半导体器件及形成半导体器件的方法技术

提供了具有半导体晶片的半导体器件及形成半导体器件的方法。半导体晶片包括主水平面、外边缘、有源区和外围区。外围区包括介电结构，介电结构包围有源区并从主水平面延伸到半导体晶片中。在水平截面中，介电结构包括向外边缘倾斜的至少一个大致L形部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有场再分配结构的半导体器件、特别是功率半导体器件的实施方式。此外，本说明书涉及这种器件的制造方法的实施方式。
技术介绍
汽车、用电设备以及诸如计算机技 术、移动通信技术、转换电能量和驱动电动机的工业应用中的现代装置的许多功能依赖于半导体器件，特别是诸如场效应晶体管(FET)(例如，MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT (绝缘栅双极晶体管)和BJT (双极型晶体管))的半导体晶体管。通常希望诸如二极管和IGBT的整流半导体器件具有足够高的阻断能力。因此，通常需要它们的一个或多个整流pn结承受足够高的反向电压。不良尺寸化(dimensioning)可能导致在整理pn结到达或靠近表面的点或其附近产生电子雪崩。因此，阻断能力可能减小到远小于半导体材料的体击穿(bulk breakthrough)场强的值。为了减小整流结(例如，pn结)边缘附近的电场强度，高压半导体器件可以在布置在具有整流结的有源区周围的外围区中包括边缘终端结构(edge terminationstructure)。边缘终端结构提供了过渡区，其中，有源区周围的高电场逐渐变化到器件边缘处的较本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体晶片，包括：主水平面；外边缘；有源区；以及外围区，包括包围所述有源区的介电结构，所述介电结构从所述主水平面延伸到所述半导体晶片中，并且在水平截面中包括相对于所述外边缘倾斜的大致L形部分。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗朗茨·赫尔莱尔，安东·毛德，汉斯约阿希姆·舒尔茨，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：