【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种超高压二极管芯片，尤其涉及一种新的平面结构超高压二极管芯片。
技术介绍
目前用于超高压二极管芯片大多数采用台面型结构设计和工艺制程的芯片，在长期应用中存在以下主要问题 ①耐高温性能较差，只能在Tj=125°C环境下工作，反向电流快速升高极易失效。这是台面结构固有缺点。②耐高反压性能差，芯片在测试过程中，在产生较高反向击穿电压时，台面周围均有电弧产生，发生打火现象。这是台面结构设计产生体外击穿固有的缺陷。③容易烧坏芯片，无法测试分档。尽管在封装中采用涂覆有机硅胶和环氧树脂类保护，但是实际上空气隙无法解决。这是台面结构设计产生体外击穿固有的缺陷。④在工艺上，一般台面型的扩散工艺采用磷硼纸源扩散，晶片PN结结深不均匀，表面有腐蚀坑。晶片有弯曲现象，应力较大，最终导致晶片电特性失效的比例较高。特别在较大芯片面积(大于160mil)比较突出。鉴于以上三点，其正向和反向浪涌能力(即 ，t)较差。在应用时易产生工作失效，可靠性较差。at at为了解决以上问题，当前国外发展了平面结构型高压二极管，价格较高，技术处于严格保密状态，且国内尚未见供货。专利技术内...
【技术保护点】
一种耐高温平面结构型超高压二极管芯片，所述芯片本体呈薄片状，芯片本体上部设有主结和顶面电极，芯片本体下部设有衬底和底面电极，在所述主结外圈还设有3?5圈场限环；在最外圈场限环的外部还设有一圈截止环；所述至少两圈场限环的顶面高度与所述主结顶面高度一致，所述至少两圈场限环的深度与所述主结的深度一致；所述截止环的顶面高度与所述主结的顶面高度一致；其特征在于，各所述场限环的宽度不等。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：裘立强，汪良恩，谢盛达，葛宜威，
申请(专利权)人：扬州杰利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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