半导体装置、电气光学装置、电力转换装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够抑制元件特性的降低的半导体装置。所述半导体装置包括：硅基板(11)；形成在硅基板(11)的表面的碳化硅膜(12)；形成在碳化硅膜(12)的表面且具有开口部(13h)的掩膜件(13)；以在开口部(13h)露出的碳化硅膜(12)为基点进行外延生长，而覆盖碳化硅膜(12)及掩膜件(13)的单晶碳化硅膜(14)；形成在单晶碳化硅膜(14)的表面上的半导体元件(20)，在掩膜件(13)上存在单晶碳化硅膜(14)缔合而形成的缔合部(12Sb)，半导体元件(20)具有主体接触区域(21)，主体接触区域(21)配置在从与硅基板(11)的表面正交的方向观察时与缔合部(12Sb)重叠的位置。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置、电气光学装置、电力转换装置及电子设备
本专利技术涉及半导体装置、电气光学装置、电力转换装置及电子设备等。
技术介绍
单晶硅由于大口径、高品质且廉价而能够用作使许多材料的单晶生长的基板。在这些材料中，带隙为2.2eV(300K)这么高的作为宽带隙半导体材料的立方晶碳化硅(3C-SiC)作为次世代的低损耗的功率设备用半导体材料而受到期待，尤其从能够在廉价的硅基板上进行膜生长或单晶生长(异质外延)这一点来说，也非常有用。然而，立方晶碳化硅的晶格常数为0.436nm，比立方晶硅的晶格常数(0.543nm)小20％左右。另外，立方晶碳化硅与立方晶硅在热膨胀系数上存在8％左右的差。因此，在使单晶生长的立方晶碳化硅中容易产生大量的空隙或错配转移，难以获得结晶缺陷少的高品质的外延膜。对用于解决这种问题的技术进行了研究，例如在专利文献1中，在碳化硅的生长用基板的表面形成掩膜层后，在掩膜层形成开口部以使基板表面露出，来进行单晶碳化硅的外延生长，将开口部的高度设为开口部的宽度的21/2以上且超过所形成的单晶碳化硅的厚度的高度。【在先技术文献】【专利文献】【专利文献1】日本特开平11-18156本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：含有硅的基体；配置在所述硅的表面的第一碳化硅膜；配置在所述第一碳化硅膜的表面的掩膜件；对所述掩膜件的开口部的所述第一碳化硅膜及所述掩膜件进行覆盖的第二碳化硅膜，包括所述第二碳化硅膜的至少一部分的半导体元件具备主体接触区域，所述主体接触区域包括所述第二碳化硅膜的缔合缺陷。

【技术特征摘要】
2011.08.23 JP 2011-1814051.一种半导体装置，其特征在于，包括：含有硅的基体；配置在所述硅的表面的第一碳化硅膜；配置在所述第一碳化硅膜的表面的掩膜件；对所述掩膜件的开口部的所述第一碳化硅膜及所述掩膜件进行覆盖的第二碳化硅膜，包括所述第二碳化硅膜的至少一部分的半导体元件具备主体接触区域，所述主体接触区域配置在与所述第二碳化硅膜的缔合缺陷重叠的位置。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二碳化硅膜通过以所述掩膜件的开口部的所述第一碳化硅膜为基点进行外延生长而成。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二碳化硅膜为立方晶碳化硅膜。4.一种半导体装置，其特征在于，包括：含有硅的基体；配置在所述硅的表面的第一碳化硅膜；配置在所述第一碳化硅膜的表面的掩膜件；对所述掩膜件的开口部的所述第一碳化硅膜及所述掩膜件进行覆盖的第二碳化硅膜，包括所述第二碳化硅膜的至少一部分的半导体元件具备主体接触区域，所述主体接触区域包括所述第二碳化硅膜的缔合缺陷，所述半导体元件还具备包括源极区域、漏极区域、栅极区...

【专利技术属性】
技术研发人员：岛田浩行，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：