【技术实现步骤摘要】
高压触发管以及烤炉烤箱和金属卤素灯的触发电路
本技术专利涉及一种高压触发管,尤其涉及一种快速开关的高压触发管,其呈现负阻特性(即拉回特性,崩溃瞬间电压减小,如图2所示的BB曲线),触发电压高,较大的导通电流能力等特点。
技术介绍
高压触发管是金属卤素灯上必不可少的核心元件,通过其快速开关的特性,在半个正弦周期内,要产生3个脉冲,并且要高到4Kv的电压,起到点亮电离金属卤素发光的目的。金卤灯是继白炽灯、卤素灯之后当今世界崛起的第三代绿色照明光源,以光效高、显色性好、使用寿命长等优势,不仅成为高档轿车、背投电视,路灯,厂矿照明等光源的首选,还可广泛应用于军事、探险、水下作业、野外搜救等领域。与普通白炽灯相比,金卤灯节能效果惊人,市场空间巨大。目前,金卤灯在欧美发达国家发展势头迅猛,已有近40%的普及率,但我国去年80亿支灯泡产量中,金卤灯所占比例不足2%,所以该产品在我国具有较大的市场空间。目前传统的放电管或可控硅大都采用N型(N-type)衬底,主三极管为PNP结构, 产品呈现正阻特性(崩溃瞬间电压要稍微加大才能完全导通,如图2所示的FB曲线,这样随着电容上 ...
【技术保护点】
一种触发管,其特征在于:其包括P型衬底、分别位于P型衬底两侧的两个N长基区、分别设置在每个N长基区上的P型发射极、覆盖于每个N长基区及P型发射极的外侧表面的合金层以及连接于合金层上的金属电极,其中在P型衬底与两侧的N长基区的结合处分别蚀刻有外沟槽,外沟槽边上覆盖有钝化玻璃粉层。
【技术特征摘要】
1.一种触发管,其特征在于其包括P型衬底、分别位于P型衬底两侧的两个N长基区、分别设置在每个N长基区上的P型发射极、覆盖于每个N长基区及P型发射极的外侧表面的合金层以及连接于合金层上的金属电极,其中在P型衬底与两侧的N长基区的结合处分别蚀刻有外沟槽,外沟槽边上覆盖有钝化玻璃粉层。2.根据权利要求I所述的触发管,其特征在于其还包括有设于每个N长基区和P型衬底之间的P型埋层。3.根据权利要求I所述的触发管,其特征在于所述P型衬底采用掺有P型杂质的〈111〉晶向的直拉或者区融的单晶硅作为衬底材料,掺杂的浓度保持在I 一 150欧姆的方块电阻。4.根据权利要求I所述的触发管,其特征在于所述P型埋层是利用带有图形的掩模版制作适当图形的氧化层,利用氧化层的掩膜,采用双面离子注入的方式得到,离子注入的浓度在 2 E 12 — 2 E 14ions/cm2。5.根据权利要求I所述的触发管,其特征在于通过双面磷扩散形成10-35欧姆的方块电阻的所述N长基区。6.根据权利要...
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