用于功率半导体装置的边缘终端结构制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种用于功率半导体装置的边缘终端结构。该功率半导体装置（或功率装置）包括：在其上具有外延层的基板；形成在该外延层中的基本上平行的有源沟槽阵列，其中该有源沟槽包括具有绝缘栅极导电层的晶体管结构；在有源沟槽附近的超结或屏蔽区域；在有源沟槽周围的外围沟槽；以及在外延层的上表面内的源极接触区域，其中，栅极导电层在超结或屏蔽区域的上方并在周围的外围沟槽的上方延伸。这样的构造允许在包含PN超结结构的功率MOSFET装置中以宽范围的击穿电压使用该边缘终端结构。描述了其他实施方式。

【技术实现步骤摘要】

本申请通常涉及半导体装置和用于制造这样的装置的方法。更特别地，本申请描述了用于功率半导体装置(功率半导体器件)的边缘终端结构(edge terminationstructures)和用于制造这样的结构的方法。
技术介绍
在很多种电子设备中都使用包含集成电路(IC)或分立器件的半导体装置。IC装置(或芯片，或分立器件)包括已在半导体材料的基板的表面中制造的小型电路。该电路由许多重叠层组成，包括，包含可扩散到基板中的掺杂剂的层(叫做扩散层)，或包含植入基板中的离子的层(植入层)。其他层是导体(多晶硅或金属层)，或导电层之间的连接(通路(通孔)或接触层)。可在使用许多步骤的组合的逐层エ艺中制造IC装置或分立器件，包括生长层、成像、沉积、蚀刻、掺杂和清洁。典型地，使用硅片作为基板，并利用光刻法将基板的不同区域标记为是掺杂的，或沉积并限定多晶硅、绝缘体或金属层。功率半导体装置通常在电路中用作开关或整流器。当与电路板连接时，其可在很多设备中使用，包括汽车用电子设备、磁盘驱动器和电源。可在已在基板中产生的沟槽中形成一些功率半导体装置。使沟槽结构吸引人的ー个特征是，电流垂直地流过沟槽中的装置的通道本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：半导体基板，在所述半导体基板上具有外延层；基本上平行的有源沟槽阵列，形成在所述外延层中，所述沟槽包括具有绝缘栅极导电层的晶体管结构；超结或屏蔽区域，位于所述有源沟槽附近；外围沟槽，位于所述有源沟槽周围，所述外围沟槽包含介电材料、绝缘体、半绝缘体、导体、或它们的组合；以及源极接触区域，位于所述外延层的上表面内；其中，所述栅极导电层在所述超结或屏蔽区域的上方并在周围的外围沟槽的上方延伸。

【技术特征摘要】
2011.10.06 US 13/267,7121.一种半导体结构,包括 半导体基板，在所述半导体基板上具有外延层； 基本上平行的有源沟槽阵列，形成在所述外延层中，所述沟槽包括具有绝缘栅极导电层的晶体管结构； 超结或屏蔽区域，位于所述有源沟槽附近； 外围沟槽，位于所述有源沟槽周围，所述外围沟槽包含介电材料、绝缘体、半绝缘体、导体、或它们的组合；以及 源极接触区域，位于所述外延层的上表面内； 其中，所述栅极导电层在所述超结或屏蔽区域的上方并在周围的外围沟槽的上方延伸。2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述外围沟槽比所述有源沟槽阵列深。3.根据权利要求1所述的结构，进一步包括多个外围沟槽。4.根据权利要求3所述的结构，进一步包括可达50个外围沟槽。5.根据权利要求1所述的结构，其中，线沟槽阵列的端部与所述外围沟槽之间的间隙的范围可达约1000 μ m。6.根据权利要求5所述的结构，其中，所述间隙的范围可达约ΙΟμπι。7.根据权利要求1所述的结构，其中，所述外围沟槽包括与所述有源沟槽的端部邻接的突出部。8.—种功率半导体装置，包括 半导体基板，用第一导电类型的掺杂剂重掺杂； 在所述基板上的外延层，用第一导电类型的掺杂剂对所述外延层进行轻掺杂； 基本上平行的有源沟槽阵列，形成在所述外延层中，所述沟槽包括在所述沟槽的底部和侧壁上的第一绝缘层、形成在所述第一绝缘层上的栅极导电层、以及在所述栅极导电层上方的第二绝缘层，其中，已用第二导电类型的掺杂剂掺杂所述有源沟槽的两侧，从而形成超结结构； 外围沟槽，位于所述有源沟槽的周围； 源极接触区域，位于所述外延层的上表面内；以及 漏极，位于所述基板的底部上； 其中，所述栅极导电层在所述超结区域的上方并在周围的外围沟槽的上方延伸。9.根据权利要求8所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金洙丘，约瑟夫·安德鲁·叶季纳科，何宜修，
申请(专利权)人：飞兆半导体公司，
类型：发明
国别省市：