The invention relates to a method for manufacturing an epitaxial wafer. The technical process is that a monolithic atmospheric silicon epitaxial device is adopted, and a suitable H is first selected
【技术实现步骤摘要】
一种硅外延片的制造方法
本专利技术涉及硅外延片,即一种超薄层低阻外延片的制造方法。
技术介绍
以SiHCl3为硅源的单片常压外延设备,其生长速率往往大于2μm/min,而针对外延层厚度小于2μm的8英寸超薄层外延,其较快的生长速率导致外延层厚度均匀性差,外延层和衬底的过渡区较宽,减少了外延层的有效厚度,无法满足器件端的需求(器件端需求的理论纵向电阻率分布图如图2所示)。目前针对8英寸硅外延产品小于2μm的薄层外延常采用减压外延或更换其它硅源如硅烷(SiH4),这些都需要额外增加生产成本,同时降低了常压外延设备的兼容性。综上所述,有必要设计一种针对微型液压驱动系统的快速高精度的控制方法。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题,依据外延工艺自掺杂效应的产生机理、抑制方法以及固态扩散理论,本专利技术提出了一种新型的外延片的制造方法,与常规外延方法相比较,能够优化外延层厚度和电阻率均匀性,优化衬底和外延层的过渡区宽度。为达到上述目的,本专利技术可采用如下技术方案:一种硅外延片的制造方法,包括以下步骤:(1)、对基座进行HC1高温处理,去除基座上残余的反应物,并淀积一层本征多晶硅;(2)、冷却基座后载入衬底硅片(3)、进行硅片烘烤(4)、第一层外延生长:在衬底表面生长一层本征层,对衬底表面进行包封;(5)、第二层外延生长:第二层外延生长时将HCl和TCS同时通入,其中通入0.5-1slm流量的HCl、2-5g流量的TCS和120-180slm流量的H2。有益效果:本专利技术的外延片的制造方法,与常规外延方法相比较,能够优化8英寸超薄外延层厚度和电阻率均匀性,优化衬底和 ...
【技术保护点】
一种硅外延片的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)、对基座进行HC1高温处理,去除基座上残余的反应物,并淀积一层本征多晶硅;(2)、冷却基座后载入衬底硅片(3)、进行硅片烘烤(4)、第一层外延生长:在衬底表面生长一层本征层,对衬底表面进行包封;(5)、第二层外延生长:第二层外延生长时将HCl和TCS同时通入,其中通入0.5‑1slm流量的HCl、2‑5g流量的TCS和120‑180slm流量的H2。
【技术特征摘要】
1.一种硅外延片的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)、对基座进行HC1高温处理,去除基座上残余的反应物,并淀积一层本征多晶硅;(2)、冷却基座后载入衬底硅片(3)、进行硅片烘烤(4)、第一层外延生长:在衬底表面生长一层本征层,对衬底表面进行包封;(5)、第二层外延生长:第二层外延生长时将HCl和TCS同时通入,其中通入0.5-1slm流量的HCl、2-5g流量的TCS和120-180slm流量的H2。2.根据权利要求1所述的硅外延片的制造方法,其特征在于,步骤(2)中,冷却基座至850℃。3.根据权利要求1所述的硅外延片的制造方法,其特征在于,步骤(3)中,烘烤温度1150-1180℃,烘烤的时间40秒,烘烤H2流量120-180slm。4.根据权利要求1或2或3所述的硅外延片的制造方法,其特征在于第一层外延生长时选择合适的外延条件是:烘...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘勇,金龙,谭卫东,
申请(专利权)人:南京国盛电子有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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