沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述沟槽栅型绝缘栅双极晶体管包括：漂移区；位于漂移区正面内的有效基区；位于漂移区正面内、有效基区两侧的沟槽栅；其中，所述沟槽栅包括：与有效基区相邻的有效沟槽栅和远离有效基区的无效沟槽栅。本发明专利技术所提供的沟槽栅型绝缘栅双极晶体管，通过增加其内沟槽栅的个数，进而增加了沟槽栅的总宽度，减小了有效基区宽度与单个元胞宽度之比，从而使得漂移区内的空穴浓度提高，最终导致电导调制效应增强，因此，可降低器件的导通电阻。再有，该沟槽栅型绝缘栅双极晶体管，还能减小电流密度，提高器件的短路安全工作区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制作工艺
，更具体地说，涉及一种。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管(InsulateGate Bipolar Transistor, IGBT),兼具电力晶体管(Giant Transistor, GTR)和场效应晶体管(MOSFET)的多项优点，具有良好的特性。其作为新型电力半导体器件的主要代表，被广泛应用于工业、信息、新能源、医学、交通、军事和航空等领域。最初发展的IGBT具有平面栅结构，后来出现了采用干法刻蚀工艺形成的沟槽栅 结构。沟槽栅结构相比平面栅结构而言，可改善IGBT器件的导通特性，降低导通电阻。参考图1，图I为现有技术中常见的一种沟槽栅型IGBT的结构示意图，该沟槽栅型IGBT包括漂移区I ;位于漂移区I正面内的基区2 ;位于基区2内的发射极区(或源区)3 ;位于漂移区I内、基区2两侧的栅区4 ;位于漂移区I背面依次排列的缓冲区6和集电极区(或称漏区)5。在该沟槽栅型IGBT中，由于所述栅区4的形成是以在漂移区I内形成沟槽为前提的，因此,这种结构称为沟槽栅型IGBT。上述沟槽栅型IGBT在高温状态下工作时，一方面，温度升高，载流子寿命增加，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沟槽栅型绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括：漂移区；位于漂移区正面内的有效基区；位于漂移区正面内、有效基区两侧的沟槽栅；其中，所述沟槽栅包括：与有效基区相邻的有效沟槽栅和远离有效基区的无效沟槽栅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵佳，朱阳军，卢烁今，孙宝刚，左小珍，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：