薄膜器件制造技术

本发明专利技术涉及一种薄膜器件。使用氧化物半导体膜的TFT存在的问题是会在源-漏电极执行等离子体蚀刻之后在氧化物半导体膜的表面区域中产生氧缺乏并增大关断电流。公开一种TFT，其包括：在作为衬底的绝缘衬底上的栅电极；在栅电极上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜；以及在氧化物半导体膜上的源/漏电极，该TFT的特征在于包含至少氟或氯的表面层存在于氧化物半导体膜的没有与源/漏电极重叠的部分中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种诸如氧化物半导体薄膜晶体管的薄膜器件，其使用氧化物半导体薄膜作为有源层。以下将该薄膜晶体管称为“TFT”，并且将主要由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)构成的氧化物半导体称为“ IGZO (In-Ga-Zn-O) ”。
技术介绍
··对于其中氧化物半导体膜用于有源层的TFT，其场效应迁移率比常规非晶硅TFT高约一个位数。而且，在照射可见光时关断电流的增加非常小。因此，可获得高开关比。通过利用这种特性，广泛开展使用氧化物半导体TFT用于像素驱动元件的高性能液晶显示器和有机EL显示器的研究和开发。氧化物半导体膜的另一特性是具有多种组成，从而正在开展诸如IGZO膜、Zn-O膜、In-Si-O膜以及Zn-Sn-O膜的各种氧化物半导体膜的研究和开发。虽然正在进行对于各种材料的研究，但是至少包含铟(In)或锌(Zn)的薄膜仍然是用作能够提供优良TFT特性的氧化物半导体膜的主流。而且，与使用硅基薄膜的情况相比，还可能在低温下利用氧化物半导体薄膜生成优良的薄膜。还进行测试以利用低温沉积薄膜并通过在塑料衬底上形成氧化物半导体TFT而实现柔性显示器。以下将描述作为有关技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜器件，包括在衬底上的栅电极，在所述栅电极上的栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜以及在所述氧化物半导体膜上的源/漏电极，其中包含至少氟或氯的表面层存在于所述氧化物半导体膜的没有与所述源/漏电极重叠的部分中。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：竹知和重，
申请(专利权)人：NLT科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：