薄膜器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜器件及其制备方法。对于使用氧化物半导体膜的TFT，存在着以下问题：在对源/漏电极进行等离子体蚀刻之后在氧化物半导体膜的表面区域产生缺氧，从而升高了关断电流。本发明专利技术提供了一种TFT，包括：在绝缘衬底上的栅电极、在所述栅电极上的栅绝缘膜、在所述栅绝缘膜上的含铟的氧化物半导体膜、和在所述氧化物半导体膜上的源/漏电极。而且，在所述氧化物半导体膜的未叠加所述源/漏电极的部分中的表面层的XPS谱中源自铟3d轨道的峰位，相对于存在于所述表面层下面的氧化物半导体区域的XPS谱中源自铟3d轨道的峰位，向高能量侧位移。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种使用了氧化物半导体膜作为有源层的薄膜器件如氧化物半导体薄膜晶体管，及其制备方法。在下文中，将薄膜晶体管称为“TFT”，且将主要由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、和氧(O)构成的氧化物半导体称为“ IGZO (In-Ga-Zn-O) ”。
技术介绍
关于在其中使用含铟的氧化物半导体作为有源层的TFT，其场效应迁移率要比常规非晶硅TFT的场效应迁移率高约一位数。而且，该氧化物半导体膜的带隙在3eV以上，所以它对可见光是透明的。因此，使用该氧化物半导体膜，当可见光照射时关断电流的增长极小。因此，可以获得具有高开-关比的TFT。通过利用这样的性质，对于将该氧化物半导体TFT用于像素驱动元件的高性能液晶显示器和有机EL显示器的研究和开发，正在广泛地进行着。该氧化物半导体膜的一个特征是还具有多种组成，因此对于各种氧化物半导体膜如IGZO膜、Zn-O膜、In-Si-O膜、和Zn-Sn-O膜的研究和开发正在进行。当进行对于各种材料的搜寻时，至少含有铟(In)或锌(Zn)的那些是作为能够提供良好TFT特性的氧化物半导体膜的主流。特别是，为了达到约IOcmVVs的高场效应迁移率，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜器件，所述薄膜器件包括在衬底上的栅电极、在所述栅电极上的栅绝缘膜、在所述栅绝缘膜上的含铟的氧化物半导体膜、和在所述氧化物半导体膜上的源/漏电极，其中所述氧化物半导体膜的未叠加所述源/漏电极的部分中的表面层内的XPS谱的源自铟3d轨道的峰位，相对于存在于所述表面层下面的氧化物半导体区域内的XPS谱的源自铟3d轨道的峰位，向高能量侧位移。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：竹知和重，岩松新之辅，小林诚也，渡部善幸，矢作彻，
申请(专利权)人：NLT科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：