一种晶体管版图结构及芯片版图结构制造技术

本申请提供了一种晶体管版图结构，其特征在于，包括主体区、衬底区和浅阱区，其中，所述主体区设置在所述浅阱区上，所述浅阱区设置在所述衬底区上。由于在上述版图结构下的晶体管，其主体结构被浅阱所包覆，与衬底是分离的。所述浅阱的导热能力较强，可以将晶体管主体结构产生的热量更好的传递给衬底，进而提高晶体管主体的散热能力。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体
，特别涉及一种晶体管版图结构及芯片版图结构。
技术介绍
随着半导体技术的发展，电子产品对芯片的要求越来越严格，则相应的对版图规格的要求也越来越高。目前，常见的晶体管版图结构如图I所示，包括源极区I和漏极区2，且所述源极区 I和漏极区2交替排列，呈叉指状。所述源极区I内设置有源极接触孔11，所述漏极区2内设置有漏极接触孔21，所述源极区I和漏极区2之间设置有栅极区3。但是，在上述晶体管版图结构下的晶体管的散热能力较差。
技术实现思路
本申请所要解决的技术问题是提供一种晶体管版图结构及芯片版图结构，用以解决现有的晶体管散热能力较差的问题。本申请提供了一种晶体管版图结构，包括主体区、衬底区和浅阱区，其中，所述主体区设置在所述浅阱区上，所述浅阱区设置在所述衬底区上。优选的，所述主体区包括栅极区、公共区、漏极区、P注入阱和深阱区；所述栅极区呈长条状，将所述公共区和漏极区隔开；所述公共区位于两个栅极区中间，且所述公共区内包括两源极区和一衬底有源区，所述衬底有源区位于两源极区之间，且与两源极区相连接；所述P注入阱位于所述深阱区上，且所述公共区位于P注入阱内。优选的，所述源极区内包括至少一个源极接触孔。优选的，所述漏极区内包括至少一个漏极接触孔。优选的，衬底有源区内包括至少一个衬底接触孔。优选的，还包括公共金属区，所述公共金属区呈哑铃状，且位于公共区上；漏端金属区，所述漏端金属区呈纺锤状，且位于漏极区上。优选的，还包括第一电流通道金属区，所述第一电流通道金属区呈长条状，与所述公共区和漏极区相交叠，且所述第一电流通道金属区与公共区交叠的区域设置有至少一个通孔；第二电流通道金属区，所述第二电流通道金属区呈长条状，与所述公共区和漏极区相交叠，且所述第二电流通道金属区与漏极区交叠的区域设置有至少一个通孔。一种芯片版图结构，包括至少一个晶体管版图结构，所述晶体管版图结构为上述任意一项所述的晶体管版图结构。由上述方案可知，本申请提供的晶体管版图结构，包括主体区、衬底区和浅阱区，其中，所述主体区设置在所述浅阱区上，所述浅阱区设置在所述衬底区上。即在上述版图结构下的晶体管的主体结构被浅阱所包覆，与衬底是分离的。所述浅阱的导热能力较强，可以将晶体管主体结构产生的热量更好的传递给衬底，进而提高晶体管主体的散热能力。此外，浅阱的导电能力要强于传统的衬底，则所述晶体管对大电流的承载能力有所提闻。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其 他的附图。图I为现有的一种晶体管版图结构不意图；图2为本申请实施例提供的一种晶体管版图结构示意图；图3为本申请另一实施例提供的另一种晶体管版图结构不意图；图4为本申请又一实施例提供的又一种晶体管版图结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本申请实施例提供了一种晶体管版图结构，如图2所示，所述晶体管版图结构包括主体区201、衬底区202和浅阱区203，其中，所述主体区201设置在所述浅阱区203上，所述浅阱区203设置在所述衬底区202上。所述主体区201为晶体管的主体工作区域，是电流进出晶体管的主要区域。所述浅阱区203为浅掺杂区，具有一定的掺杂浓度，但是掺杂的深度较浅，则其具有较强的电流承载能力，可以承载较大的电流。