用于修改后的芯片设计的冗余填充方法技术

本发明专利技术提供一种用于修改后的芯片设计的冗余填充方法，所述冗余填充方法包括：将修改后的芯片设计的版图与用于修改前的芯片的冗余填充的版图合并以生成第一完整芯片版图，并对所述第一完整芯片版图进行设计规则检查；将所述第一完整芯片版图中违反设计规则的冗余去除，形成第二芯片版图；以及在所述第二芯片版图的更新区域重新插入冗余金属。本发明专利技术所提供的用于修改后的芯片设计的冗余填充方法基于先前的冗余填充方案，能够减少设计修改对原有冗余填充的改动，减少需要重出的光罩，从而降低成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种用于修改后的芯片设计的冗余填充(dummy fill)方法。
技术介绍
在制造工艺中，化学机械抛光(CMP)是一种用来实现晶圆平坦化的技术。虽然CMP具有良好的平坦化效果，但是由于下层版图图形密度的不均匀，会导致抛光后电介质厚度的变化不均匀。冗余填充是应用非常广泛的CMP平坦化增强技术。当修改一层或几层金属层的设计时，需要重出这一层或多层的金属/通孔的光罩(mask)，因此也需要对被修改层再次进行冗余填充。在现有的方案中，对被修改层的冗余填充是舍弃先前的冗余填充方案，对被修改层全部重新进行冗余填充，导致需要重出的光罩较多，成本较高。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供一种用于修改后的芯片设计的冗余填充方法，所述冗余填充方法包括：将修改后的芯片设计的版图与用于修改前的芯片的冗余填充的版图合并以生成第一完整芯片版图，并对所述第一完整芯片版图进行设计规则检查(Design RuleCheck,DRC)；将所述第一完整芯片版图中违反设计规则的冗余去除，形成第二芯片版图；以及在所述第二芯片版图的更新区域重新插入冗余金属。在本专利技术的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于修改后的芯片设计的冗余填充方法，其特征在于，所述冗余填充方法包括：将修改后的芯片设计的版图与用于修改前的芯片的冗余填充的版图合并以生成第一完整芯片版图，并对所述第一完整芯片版图进行设计规则检查；将所述第一完整芯片版图中违反设计规则的冗余去除，形成第二芯片版图；以及在所述第二芯片版图的更新区域重新插入冗余金属。

【技术特征摘要】
1.一种用于修改后的芯片设计的冗余填充方法，其特征在于，所述冗余填充方法包括：将修改后的芯片设计的版图与用于修改前的芯片的冗余填充的版图合并以生成第一完整芯片版图，并对所述第一完整芯片版图进行设计规则检查；将所述第一完整芯片版图中违反设计规则的冗余去除，形成第二芯片版图；以及在所述第二芯片版图的更新区域重新插入冗余金属。2.如权利要求1所述的冗余填充方法，其特征在于，所述冗余填充方法进一步包括：基于被修改层新插入的冗余金属与下层的原有冗余金属的重叠部分插入新的冗余金属穿孔。3.如权利要求1所述的冗余填充方法，其特征在于，所述冗余填充方法进一步包括：基于被修改层新插入的冗余金属与上层的原有冗余金属的重叠部分插入新的冗余金属穿孔。4.如权利要求1所述的冗余填充方法，其特征在于，所述冗余填...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜霖，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31