括脉冲发生器，所述脉冲发生器被配置用于基于...

本发明涉及场效应晶体管。一种场效应晶体管包括：多个沟槽，延伸进第一导电类型的半导体区，所述多个沟槽包括多个栅化沟槽和多个未栅化沟槽；多个第二类型的体区域，每个所述多个第二类型的体区域设置在所述多个沟槽中各对相邻沟槽之间的所述半导体区中；...

本发明涉及用于沟槽器件的集成的栅流道和场植入终端。在一个通常的方面，装置可以包括形成在基板的外延层内的多个沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件以及布置在多个沟槽MOSFET器件周围并且布置在外延层内的栅流道沟槽。该装置还...

本发明提供了一种用于功率半导体装置的边缘终端结构。该功率半导体装置（或功率装置）包括：在其上具有外延层的基板；形成在该外延层中的基本上平行的有源沟槽阵列，其中该有源沟槽包括具有绝缘栅极导电层的晶体管结构；在有源沟槽附近的超结或屏蔽区域；...

提供了一种半导体装置和在目标基板中形成结构以制造半导体装置的方法。该方法包括以下步骤：在目标基板（110）上提供掩模层（120），并在掩模层中提供阶梯状轮廓（122），使得阶梯状轮廓的阶梯的高度比掩模层的厚度小。此外，该方法包括以下步骤...

本发明揭示使用借助微波辐射形成的低泄漏齐纳二极管的ESD保护。本发明描述半导体装置及用于制作此些装置的方法。这些装置含有半导体衬底，所述半导体衬底具有：第一部分，其含有连接到所述衬底的上部部分中的栅极垫的集成电路装置；及第二部分，其含有...

本申请案涉及使用微波进行的U-MOS沟槽型面优化和蚀刻损伤移除。本发明描述半导体装置和用于制作这些装置的方法。UMOS(U形MOSFET)半导体装置可通过如下方式形成：提供半导体衬底；使用湿式或干式蚀刻过程在所述衬底中形成沟槽；以及随后...

本发明公开了一种串行接口的转换电路及方法，该电路包括：生成模块，用于根据输入的单线串行接口的引脚Din产生周期性的时间窗信号，其中，在时间窗信号的每个周期内，时间窗信号从Din的第一个下降沿开始的预定时间内记为有效，且在预定时间到达时记...

本发明涉及一种制造碳化硅（SiC）双极结晶体管（BJT）的方法以及一种SiC?BJT。SiC?BJT（100）包括集电极区域（120）、基极区域（140）、以及发射极区域（160）。本发明的方法包括以下步骤：提供设置在基极发射极结与用于...

本文件尤其论述一种经配置以耦合到音频插孔的第一及第二GND/MIC端子的音频插孔检测开关，其中所述音频插孔检测开关包含检测电路，所述检测电路经配置以测量所述第一及第二GND/MIC端子上的阻抗且使用所述所测量的阻抗将每一GND/MIC端...

本申请案涉及音频插孔检测系统及方法。本文件尤其论述一种经配置以使用第一及第二比较器识别四极音频插孔的极的类型的检测系统。所述检测系统可包含：偏置电路，其经配置以偏置耦合到所述极的检测输入；及第一及第二比较器，其经配置以将所述检测输入与相...

本发明提供了一种媒体流插头检测切换装置及其方法，其中，该媒体流插头检测切换装置包括：检测单元，用于检测所连接的音频插头的多个引脚的信号接入状态，根据检测结果输出控制信号；切换单元，根据该控制信号，将所述音频插头的所述多个引脚分别切换至与...