温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种薄膜器件及其制备方法。对于使用氧化物半导体膜的TFT，存在着以下问题：在对源/漏电极进行等离子体蚀刻之后在氧化物半导体膜的表面区域产生缺氧，从而升高了关断电流。本发明提供了一种TFT，包括：在绝缘衬底上的栅电极、在所述栅电极上...
该专利属于NLT科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NLT科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。