所述衬底202为所述主体区201和浅阱区203的承载区域，即所述主体区201和浅阱区203是以衬底202为基础的。由上述方案可知，本申请提供的晶体管版图结构，包括主体区、衬底区和浅阱区，其中，所述主体区设置在所述浅阱区上，所述浅阱区设置在所述衬底区上。即在上述版图结构下的晶体管的主体结构被浅阱所包覆，与衬底是分离的。而所述浅阱是相对于深阱而言的，其同样具备一定浓度的掺杂，所述浅阱的导热能力较强，可以将晶体管主体结构产生的热量更好的传递给衬底，进而提高晶体管主体的散热能力。此外，浅阱的导电能力要强于传统的衬底，则所述晶体管对大电流的承载能力有所提闻。本申请另一实施例公开了另一种晶体管版图结构，如图3所示，包括体区、衬底区和浅阱区，其中，所述主体区设置在所述浅阱区上，所述浅阱区设置在所述衬底区上。其中，而所述浅阱是相对于深阱而言的，其同样具备一定浓度的掺杂，且本实施例中所述浅阱区为浅N注入阱。所述主体区包括栅极区311、公共区312、漏极区313、P注入阱314和深阱区315。所述栅极区311呈长条状，其内设置有多晶硅栅，并将所述公共区312和漏极区313隔开，所述漏极313内包括至少一个漏极接触孔30。所述公共区312位于两个栅极区311中间，且所述公共区312内包括两源极区3121和一衬底有源区3122。所述源极区3121内包括至少一个源极接触孔31，所述衬底有源区3122位于两源极区3121之间，与两源极区3121相连接，且所述衬底有源区3122内包括至少一个衬底接触孔32。所述P注入阱314位于所述深阱区315上(所述深阱区315为深N注入阱)，且所述公共区312位于P注入阱314内。由上述方案可知，本申请提供的晶体管版图结构，包括主体区、衬底区和浅阱区，其中，所述主体区设置在所述浅阱区上，所述浅阱区设置在所述衬底区上。即在上述版图结构下的晶体管的主体结构被浅阱所包覆，与衬底是分离的。所述浅阱的导热能力较强，可以将晶体管主体结构产生的热量更好的传递给衬底，进而提高晶体管主体的散热能力。此外，浅阱的导电能力要强于传统的衬底，则所述晶体管对大电流的承载能力有所提闻。进一步的，本申请实施例中，源极区和衬底有源区连接在一起，相邻的两个晶体管之间的衬底是裸露的，增大了晶体管的衬底接触。而且，本申请实施例中，连接在一起的源极区和衬底有源区被深阱区和P注入阱包覆，所述深阱区和P注入阱起到很好的隔离作用，器件的散热能力有了进一步的提高。本申请又一实施例公开了又一种晶体管版图结构，如图4所示，包括公共金属区401，所述公共金属区401呈哑铃状(中间窄，两端宽)，且位于公共区上，且所述公共金属区401内设置有公共金属层。漏端金属区402，所述漏端金属区402呈纺锤状(中间宽，两端窄)，且位于漏极区上，且所述漏端金属区402内设置有漏端金属层。第一电流通道金属区411，所述第一电流通道金属区411呈长条状，与所述公共金属区401和漏端金属区402相交叠，所述第一电流通道金属区411内设置有第一电流通道金属层，且所述第一电流通道金属区411与公共金属区401交叠的区域(公共金属区401两端较宽的位置)设置有至少一个第一通孔40，优选的，本实施例中所述第一电流通道金属区411与公共金属区401交叠的区域设置有四个第一通孔40，所述第一通孔40用于导通第一电流通道金属层和公共金属层；第二电流通道金属区412，所述第二电流通道金属区412呈长条状，与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管版图结构，其特征在于，包括主体区、衬底区和浅阱区，其中，所述主体区设置在所述浅阱区上，所述浅阱区设置在所述衬底区上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丛久滨，谢文刚，任民，
申请(专利权)人：成都国微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：