【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种全面式硅外延工艺光刻对准标记的结构及其制作方法。
技术介绍
全面式硅外延工艺指的是在半导体表面存在半导体区域和介质膜区域,硅外延工艺在半导体区域生长硅单晶,在介质膜区域生长硅多晶或硅非晶。常规的全面式硅外延工艺光刻对准标记的制作方法为(参见图1):(1)在硅衬底11上生长介质膜12,如图1 (a)所示;(2)刻蚀出光刻对准沟槽13,如图1 (b)所示;(3)刻蚀出单晶窗口 14,如图1 (c)所示;(4)全面式硅外延生长,在介质膜12表面生长硅多晶(或硅非晶)15,在单晶窗口 14生长硅单晶16,如图1 (d)所示。由于外延的生长速率比较快(一般每分钟生长1.0微米左右),且全面式硅外延的生长厚度一般比较厚,因此,外延生长后,光刻对准标记常常会变形比较严重,如图1 (d)所示,光刻对准沟槽13几乎完全被填满,光刻对准标记17几乎消失,这会导致后续对准困难。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题之一是提供一种全面式硅外延工艺光刻对准标记的制作方法,它可以解决外延生长后,光刻对准标记变形、消失的问题。为解决上述技术问题,本专利技术的全面式硅外延工艺光刻对准标记的制作方法,包括以下步骤:I)在娃衬底上依次生长第一介质膜和第二介质膜;其中,第一介质膜为能够阻挡娃晶体生长的膜层;第二介质膜为能够阻挡第一介质膜在其表面生长的膜层;2)在预定的光刻对准区域刻蚀出光刻对准窗口和光刻对准沟槽;3)在光刻对准窗口和光刻对准沟槽的表面生长第一介质膜;4)在预定区域刻蚀出硅单晶窗口;5)全面式硅外延生长,在第二介质 ...
【技术保护点】
一种全面式硅外延工艺光刻对准标记的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在硅衬底上依次生长第一介质膜和第二介质膜;其中,第一介质膜为能够阻挡硅晶体生长的膜层;第二介质膜为能够阻挡第一介质膜在其表面生长的膜层;2)在预定的光刻对准区域刻蚀出光刻对准窗口和光刻对准沟槽;3)在光刻对准窗口和光刻对准沟槽的表面生长第一介质膜;4)在预定区域刻蚀出硅单晶窗口;5)全面式硅外延生长,在第二介质膜上生长硅多晶或硅非晶,在硅单晶窗口生长硅单晶,在光刻对准区域不生长硅晶体。
【技术特征摘要】
1.一种全面式硅外延工艺光刻对准标记的制作方法,其特征在于,包括以下步骤: 1)在娃衬底上依次生长第一介质膜和第二介质膜;其中,第一介质膜为能够阻挡娃晶体生长的膜层;第二介质膜为能够阻挡第一介质膜在其表面生长的膜层; 2)在预定的光刻对准区域刻蚀出光刻对准窗口和光刻对准沟槽; 3)在光刻对准窗口和光刻对准沟槽的表面生长第一介质膜; 4)在预定区域刻蚀出硅单晶窗口; 5)全面式硅外延生长,在第二介质膜上生长硅多晶或硅非晶,在硅单晶窗口生长硅单晶,在光刻对准区域不生长硅晶体。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一介质膜为氧化硅膜,第二介质膜为氮化硅膜。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一介质膜和第二介质膜的厚度为0.0l ?10 μ mD4.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,采用热氧化方法或化学气相沉积方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘继全,高杏,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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