温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种8英寸高压FRD元器件用外延片的制备方法。通过选用特定低氧含量的8英寸硅片作为衬底，使得外延生长得到的高压FRD元器件有着良好的电性参数一致性；在外延生长前对衬底进行高温烘烤处理，有效降低了衬底的自掺杂效应，减少了外延层受到...
该专利属于南京国盛电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京国盛电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。