一种模拟/数模混合信号处理芯片的修调装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供的一种模拟/数模混合信号处理芯片的修调装置，装置设置于该芯片中，包括：当测量得到芯片的参数偏差之后，检测齐纳二极管阵列中各齐纳二极管状态的检测模块；依据当芯片的参数偏差和齐纳二极管状态生成的修调信号生成控制信号的控制器；依据接收到的工作模式选择信号确定为对应的工作模式，依据控制信号对齐纳二极管进行击穿或模拟击穿的齐纳二极管阵列模块。在芯片封装前不进行晶圆级的测试，在封装完成后，该修调装置依据测量得到的该芯片的参数偏差和齐纳二极管阵列的状态生成修调信号，对齐纳二极管阵列模块中的齐纳二极管进行击穿，以此细微的改变模拟信号参数，实现了对封装后的芯片进行修调，提高了芯片的合格率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于芯片领域，尤其涉及一种模拟/数模混合信号处理芯片的修调装置。
技术介绍
芯片(core plate)是指内含集成电路的硅片，体积很小，通常为计算机或其他设备的一部分。芯片的制作完整过程包括芯片设计、晶片设计、封装制作、成本测试等几个环节。 现有的模拟/数模混合芯片中，封装制作环节中的修调模拟电路单元通常采用金属熔丝、多晶硅熔丝。当芯片生产完成以后，通过晶圆级的测试结果来修调改变熔丝的闭合/熔断状态，以此细微的改变模拟信号参数。但是封装之后，修调后的电学性能参数会被封装应力的影响而再次发生变化，会导致芯片的性能受影响。随着对集成电路高性能指标的要求越来越高，集成电路面临高精度的要求日趋明显，芯片的某些电学性能参数发生变化，可能会使芯片中的集成电路的精度不能满足设计要求而导致该芯片报废。而现有的修调模拟电路单元采用的金属熔丝和多晶硅熔丝由于在修调过程中已经熔断，因此在封装后，无法继续对芯片的发生变化的某些电学性能参数进行修调，使得芯片的合格率降低。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种模拟/数模混合芯片的修调装置，通过该装置能够对封装后的芯片进行修调，使其的电学性能满足设计要求，提高芯片的合格率。一种模拟/数模混合信号处理芯片的修调装置，所述装置设置于所述芯片中，包括当测量得到所述芯片的参数偏差之后，检测齐纳二极管阵列中各齐纳二极管状态的检测模块；与所述检测模块相连，依据当所述芯片的参数偏差和所述齐纳二极管状态为全部未击穿时生成的第一修调信号生成第一控制信号，或依据当所述芯片的参数偏差和所述齐纳二极管状态为部分击穿时生成的第二修调信号生成第二控制信号的控制器；分别与所述控制器和所述检测模块相连，依据接收到的第一工作模式选择信号确定为第一工作模式，依据所述第一控制信号对齐纳二极管阵列中的齐纳二极管分别进行击穿修调，或者，依据接收到的第二工作模式选择信号确定为第二工作模式，依据所述第二控制信号对所述齐纳二极管进行模拟击穿，当所述模拟击穿结果满足第一预设条件时，依据接收到的第一工作模式选择信号确定为第一工作模式，并依据所述第二控制信号对齐纳二极管阵列中的齐纳二极管分别进行击穿修调的齐纳二极管阵列模块。上述的修调装置，优选的，还包括分别与所述检测模块和所述齐纳二极管阵列模块相连，对所述齐纳二极管阵列模块在第二工作模式下的模拟击穿结果进行读取，以及当所述模拟击穿结果满足第一预设条件时，对所述齐纳二极管阵列模块在第一工作模式下的击穿结果进行读取的读取模块；与所述读取模块相连，当所述读取模块分别读取的所述模拟击穿结果与所述击穿结果满足第二预设条件时，判定所述修调结束，否则，判定所述修调未结束，并将所述修调未结束的判定结果传输至所述检测模块使得所述检测模块检测齐纳二极管阵列中各齐纳二极管状态的判断模块。上述的修调装置，优选的，所述齐纳二极管阵列模块包括接收第一工作模式选择信号或第二工作模式选择信号的第一接收端口 ； 与所述第一接收端口相连，依据所述第一接收端口接收的第一工作模式选择信号确定所述齐纳二极管阵列模块为第一工作模式，或依据所述第一接收端口接收的第二工作模式选择信号确定所述齐纳二极管阵列模块为第二工作模式的工作模式选择器；当所述齐纳二极管阵列模块的工作模式为第一工作模式时，接收控制器发送的第一控制信号；当所述齐纳二极管阵列模块的工作模式为第二工作模式时，接收控制器发送的第二控制信号，当所述模拟击穿结果满足第一预设条件，所述齐纳二极管阵列模块的工作模式为第一工作模式时，接收控制器发送的第二控制信号的第二接收端口 ；分别与所述工作模式选择器和所述第二接收端口相连，当所述齐纳二极管状态为部分击穿时，依据所述第二控制信号对所述齐纳二极管进行模拟击穿的数据寄存器；分别与所述工作模式选择器和所述第二接收端口相连，当所述齐纳二极管状态为全部未击穿时，依据所述第一控制信号对齐纳二极管分别进行击穿修调；当所述齐纳二极管状态为部分击穿时，当数据寄存器中的所述模拟击穿结果满足第一预设条件时，依据所述第二控制信号对齐纳二极管分别进行击穿修调的齐纳二极管阵列。