一种实现局域寿命控制的IGBT制造技术

本实用新型专利技术提出了一种实现局域寿命控制的IGBT，该IGBT包括集电区，在集电区之上形成有缓冲层，在缓冲层之上形成有漂移区，在集电区与漂移区之间形成有至少一层低寿命高复合层，该低寿命高复合层内具有复合中心，能够降低载流子的寿命，在漂移区内形成有阱区，在阱区内形成有发射区，在漂移区之上依次形成有栅介质层、栅极、隔离层和发射极，在集电区之下形成有集电极。本实用新型专利技术在集电区与漂移区之间形成有至少一层低寿命高复合层，该低寿命高复合层可以复合器件通态时产生的大量过剩载流子，提高复合电流，减小集电区空穴注入，从而降低关断拖尾时间，达到降低开关时间、开关损耗的目的，并提高器件抗闩锁能力。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于基本电气元件领域，涉及半导体器件，特别涉及一种实现局域寿命控制的IGBT。
技术介绍
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)是一种由BJT (双极型三极管)和MOSFET (绝缘栅型场效应管)组成的复合型电压控制的功率半导体器件，这种器件同时具有功率BJT和功率MOSFET的主要优点 输入阻抗高，输入驱动功率小，导通电阻小，电流容量大，开关速度快等。在这个高压高频电力电子器件时代，IGBT无疑成为电力电子应用领域的主流器件。IGBT发展到现在大致经历了三代技术=PT-1GBT(穿通型IGBT)，NPT-1GBT (非穿通型IGBT)和FS-1GBT (电场终止型IGBT)。穿通与非穿通是指在击穿电压下，耗尽层是否穿通η-漂移区(耐压层)。尽管NPT-1GBT和FS-1GBT技术越来越受到行内青睐，然而对于低压类IGBT (如600V IGBT)，考虑到NPT-1GBT和FS-1GBT要求能够处理薄片技术，工艺要求高的特点，普遍采用PT-1GBT结构，从而降低加工难度，减少制造成本。如图1所示的PT-1GBT，P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实现局域寿命控制的IGBT，其特征在于，包括：集电区，所述集电区为重掺杂；在所述集电区之上形成有缓冲层，所述缓冲层为重掺杂，其导电类型与所述集电区的导电类型相反；?在所述缓冲层之上形成有漂移区，所述漂移区为轻掺杂，其导电类型与所述集电区的导电类型相反；在所述集电区与所述漂移区之间形成有至少一层低寿命高复合层，所述低寿命高复合层内具有复合中心；在所述漂移区内形成有阱区，在所述阱区内形成有发射区，所述阱区的导电类型与所述集电区的导电类型相同，所述发射区为重掺杂，其导电类型与所述集电区的导电类型相反；在所述漂移区之上依次形成有栅介质层、栅极、隔离层和发射极；在所述集电区之下形成有集电极；所述漂移...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴海平，秦博，肖秀光，
申请(专利权)人：宁波比亚迪半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：