光学半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

根据一个实施例，一种光学半导体装置，包括发光层、透明层、第一金属柱、第二金属柱和密封层。发光层包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极。第二主表面是与第一主表面相对的表面，且第一电极和第二电极形成在第二主表面上。透明层设置在第一主表面上。第一金属柱设置在第一电极上。第二金属柱设置在第二电极上。密封层设置在第二主表面上。该密封层被配置为覆盖发光层的侧表面，并且密封第一金属柱和第二金属柱，而使第一金属柱的端部和第二金属柱的端部暴露在外。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】根据一个实施例，一种光学半导体装置，包括发光层、透明层、第一金属柱、第二金属柱和密封层。发光层包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极。第二主表面是与第一主表面相对的表面，且第一电极和第二电极形成在第二主表面上。透明层设置在第一主表面上。第一金属柱设置在第一电极上。第二金属柱设置在第二电极上。密封层设置在第二主表面上。该密封层被配置为覆盖发光层的侧表面，并且密封第一金属柱和第二金属柱，而使第一金属柱的端部和第二金属柱的端部暴露在外。【专利说明】
本说明书描述的实施例大体上涉及一种。
技术介绍
不仅发射红、绿、蓝等可见光带，而且发射从红外光到紫外光的宽波长带的各种半导体发光元件被用作小的低能耗发光元件。通过荧光剂和例如蓝色LED (发光二极管)的半导体发光元件的组合，光学半导体装置也已经被开发为发出白光。当前用作产品的最为通用的光学半导体装置是半导体发光元件，在该半导体发光元件中，半导体层外延生长在衬底上。换言之，通过在例如GaAs、GaP、蓝宝石等衬底上外延生长半导体层、形成电极，等等，以及随后再划分，从而获得单个的半导体发光元件。接着，通过将由此获得的半导体发光元件安装到引线框、SMD(表面安装装置)型壳体、各种安装衬底等上，进行指定互连，然后用透明树脂密封半导体发光元件，最终完成该光学半导体装置。
技术实现思路
大体上，根据一个实施例，一种光学半导体装置包括发光层、透明层、第一金属柱、第二金属柱和密封层。所述发光层包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极。第二主表面是与第一主表面相对的表面，第一电极和第二电极都形成于第二主表面上。所述透明层设置于第一主表面上，且该透明层是透明的。第一金属柱设置于第一电极上。第二金属柱设置在第二电极上。所述密封层设置于第二主表面上。所述密封层被配置为覆盖所述发光层的侧表面，并密封第一金属柱和第二金属柱，而让第一金属柱的端部和第二金属柱的端部暴露在外。大体上，根据另一个实施例，一种光学半导体装置包括发光层、荧光层、第一金属柱、第二金属柱和密封层。所述发光层包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极。第二主表面是与第一主表面相对的表面，第一电极和第二电极都形成于第二主表面上。所述突光层设置于第一主表面上。所述突光层包括一种突光剂，该突光剂被配置为吸收发光层发出的光，并发出不同波长的光。第一金属柱设置于第一电极上。第二金属柱设置在第二电极上。所述密封层设置于第二主表面上。所述密封层被配置为覆盖所述发光层的侧表面，并密封第一金属柱和第二金属柱，而让第一金属柱的端部和第二金属柱的端部暴露在外。大体上，根据一个实施例，一种光学半导体装置包括发光层、突光层、第一金属柱、第二金属柱和密封层。所述发光层包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极。第二主表面是与第一主表面相对的表面，第一电极和第二电极都形成于第二主表面上。突光层设置于第一主表面上。该突光层包括一种突光剂，该突光剂被配置为吸收发光层发出的光，并发出不同波长的光。第一金属柱设置于第一电极上。第二金属柱设置在第二电极上。密封层设置于第二主表面上，且密封层被配置为覆盖发光层的侧表面，并密封第一金属柱和第二金属柱，而让第一金属柱的端部和第二金属柱的端部暴露在外。大体上，根据一个实施例，披露了 一种用于制造光学半导体装置的方法。该方法可包括通过在包括多个半导体层的半导体堆叠主体的第一主表面侧上形成多组正电极和负电极从而形成发光层。在衬底上外延生长之后，半导体堆叠主体与衬底分离。该方法可包括在发光层的与第一主表面相对的第二主表面上形成透明层。该透明层对发光层发出的光而言是透明的。此外，该方法可包括对每组正电极和负电极实施单个化处理(singulation)。根据实施例，可以以低成本制造包括具有多种透镜结构的透明层的光学半导体装置。