上述的修调装置，优选的，所述齐纳二极管阵列模块还包括分别与所述数据寄存器和所述齐纳二极管阵列相连，分别对进行修调时所述数据寄存器和所述齐纳二极管阵列得到的修调结果信号进行串行输出的串行输出端口。上述的修调装置，优选的，还包括与所述检测模块相连，将所述检测模块对所述齐纳二极管阵列的各齐纳二极管状态的检测结果进行输出的并行输出端口。上述的修调装置，优选的，还包括分别与所述控制器和所述齐纳二极管阵列模块相连的电源；分别与所述控制器和所述齐纳二极管阵列模块相连的装置接地端。上述的修调装置，优选的，还包括分别与所述电源、所述控制器的接电源端和所述齐纳二极管阵列模块的接电源端相连的第一静电保护电路；分别与所述装置接地端、所述控制器的接地端和所述齐纳二极管阵列模块的接地端相连的第二静电保护电路。本技术提供的一种模拟/数模混合信号处理芯片的修调装置，所述装置设置于该芯片中，包括当测量得到芯片的参数偏差之后，检测齐纳二极管阵列中各齐纳二极管状态的检测模块；依据当芯片的参数偏差和齐纳二极管状态生成的修调信号生成控制信号的控制器；依据接收到的工作模式选择信号确定为对应的工作模式，依据控制信号对齐纳二极管进行击穿或模拟击穿的齐纳二极管阵列模块。在芯片封装前不进行晶圆级的测试，在封装完成后，该修调装置依据测量得到的该芯片的参数偏差和齐纳二极管阵列的状态生成修调信号，对齐纳二极管阵列模块中的齐纳二极管进行击穿，以此细微的改变模拟信号参数，实现了对封装后的芯片进行修调，提高了芯片的合格率。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I是本技术提供的一种模拟/数模混合芯片的调修装置实施例I的结构示 意图；图2是本技术提供的一种模拟/数模混合芯片的调修装置实施例I的一具体结构示意图；图3是本技术提供的一种模拟/数模混合芯片的调修装置实施例I的另一种结构示意图；图4是本技术提供的一种模拟/数模混合芯片的调修装置实施例2的结构示意图；图5是本技术提供的一种模拟/数模混合芯片的调修装置实施例3的结构示意图；图6是本技术提供的一种模拟/数模混合信号处理芯片的修调装置的具体使用场景；图7是本技术提供的一种模拟/数模混合信号处理芯片的修调装置的具体使用场景中并行读取模式下的逻辑时序波形图；图8是本技术提供的一种模拟/数模混合信号处理芯片的修调装置的具体使用场景中第一工作模式下的逻辑时序波形图；图9是本技术提供的一种模拟/数模混合信号处理芯片的修调装置的具体使用场景中第二工作模式下的一种逻辑时序波形图；图10是本技术提供的一种模拟/数模混合信号处理芯片的修调装置的具体使用场景中第二工作模式下的另一种逻辑时序波形图；图11是本技术提供的一种模拟/数模混合信号处理芯片的修调装置的具体使用场景中串行读取模式下的逻辑时序波形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种模拟/数模混合信号处理芯片的修调装置，其特征在于，所述装置设置于所述芯片中，包括：当测量得到所述芯片的参数偏差之后，检测齐纳二极管阵列中各齐纳二极管状态的检测模块；与所述检测模块相连，依据当所述芯片的参数偏差和所述齐纳二极管状态为全部未击穿时生成的第一修调信号生成第一控制信号，或依据当所述芯片的参数偏差和所述齐纳二极管状态为部分击穿时生成的第二修调信号生成第二控制信号的控制器；分别与所述控制器和所述检测模块相连，依据接收到的第一工作模式选择信号确定为第一工作模式，依据所述第一控制信号对齐纳二极管阵列中的齐纳二极管分别进行击穿修调，或者，依据接收到的第二工作模式选择信号确定为第二工作模式，依据所述第二控制信号对所述齐纳二极管进行模拟击穿，当所述模拟击穿结果满足第一预设条件时，依据接收到的第一工作模式选择信号确定为第一工作模式，并依据所述第二控制信号对齐纳二极管阵列中的齐纳二极管分别进行击穿修调的齐纳二极管阵列模块。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐敏，谢文刚，任民，
申请(专利权)人：成都国微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：