沟槽多晶硅过腐蚀台阶测试图形及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种用于沟槽多晶硅过腐蚀台阶测试的测试图形，所述测试图形是被形成在衬底上的沟槽，所述沟槽包括底面和从所述底面延伸出的两个侧面，所述沟槽是以使其纵长方向与晶片划片槽的纵长方向形成非90?的预定角度的方式形成在所述衬底上的。本发明专利技术的测试图形，可在不改变沟槽宽度的情况下，延长台阶扫描设备的扫描长度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体生产工艺方法，尤其涉及多晶硅回刻技术。
技术介绍
在沟槽填充工艺中，获得多晶硅(POLY)回刻后沟槽的台阶深度等参数，对于比如沟槽功率场效应管(TRENCH POWER M0S)等电子器件的制程监控至关重要。获得台阶深度的做法之一是切片。具体来说，就是从多个晶圆(wafer)中拿出一个，沿与沟槽垂直的方向将其切开，再通过显微镜等相关仪器获得沟槽的深度。另一个常规做法是通过监测测试图形实现。简单地说，是在制造过程中相对于正常制造区域形成测试区域。该测试区域具有与正常制造区域相同的沟槽，通过测试测试区 域中该沟槽的相关参数(比如深度)来获得所需要的参数。测试图形，亦即凹槽的宽度如果太小，则可能无法使台阶仪获得正确的扫描参数，太宽又可能因多晶硅在凹槽内的填充特性造成侧壁高而中间低无法获取正确的结果。因此，受测试图形宽度的限制，当前的测试图形无法太宽，却又在当前宽度下有可能使台阶仪未获得正确的扫描参数。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种用于沟槽多晶硅过腐蚀台阶测试的测试图形，以有效解决上述问题。根据本专利技术，所述测试图形是被形成在衬底上的沟槽，所述沟槽包括底面和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于沟槽多晶硅过腐蚀台阶测试的测试图形，所述测试图形是被形成在衬底上的沟槽，所述沟槽包括底面和自底面延伸出的两个侧面，其特征在于，所述沟槽是以使其纵长方向与晶片划片槽的纵长方向形成非90o的预定角度的方式形成在所述衬底上的。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卞铮，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：