一种晶体管版图结构及芯片版图结构制造技术

本申请提供了一种晶体管版图结构及芯片版图结构，所述晶体管版图结构包括栅极区、源极区、漏极区和衬底区，栅极区、源极区和漏极区位于衬底区上，其中：所述栅极区呈环状，将所述源极区和所述漏极区隔开；所述漏极区位于所述栅极区的环状结构形成的内部空间，所述源极区位于所述栅极区的环状结构形成的外部空间。相对于现有的晶体管版图结构中，呈条状结构的栅极区，本申请实施例中，环状结构的晶体管栅极区，在所述栅极区总长度一定的前提下，环形的栅极区可大大减少所述栅极区所需要占据的面积，即相应的减少单个晶体管的面积，并减小了由晶体管集成的芯片的面积，有效降低了晶体管和由晶体管集成的芯片的成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体
，特别涉及一种晶体管版图结构及芯片版图结构。
技术介绍
目前，在电脑管理芯片的版图结构中，多个晶体管的源极叉指条和漏极叉指条相互交叉，如图I所示，在两个晶体管之间设置有一个公用接触孔的条状衬底。在这种芯片中，晶体管的栅极为条状结构，且晶体管的面积较大，晶体管和由晶体管集成的芯片的制作成本较高
技术实现思路
本申请所要解决的技术问题是提供一种晶体管版图结构及芯片版图结构，用以解决现有的晶体管版图结构面积较大，使得晶体管及芯片制作成本较大的技术问题，以及用以解决现有的晶体管版图结构中条状结构的栅极寄生电阻较大，延长晶体管和芯片的启动时间，进而降低晶体管和芯片的工作效率的技术问题。本申请提供了一种晶体管版图结构，包括栅极区、源极区、漏极区和衬底区，所述栅极区、所述源极区和所述漏极区位于所述衬底区上，其中所述栅极区呈环状，将所述源极区和所述漏极区隔开；所述漏极区位于所述栅极区的环状结构形成的内部空间，所述源极区位于所述栅极区的环状结构形成的外部空间。上述晶体管版图结构，优选地，还包括至少一个源极接触孔、至少一个漏极接触孔和至少一个衬底接触孔，所述源极接触孔位于所述源极区，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管版图结构，其特征在于，包括栅极区、源极区、漏极区和衬底区，所述栅极区、所述源极区和所述漏极区位于所述衬底区上，其中：所述栅极区呈环状，将所述源极区和所述漏极区隔开；所述漏极区位于所述栅极区的环状结构形成的内部空间，所述源极区位于所述栅极区的环状结构形成的外部空间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：雷军，谢文刚，任民，
申请(专利权)人：成都国微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：