一种8英寸高压FRD元器件用外延片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种8英寸高压FRD元器件用外延片的制备方法。通过选用特定低氧含量的8英寸硅片作为衬底，使得外延生长得到的高压FRD元器件有着良好的电性参数一致性；在外延生长前对衬底进行高温烘烤处理，有效降低了衬底的自掺杂效应，减少了外延层受到衬底自掺杂效应的影响，获得的外延片性能更好；采用双层外延的工艺方法，且在缓冲层和外延层的生长过程中，采用了相同的生长温度和生长速率，增加了批量生产过程中参数的可控性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料制造领域，具体涉及一种8英寸高压frd元器件用外延片的制备方法。

技术介绍

1、快恢复二极管(frd)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、pwm脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管属于pin结型二极管，即在p型硅材料与n型硅材料中间增加了基区i，构成pin硅片。

2、8英寸高压frd元器件用外延片现存的制造困难点在于：生长厚度较厚，已接近行业内普遍使用的外延设备(pe3061)的生长上限；多层参数生长，导致参数较难控制；外延生长时重掺衬底在高温下会使外延片产生严重的自掺杂效应，导致外延片内电性参数一致性受到严重影响。

技术实现思路

1、专利技术目的：本专利技术的目的是提供一种既能保证批量生产可控性又能提高产品质量的8英寸高压frd元器件用外延片的制备方法。

2、技术方案：一种8英寸高压frd元器件用外延片的制备方法，包括以下步骤：

3、(1)预备衬底片：选本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种8英寸高压FRD元器件用外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述8英寸硅片的电阻率为0.003-0.004Ω·cm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，通入H2的流量为180～220slm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，外延炉的温度为1080～1110℃。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，烘烤的时间为8-10min。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(...

【技术特征摘要】

1.一种8英寸高压frd元器件用外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述8英寸硅片的电阻率为0.003-0.004ω·cm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，通入h2的流量为180～220slm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，外延炉的温度为1080～1110℃。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，烘烤的时间为8-10min。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯亮，魏建宇，马梦杰，邓雪华，
申请(专利权)人：南京国盛电子有限公司，
类型：发明
国别省市：