用于UV处理、化学处理及沉积的设备与方法技术

本发明专利技术的实施例提供用于在相同腔室中执行UV处理与化学处理和/或沉积的设备与方法。本发明专利技术的一个实施例提供一种处理腔室，所述处理腔室包括：可透过UV光的气体分配喷头，所述可透过UV光的气体分配喷头设置在基板支撑件上方，所述基板支撑件位于所述处理腔室的内部空间中；可透过UV光的窗口，所述可透过UV光的窗口设置在所述可透过UV光的气体分配喷头上方；及UV单元，所述UV单元设置在所述内部空间外面。所述UV单元配置为将UV光朝向所述基板支撑件而引导通过所述可透过UV光的窗口与所述可透过UV光的气体分配喷头。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术的实施例提供用于在相同腔室中执行UV处理与化学处理和/或沉积的设备与方法。本专利技术的一个实施例提供一种处理腔室，所述处理腔室包括：可透过UV光的气体分配喷头，所述可透过UV光的气体分配喷头设置在基板支撑件上方，所述基板支撑件位于所述处理腔室的内部空间中；可透过UV光的窗口，所述可透过UV光的窗口设置在所述可透过UV光的气体分配喷头上方；及UV单元，所述UV单元设置在所述内部空间外面。所述UV单元配置为将UV光朝向所述基板支撑件而引导通过所述可透过UV光的窗口与所述可透过UV光的气体分配喷头。【专利说明】用于UV处理、化学处理及沉积的设备与方法
本专利技术的实施例大体上关于用于在半导体基板上制造器件的方法与设备。更具体地，本专利技术的实施例提供用于在相同腔室中执行UV处理与化学处理和/或沉积的设备与方法。
技术介绍
随着电子器件尺寸的缩小，具有低介电常数(k)的新材料(诸如具有低达2.2的介电数值的材料)被用来形成电子器件。经等离子体沉积的多孔低k膜是能够满足此需求的一类材料。对低介电数值具有贡献的孔隙与碳的存在形成了巨大的工艺集成挑战，这是因为孔隙容易遭受蚀刻、灰化和等离子体损坏。所以，在形成之后和/或在集成之后，通常需要k修复工艺(k-restorationprocess)以修复多孔低k膜。传统上，需要两个不同的腔室以用于k修复。一个腔室用于低k膜的化学处理(诸如硅烷化)，或用于低k膜的表面处理的薄膜的沉积。不同的腔室被用于使用uv(紫外线)固化的孔隙密封。传统的k修复在分开的腔室中执行，这是因为化学表面处理使用喷头来供应包括有卤素或臭氧的处理气体，而UV腔室使用通常与卤素和臭氧不相容的石英窗口。然而，所述两个腔室k修复工艺会因为需要两个腔室与额外的用于基板传送的时间而增加所有权成本(cost of ownership)。所以，需要一种改进的用于k修复工艺的设备与方法。
技术实现思路
本专利技术的实施例大体上提供用于处理基板的设备与方法。特别地，本专利技术的实施例提供能够执行UV处理以及化学或表面处理的处理腔室。本专利技术的一个实施例提供一种处理腔室。所述处理腔室包含:腔室主体，所述腔室主体界定内部空间；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述内部空间中；及可透过UV光的(UV transparent)气体分配喷头,所述可透过UV光的气体分配喷头设置在所述基板支撑件上方。所述处理腔室还包含:可透过UV光的窗口，所述可透过UV光的窗口设置在所述可透过UV光的气体分配喷头上方。气体空间被形成在所述可透过UV光的气体分配喷头与所述可透过UV光的窗口之间。所述气体空间与所述内部空间透过被形成通过所述可透过UV光的气体分配喷头的多个通孔而流体连通。所述处理腔室还包含:UV单元，所述UV单元设置在所述内部空间外面。所述UV单元配置为将UV光朝向所述基板支撑件引导而通过所述可透过UV光的窗口与所述可透过UV光的气体分配喷头。本专利技术的另一个实施例提供一种处理系统。所述处理系统包含:传送腔室，所述传送腔室界定传送空间；基板传送机械手，所述基板传送机械手设置在所述传送空间中；及处理腔室，所述处理腔室耦接到所述传送腔室。所述处理腔室包含:腔室主体，所述腔室主体界定内部空间；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述内部空间中；及可透过UV光的气体分配喷头，所述可透过UV光的气体分配喷头设置在所述基板支撑件上方。