双极结型晶体管制造技术

本发明专利技术公开一种双极结型晶体管，其包括射极区、基极区、位于所述射极区与所述基极区之间的第一隔离区、位于所述第一隔离区上且与所述射极区至少部分的外围重叠的栅极、集极区、以及位于所述基极区与所述集极区之间的第二隔离区。本发明专利技术所公开的双极结型晶体管，通过在第一隔离区上设置栅极，对射极区而言，可减轻金属硅化物侵蚀主动区域边缘的现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于半导体组件领域，特别是有关于ー种双极结型晶体管。
技术介绍
已知，双极结型晶体管(bipolar junction transistor, BJT)可采用互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)相容エ序来形成，双极结型晶体管是模拟集成电路(如能隙參考电压电路)中的重要部件。这类电路通常对双极结型晶体管的基射极间电压(base-emitter voltage,Vbe)值及Vbe非匹配特性(mismatch)非常敏感。可惜的是，由于主动区域的边缘一般都会发生金属硅化物不均的现象，致使与先 前技术中CMOSェ序兼容的BJT结构无法控制其Vbe值，且其Vbe非匹配特性无法令人满意。上述的金属硅化物是形成在主动区域中，用来減少接触电阻。目前已发现金属硅化物在主动区域边缘的侵蚀现象会造成P+掺杂区/N井之间的接面漏电，因而导致差劲的Vbe非匹配性能。改善金属硅化物不均的方法之一是减少金属硅化物形成期间的钴厚度。然而，此方法对非金属硅化物电阻的电阻值有不好的影响。故此，目前业界中有需要提供改良的双极结型晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双极结型晶体管，包含有：射极区；基极区；第一隔离区，位于所述射极区与所述基极区之间；栅极，位于所述第一隔离区上，并且与所述射极区至少部分的外围重叠；集极区；以及第二隔离区，位于所述基极区与所述集极区之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：范盛宏，胡楚威，林建志，邱志钟，曾峥，曹卫立，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：