划片槽内的射频测试图形结构制造技术

本发明专利技术公开了一种划片槽内的射频测试图形结构，五个射频压焊块按照“地”—“信号1”—“地”—“信号2”—“地”的顺序沿着划片槽长度方向排放在一条直线上；其中三个接地的压焊块由田字形的金属布线相互连接，该田字形的金属布线属于硅片的第一层金属；由三个接地的压焊块和田字形金属布线所组成的接地结构、接“信号1”的压焊块、接“信号2”的压焊块三者之间由射频器件相互连接，其金属连线属于硅片的最顶层金属或通孔金属电极。本发明专利技术还公开了与之对应的用于去嵌的“开路”和“短路”射频测试图形结构。本发明专利技术不仅能充分兼容划片槽的结构尺寸要求，而且能满足在线全晶圆射频测试监控的需求。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件的射频测试图形的设计方法
技术介绍
请参阅图1，在一片硅片(晶圆)10上同时制作有多个芯片(管芯)11，硅片制造过程中有一步“划片”(分片)就是将一片硅片10分割为多个芯片11。为此，在相邻的芯片11之间必须留有一定的距离，这 个距离就是划片槽12 (scribe line)。在硅片制造过程中有一种类型的电学测试称为在线参数测试(也称硅片电学测试,wafer electrical test,WET),是对娃片上的测试图形结构进行的电学测试。这种测试图形结构通常放在独立芯片之间的划片槽内。为了有效地分析缺陷、提高产品的成品率，越来越多的射频集成电路产品需要进行射频器件在线(in-line)全映射(full-mapping)射频测试监控。请参阅图2,这是一种传统的射频测试图形，包含两部分待测的半导体射频器件结构21和为射频探针的放置而设计的去嵌(de-embedding)结构22。半导体射频器件的准确的射频参数，应为测得的射频测试总图形的射频参数减去去嵌结构的射频参数的影响。这种传统的射频测试图形占用面积较大，目前硅片上的划片槽宽度一般要求小于80微米，图2所示的射频测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种划片槽内的射频测试图形结构，其特征是，所述射频测试图形结构为：五个射频压焊块按照“地”——“信号1”——“地”——“信号2”——“地”的顺序沿着划片槽长度方向排放在一条直线上；其中三个接地的压焊块由田字形的金属布线相互连接，该田字形的金属布线属于硅片的第一层金属；由三个接地的压焊块和田字形金属布线所组成的接地结构、接“信号1”的压焊块、接“信号2”的压焊块三者之间由射频器件相互连接，其金属连线属于硅片的最顶层金属或通孔金属电极。

【技术特征摘要】
1.一种划片槽内的射频测试图形结构，其特征是，所述射频测试图形结构为五个射频压焊块按照“地”一“信号I” 一 “地”一“信号2” 一 “地”的顺序沿着划片槽长度方向排放在一条直线上； 其中三个接地的压焊块由田字形的金属布线相互连接，该田字形的金属布线属于硅片的第一层金属； 由三个接地的压焊块和田字形金属布线所组成的接地结构、接“信号I”的压焊块、接“信号2”的压焊块三者之间由射频器件相互连接，其金属连线属于硅片的最顶层金属或通孔金属电极。2.根据权利要求I所述的划片槽内的射频测试图形结构，其特征是，在划片槽的长度方向上，相邻的射频压焊块的中心点相距100微米。3.根据权利要求I所述的划片槽内的射频测试图形结构，其特征是，在划片槽的宽度方向上，每个射频压焊块的边长下限为30微米，上限为划片槽的宽度。4.根据权利要求I所述的划片槽内的射频测试图形结构，其特征是，所述射频器件包括双极晶体管、射频MOS晶体管、电感、电容。5.根据权利要求I所述的划片槽内的射频测试...

【专利技术属性】
技术研发人员：周天舒，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：