所述处理腔室还包含:可透过UV光的窗口，所述可透过UV光的窗口设置在所述可透过UV光的气体分配喷头上方。在所述可透过UV光的气体分配喷头与所述可透过UV光的窗口之间形成有气体空间。所述气体空间与所述内部空间透过被形成通过所述可透过UV光的气体分配喷头的多个通孔而流体连通。所述处理腔室还包含:uv单元，所述UV单元设置在所述可透过UV光的窗口外面。所述UV单元配置为将UV光朝向所述基板支撑件弓I导而通过所述可透过UV光的窗口与所述可透过UV光的气体分配喷头。本专利技术的又一个实施例提供一种用于处理基板的方法。所述方法包含:在基板支撑件上接收基板，所述基板支撑件设置在处理腔室中。所述处理腔室包含:可透过UV光的气体分配喷头，所述可透过UV光的气体分配喷头设置在所述基板支撑件上方；可透过UV光的窗口，所述可透过UV光的窗口设置在所述可透过UV光的气体分配喷头上方；及UV单元，所述UV单元设置在所述可透过UV光的窗口外面。所述UV单元配置为将UV光朝向所述基板支撑件引导而通过所述可透过UV光的窗口与所述可透过UV光的气体分配喷头。所述方法还包含:通过使一种或更多种处理气体从气体空间流动通过所述可透过UV光的气体分配喷头，从而化学地处理所述基板，所述气体空间被界定在所述可透过UV光的窗口与所述可透过UV光的气体分配喷头之间；及通过将UV能量从所述UV单元朝向所述基板弓I导而通过所述可透过UV光的气体分配喷头与所述可透过UV光的窗口，从而固化所述基板。【专利附图】【附图说明】可通过参考本专利技术的实施例来对本专利技术作更具体的描述，从而详细了解本专利技术的上述特征，本专利技术的上述特征在前面简短地概述过，其中一些实施例在附图中示出。但是应注意的是，附图仅示出本专利技术的典型实施例，并且因此附图不应被视为会对本专利技术的范围构成限制，这是因为本专利技术可允许其它等效实施例。图1是根据本专利技术的一个实施例的处理腔室的示意剖视图。图2是图1的处理腔室的示意俯视图，其中UV单元与窗口被移除。图3A是根据本专利技术的一个实施例的夹持构件的示意性部分透视图，此图示出气体通道。图3B是图3A的夹持构件的示意性部分剖视图。图4是喷头夹持组件的部分剖视图，所述喷头夹持组件包括用于气体流动的充气增压室。图5A是根据本专利技术的一个实施例的可透过UV光的喷头的部分剖视图。图5B是根据本专利技术的一个实施例的可透过UV光的窗口的部分剖视图。图6是根据本专利技术的一个实施例的双空间处理腔室的剖视图。图7是图6的双空间处理腔室的俯视图。图8是根据本专利技术的一个实施例的处理系统的示意平面图。图9是示出用于根据本专利技术的一个实施例处理基板的方法的图。为便于理解，已尽可能地使用相同的附图标记来表示所述这些附图所共有的相同元件。可预期，一个实施例中公开的元件可有利地被应用到其它实施例而不需详述。【具体实施方式】本专利技术的实施例大体上关于用于处理基板的设备。更具体地，本专利技术的实施例提供用以于在相同腔室中执行UV处理与化学处理和/或沉积的设备与方法。图1是根据本专利技术的一个实施例的处理腔室100的示意剖视图。处理腔室100配置为使用UV能量、一种或更多种处理气体以及远程产生的等离子体来处理基板。处理腔室100包括腔室主体102与设置在腔室主体上方的腔室盖104。腔室主体102与腔室盖104形成内部空间106。基板支撑组件108设置在内部空间106中。基板支撑组件108接收并支撑在基板支撑组件108上的基板110，以用于处理。可透过UV光的气体分配喷头116通过上夹持构件118与下夹持构件120透过腔室盖104的中央开口 112而被悬置在内部空间106中。可透过UV光的气体分配喷头116定位成面对基板支撑组件108，以在整个处理空间122分配一种或更多种处理气体，其中处理空间122位于可透过UV光的气体分配喷头116本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·班塞尔，D·R·杜鲍斯，J·C·罗查阿尔瓦雷斯，S·巴录佳，S·A·亨德里克森，T·诺瓦克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：