【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体测试，尤其涉及一种基于二次谐波的表征设备。
技术介绍
1、二次谐波对晶体对称性十分敏感，近年来已经广泛应用于晶圆级半导体材料缺陷的非接触式、快速、无损地在线表征。但是传统的shg(second harmonic generation，二次谐波产生)表征设备只能对半导体材料的缺陷进行单方面的光学表征，无法实时监控半导体器件在工作过程中的缺陷演化，因此无法满足半导体器件的迫切表征需求。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种基于二次谐波的表征设备，以解决或者部分解决目前的shg表征设备无法在线表征半导体器件在工作过程中的缺陷演化的技术问题。
2、为解决上述技术问题，根据本专利技术实施例提供了一种基于二次谐波的表征设备，包括：
3、导轨；
4、入射组件和出射组件，活动连接至所述导轨；
5、基波发射组件，连接在所述入射组件的入口侧；
6、二次谐波接收组件，连接在所述出射组件的出口侧；
7、样品台；
8、探针组件，设置在所述样品台上；
9、电学表征组件，电连接所述探针组件；
10、在所述表征设备工作时，所述探针组件连接设置在所述样品台的待测器件，所述电学表征组件通过所述探针组件向所述待测器件施加电压信号；所述基波发射组件发出的入射基波通过所述入射组件照射至所述待测器件，以使所述待测器件产生二次谐波信号，所述二次谐波接收组件通过所述出射组件获得所述二次谐波信号。
<...【技术保护点】
1.一种基于二次谐波的表征设备，其特征在于，所述表征设备包括：
2.如权利要求1所述的表征设备，其特征在于，所述样品台包括旋转部和扩展部；所述旋转部用于设置所述待测器件，所述探针组件设置在所述扩展部。
3.如权利要求2所述的表征设备，其特征在于，所述探针组件包括探针、探针座和线盒；所述探针座设置在所述扩展部，所述线盒通过导线连接在所述电学表征组件和所述探针座之间；所述线盒用于释放或收束所述导线。
4.如权利要求3所述的表征设备，其特征在于，所述探针组件的数量为N套，一套所述探针组件包括一根所述探针、一套所述探针座和一套所述线盒，N≥2且为整数。
5.如权利要求3所述的表征设备，其特征在于，所述扩展部还包括固定部，所述线盒设置在所述固定部。
6.如权利要求1所述的表征设备，其特征在于，所述入射组件包括入射臂、起偏器和第一物镜；所述入射臂活动连接在所述导轨上，所述起偏器设置在所述入射臂内，所述第一物镜设置在所述入射臂的出口侧。
7.如权利要求6所述的表征设备，其特征在于，所述基波发射组件包括激光器和第一耦合器；所
8.如权利要求1所述的表征设备，其特征在于，所述出射组件包括出射臂、检偏器、滤光片和第二物镜；所述出射臂活动连接在所述导轨上，所述检偏器和所述滤光片设置在所述出射臂内，所述第二物镜设置在所述出射臂的入口侧。
9.如权利要求8所述的表征设备，其特征在于，所述二次谐波接收组件包括探测器和第二耦合器；所述探测器与所述第二耦合器通过光纤相连，所述第二耦合器设置在所述出射臂的出口侧。
10.如权利要求1所述的表征设备，其特征在于，所述设备还包括设置在所述导轨上的电荷耦合相机，所述电荷耦合相机的正投影与所述样品台至少部分重合。
...【技术特征摘要】
1.一种基于二次谐波的表征设备，其特征在于，所述表征设备包括：
2.如权利要求1所述的表征设备，其特征在于，所述样品台包括旋转部和扩展部；所述旋转部用于设置所述待测器件，所述探针组件设置在所述扩展部。
3.如权利要求2所述的表征设备，其特征在于，所述探针组件包括探针、探针座和线盒；所述探针座设置在所述扩展部，所述线盒通过导线连接在所述电学表征组件和所述探针座之间；所述线盒用于释放或收束所述导线。
4.如权利要求3所述的表征设备，其特征在于，所述探针组件的数量为n套，一套所述探针组件包括一根所述探针、一套所述探针座和一套所述线盒，n≥2且为整数。
5.如权利要求3所述的表征设备，其特征在于，所述扩展部还包括固定部，所述线盒设置在所述固定部。
6.如权利要求1所述的表征设备，其特征在于，所述入射组件包括入射臂、起偏器和第一物镜；所述入射臂活动连接在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李博，赵泓达，王磊，王然，张紫辰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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