本发明专利技术公开了电路芯片领域内的一种超高频晶体管芯片，包括一块本征半导体硅片，本征半导体硅片表面通过硼离子注入，扩散形成N型收集区，所述N型收集区的表面经磷离子注入，扩散形成P型基区，所述P型基区表面经硼离子注入形成N型发射区，本发明专利技术具有良好的高频特性，结构简单，成本低廉，可用于高速卫星导航、无线微波传输中。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了电路芯片领域内的一种超高频晶体管芯片，包括一块本征半导体硅片，本征半导体硅片表面通过硼离子注入，扩散形成N型收集区，所述N型收集区的表面经磷离子注入，扩散形成P型基区，所述P型基区表面经硼离子注入形成N型发射区，本专利技术具有良好的高频特性，结构简单，成本低廉，可用于高速卫星导航、无线微波传输中。【专利说明】—种超局频晶体管芯片
本专利技术涉及一种电路芯片，特别涉及一种晶体管芯片。
技术介绍
国内半导体市场和产业继续了近几年的快速增长态势。伴随数字化信息产业的高 速发展，对半导体器件小型化、功率化、高频化的需求日益加强，特别是在高速卫星导航、无 线微波传输领域，对功放晶体管的频率要求高达25GHz，国家信息产业部对于贴片式高频器 件的研发给予了高度的重视，近几年都被列入国家、省市高新技术研究、科技攻关等项目指 南。由于项目产品的应用范围广，国内很多大学、科研机构及生产企业都进行过这方面的研 究，但始终不能形成成熟产品批量供应市场，高频晶体管芯片的特征频率&为3.2GHz，其不 足之处在于:国内无此产品批量供货，全部依赖进口。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术中超高频晶体管芯片全部依赖进口，成本较高，提 供一种超高频晶体管芯片，使得其高频特性好，结构简单，成本低廉。本专利技术的目的是这样实现的:一种超高频晶体管芯片，包括一块本征半导体硅片， 所述本征半导体硅片表面通过硼离子注入，扩散形成N型收集区，所述N型收集区的表面经 磷离子注入，扩散形成P型基区，所述P型基区表面经硼离子注入形成N型发射区。作为本专利技术的改进，所述P型基区设置有三块。作为本专利技术的改进，每一所述P型基区内均设置有三个条形N型发射区。作为本专利技术的改进，所述N型收集区为硼离子垂直注入形成。作为本专利技术的改进，所述P型基区为磷离子注入方向与水平方向呈60°注入形 成。作为本专利技术的改进，所述N型发射区为硼离子注入方向与水平方向呈30°注入形 成。作为本专利技术的改进，所述芯片的表面分别从N型收集区引出集电极C、从P型基区 引出基极B、从N型发射区引出发射极E。本专利技术中，通过使用本征半导体作为衬底，在衬底上方扩散形成N型收集区，在N 型收集区上方扩散形成的P型基区以及在P型基区上方扩散形成的N型发射区，所述的P 型基区设置成多个独立的条形基区，在各个独立基区上方扩散形成的多个N型发射区，分 别在表面引出的发射极、基极和集电极，与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于，本专利技术 具有良好的高频特性，结构简单，成本低廉。本专利技术可用于高速卫星导航、无线微波传输中。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术结构示意图。图2为本专利技术表面电极结构示意图。其中，IN型收集区，2P型基区，3N型发射区，4本征半导体硅片。【具体实施方式】如图1-2所示的一种超高频晶体管芯片，包括一块本征半导体硅片4，本征半导体 硅片4表面经硼离子注入，扩散形成N型收集区1，N型收集区I的表面经磷离子注入，扩 散形成三块P型基区2，每一 P型基区2表面均经硼离子注入形成三个条形N型发射区3， N型收集区I为硼离子垂直注入形成，P型基区2为磷离子注入方向与水平方向呈60°注 入形成，N型发射区3为硼离子注入方向与水平方向呈30°注入形成，芯片的表面分别从N 型收集区I引出集电极C、从P型基区2引出基极B、从N型发射区3引出发射极E。本专利技术并不局限于上述实施例，在本专利技术公开的技术方案的基础上，本领域的技 术人员根据所公开的
技术实现思路
，不需要创造性的劳动就可以对其中的一些技术特征作出一 些替换和变形，这些替换和变形均在本专利技术的保护范围内。【权利要求】1.一种超高频晶体管芯片，包括一块本征半导体硅片，其特征在于，所述本征半导体 硅片表面通过硼离子注入，扩散形成N型收集区，所述N型收集区的表面经磷离子注入，扩 散形成P型基区，所述P型基区表面经硼离子注入形成N型发射区。2.根据权利要求1所述的一种超高频晶体管芯片，其特征在于，所述P型基区设置有三块。3.根据权利要求2所述的一种超高频晶体管芯片，其特征在于，每一所述P型基区内 均设置有三个条形N型发射区。4.根据权利要求1-3中任一项所述的一种超高频晶体管芯片，其特征在于，所述N型 收集区为硼离子垂直注入形成。5.根据权利要求1-3中任一项所述的一种超高频晶体管芯片，其特征在于，所述P型 基区为磷离子注入方向与水平方向呈60°注入形成。6.根据权利要求1-3中任一项所述的一种超高频晶体管芯片，其特征在于，所述N型 发射区为硼离子注入方向与水平方向呈30°注入形成。7.根据权利要求1-3中任一项所述的一种超高频晶体管芯片，其特征在于，所述芯片 的表面分别从N型收集区引出集电极C、从P型基区引出基极B、从N型发射区引出发射极 E0【文档编号】H01L29/73GK103456776SQ201210182106【公开日】2013年12月18日 申请日期:2012年6月5日 优先权日:2012年6月5日 【专利技术者】高潮, 黄素娟 申请人:扬州江新电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种超高频晶体管芯片，包括一块本征半导体硅片，其特征在于，所述本征半导体硅片表面通过硼离子注入，扩散形成N型收集区，所述N型收集区的表面经磷离子注入，扩散形成P型基区，所述P型基区表面经硼离子注入形成N型发射区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高潮，黄素娟，
申请(专利权)人：扬州江新电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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