【技术实现步骤摘要】
一种高效率、高耐压肖特基芯片,属于半导体器件制造
具体涉及一种新型高效率肖特基二极管Schottky。
技术介绍
传统N通道肖特基芯片肖特基界面下方是多晶硅,多晶硅的外周挖沟槽,因为只有一种沟槽且沟槽氧化硅的厚度一致,如图2所示,在沟槽底部弯角的地方容易发生电力击穿,该种肖特基芯片反向耐压较低,肖特基界面通过电流面积小,通电效率低
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种可以提高肖特基芯片的通电效率,降低正向压降,并提闻反向耐压的一种闻效率、闻耐压肖特基芯片。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是该一种高效率、高耐压肖特基芯片,包括顶部金属层、顶部金属层下方的肖特基界面、紧靠肖特基界面下方的多晶硅、多晶硅外周的第一沟槽、下部的N型外延层N-EPI和N型基片N+Substrate,其特征在于在两相邻第一沟槽之间增设第二沟槽,第一沟槽的底部厚度大于边部厚度。所述的第二沟槽为多个,每两个第一沟槽之间设置一个。所述的第二沟槽的深度低于第一沟槽的深度。所述的第一沟槽的底部厚度是边部厚度的2-5倍。与现有技术相比,本专利技术的闻效率、闻耐压肖特基芯片的有益效果是 1、在现有肖特基芯片两个第一沟槽中间增加一个第二沟槽,在相等的肖特基芯片面积下肖特基界面得以增加,正向导通电流的能力加强,降低正向通电时的压降VF值,从而提升正向通电的效率15-30%。另第二沟槽的深度比第一沟槽浅,反向电压时第一沟槽的MOS空乏功能可以保护第二沟槽的肖特基界面,因而降低反向漏电流的损耗; 2、第一沟槽底部的氧化硅层较厚,比边部沟槽的氧化硅层加厚2 ...
【技术保护点】
一种高效率、高耐压肖特基芯片,包括顶部金属层(1)、顶部金属层(1)下方的肖特基界面(5)、紧靠肖特基界面(5)下方的多晶硅(2)、多晶硅外周的第一沟槽(3)、下部的N型外延层N?EPI(6)和N型基片N+Substrate(7),其特征在于:在两相邻第一沟槽(3)之间增设第二沟槽(4),第一沟槽(3)的底部厚度大于边部厚度。
【技术特征摘要】
1.一种高效率、高耐压肖特基芯片,包括顶部金属层(I)、顶部金属层(I)下方的肖特基界面(5)、紧靠肖特基界面(5)下方的多晶硅(2)、多晶硅外周的第一沟槽(3)、下部的N型外延层N-EPI (6)和N型基片N+Substrate (7),其特征在于在两相邻第一沟槽(3)之间增设第二沟槽(4),第一沟槽(3)的底部厚度大于边部厚度。2.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:关仕汉,吕新立,
申请(专利权)人:淄博美林电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。