一种高压半导体器件及其终端制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高压半导体器件及其终端，该高压半导体器件终端包括：基底，所述基底包括本体层；场限环，位于所述基底表面内；所述场限环为三层掺杂区结构，其中，第一掺杂区位于本体层表面内，与第一掺杂区掺杂类型相反的第二掺杂区包围第一掺杂区，与所属第一掺杂区掺杂类型相同的第三掺杂区包围第二掺杂区，且第一掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度，第三掺杂区的掺杂浓度介于第二掺杂区和本体层之间。本实用新型专利技术实施例的三层掺杂区构成的场限环，提高了高压半导体器件的耐压能力，同时降低了高压半导体器件的终端面积，节省了器件的制作成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体器件领域，尤其涉及一种高压半导体器件及其终端。
技术介绍
现代高压半导体器件IGBT、VDM0S、功率二极管diode作为第三代电力电子产品，由于其工作频率高、开关速度快、控制效率高而在电力电子领域得到越来越广泛的应用，尤其在汽车电子、消费电子、开光电源盒工业控 制中得到广泛应用(例如继电器，节能灯电子镇流器，电机变频调速，高频加热，马达驱动，家用电器音响装置，开关稳压电源)。现代高压功率半导体器件的阻断能力是衡量发展水平的一个非常重要的标志，依据应用，击穿电压的范围可从25V到6500V，但是由于现代半导体工艺采用平面型终端结构，结深较浅，结边缘弯曲使得耐压降低、耐压稳定性差、器件的安全工作区较小，器件易破坏。因此，为了提高和稳定器件的耐压特性，除了体内各参数间的配合外，更重要的是对表面终止的PN结进行适当的处理，以改善器件边缘的电场分布，减弱表面电场集中，提高器件的耐压能力和稳定性。现有技术中多为通过改进器件边缘区域的终端结构来提高器件的耐压能力，对于电流垂直流向的高压半导体器件来说，如绝缘栅双极型晶体硅IGBT、垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管VDM0本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压半导体器件终端，其特征在于，包括：基底，所述基底包括本体层；场限环，位于所述基底表面内，所述场限环包括：位于所述本体层表面内的第一掺杂区；位于所述本体层表面内且包覆所述第一掺杂区的第二掺杂区；位于所述本体层表面内且包覆所述第二掺杂区的第三掺杂区；其中，所述第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂类型相同，第三掺杂区和第二掺杂区的掺杂类型相反，与所述本体层的掺杂类型相同，且所述第一掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度，第三掺杂区的掺杂浓度介于第二掺杂区和本体层之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：褚为利，朱阳军，田晓丽，胡爱斌，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，江苏中科君芯科技有限公司，江苏物联网研究发展中心，
类型：实用新型
国别省市：