【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置及其操作方法与应用电路，尤其涉及ー种用以实现无电池电子计时器的半导体装置及其操作方法与应用电路。
技术介绍
日本专利JP3959340提出ー种具有控制有效期(expiration)的电路的固态老化装置(Solid-State Aging Device, SSAD),其被提出作为集成电路的无电池电子计时器(Battery Less Electronic Timer, IBLET)。控制有效期的基本构想为抑制由于如图IA 图ID所示的异常电荷损失(anomalous charge loss)所造成的计时误差。在此以三个时间单元(time cell)为例，图IA 图ID所示的三个时间单元102、104以及106分别具有短、中、长等三个不同时间长度的生命期(life time)，其中在各个时间単元的生命期期间 端点Tl与端点T2之间有电流流过，且此三个时间单元并联于两端点(端点Tl与端点T2)之间。通过这些时间单元的电流依时间单元生命期长短的顺序而消失。在初始状态时(图1A)，电流可流过两端点之间的所有时间单元。而当三个时间单元中生命期最短的...
【技术保护点】
一种半导体装置，包括：一第一导电型半导体基底；一栅极介电层，形成于该第一导电型半导体基底上；一浮置门，形成于该栅极介电层上；一第二导电型井区，形成于该第一导电型半导体基底中；一第一导电型井区，形成于该第二导电型井区中；一第二导电型源极扩散层与一第二导电型漏极扩散层，分别形成于该浮置门两侧的该第一导电型半导体基底中，该第二导电型源极扩散层、该第二导电型漏极扩散层与该浮置门形成一第二导电型晶体管，且该第二导电型晶体管位于该第二导电型井区外；以及一第二导电型控制栅极扩散层，形成于该第一导电型井区中。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：白田理一郎，渡边浩志，
申请(专利权)人：财团法人交大思源基金会，
类型：发明
国别省市：
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