【专利附图】【附图说明】图1A为截面图，示出了根据实施例的光学半导体装置的示意性结构，图1B为平面图，示出了图1A所示的光学半导体装置的下表面；图2A和2B为示意图，示出了第一实施例的第二个特定实例；图3A和3B为示意图，示出了第一实施例的第三个特定实例；图4A和4B为示意图，示出了第一实施例的第四个特定实例；图5A和5B为示意图，示出了第一实施例的第五个特定实例；图6为截面图，示出了根据第二实施例的光学半导体装置的示意性结构，该图是与图1A对应的截面图；图7为截面图，示出了根据第三实施例的光学半导体装置的示意性结构；图8为截面图，示出了根据第四实施例的光学半导体装置的示意性结构；图9A-9D为截面图，示出了根据第五实施例的光学半导体装置的示意性结构；图10A-10D为截面图，示出了根据第六实施例的光学半导体装置的示意性结构；图11为截面图，示出了根据第七实施例的光学半导体装置的示意性结构；图12A为截面图，示出了根据第八实施例的光学半导体装置的示意性结构，图12B为平面图，示出了图12A所示的光学半导体装置的下表面；图13A-13D为工艺的截面图，示出了用于制造第九实施例的光学半导体装置的方法;图14A-14D为工艺的截面图，示出了用于制造第九实施例的光学半导体装置的方法;图15A-15D为工艺的截面图，示出了用于制造第九实施例的光学半导体装置的方法;图16A-16C为工艺的截面图，示出了用于制造第十实施例的光学半导体装置的方法的一部分；图17A-17C为工艺的截面图，示出了用于制造第十一实施例的光学半导体装置的方法的一部分；图18A-18D为工艺的截面图，示出了用于制造第十二实施例的光学半导体装置的方法的一部分；图19A-19D为工艺的截面图，示出了用于制造第十三实施例的光学半导体装置的方法的一部分；图20A-20D为工艺的截面图，示出了用于制造第十四实施例的光学半导体装置的方法的一部分。【具体实施方式】在下文中将参照附图对多个实施例进行描述。附图是示意性的或概念上的，并且各部分的厚度和宽度之间的关系，各部分之间尺寸的比例关系等并不必然与它们的实际值相同。而且，即使对相同的部件，各个附图中示出的尺寸和比例也可能不同。在本申请的说明书和附图中，与针对以上附图所描述的那些部件类似的部件用相同的附图标记表示，且适当地略去了详细描述。第一实施例现在将参照附图1A和IB描述第一实施例。图1A为截面图，示出了根据实施例的光学半导体装置的示意性结构。图1B为平面图，示出了图1A中所示的光学半导体装置的下表面。根据如图1A和IB所不的实施例的光学半导体装置包括具有第一主表面Ml和第二主表面M2的发光层2、设置于第一主表面Ml上的接合层3、设置于接合层3上的透明层5、设置在发光层2的第二主表面M2的第一区域内的反射层6、设置在第二主表面M2的第二区域内的第一电极7a、设置在反射层6上的多个第二电极7b、设置在第一电极7a上的第一金属柱8a、设置在第二电极7b上的多个第二金属柱8b、设置在发光层2的第二主表面M2上并避开每个金属柱8a和Sb的绝缘层9、设置在绝缘层9上以密封每个金属柱8a和Sb的密封层10、设置于第一金属柱8a的端部上的第一金属层Ila以及设置于第二金属柱8b的端部上的多个第二金属层lib。发光层2包括半导体堆叠主体，该半导体堆叠主体具有第一半导体层2a本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学半导体装置，其特征在于，包括：第一包覆层，含有n型半导体；第二包覆层，形状为将所述第一包覆层的形状的一部分去除而得到的形状，并且含有p型半导体；活性层，被所述第一包覆层及所述第二包覆层夹持，与所述第二包覆层形状相同；荧光层，形成在所述第一包覆层的设有所述活性层的一侧的相反侧的面，从平面观察时，与所述第一包覆层及所述第二包覆层和所述活性层中的任一个相比，该荧光层都向周围露出，该荧光层吸收从所述活性层放出的光并放出不同波长的光；第一电极，形成在所述第一包覆层的设有所述活性层的面侧的将所述活性层和所述第二包覆层去除后的区域；第二电极，形成在所述第二包覆层的设置所述活性层的一侧的相反侧的面；第一金属柱，设置在所述第一电极上；第二金属柱，设置在所述第二电极上；绝缘层，将所述第一包覆层、所述活性层和所述第二包覆层的侧面覆盖，并到达所述荧光层；以及密封层，设置在所述第一包覆层及所述第二包覆层的设有所述第一金属柱及所述第二金属柱的一侧，隔着所述绝缘层而将所述第一包覆层、所述活性层和所述第二包覆层的所述侧面覆盖，使所述第一金属柱的端部和所述第二金属柱的端部暴露并将所述第一金属柱和所述第二金属柱密封。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小泉洋，冈田康秀，小幡进，中具道，樋口和人，下川一生，杉崎吉昭，小岛章弘，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP