本技术提供一种外延设备机械手的安装治具，属于半导体外延设备技术领域。本技术外延设备机械手的安装治具包括带有凹槽的横杆和设置在横杆两端的若干定位脚，该结构可实现长距离多点定位，在标定两侧机械手臂齐平位置时更精确，且不受机械手根部形状限制，...

本技术涉及晶圆加工设备装配技术领域，具体为一种单片式外延平台的多尺寸晶圆复用升降支撑轴。本技术多尺寸晶圆复用升降支撑轴包括主轴、3个承载臂、9个立柱、9个承载平台，主轴为空心圆柱体，承载臂均匀设置在主轴外圈顶部，自主轴顶部倾斜向上和向外...

本发明提供一种超薄层反型高阻硅外延片的制备方法，在N型衬底上先生长一层高浓度P型缓冲阻挡层，再生长电阻率较高的P型外延层，防止衬底高浓度N型掺杂扩散至外延层，相比常规工艺的高纯缓冲层，可有效避免自掺杂效应对高电阻率外延层的影响，从而得到...

本发明提供一种厚层FRD外延片制备方法，在外延层生长过程中采用多次升温‑降温工艺，有效释放硅外延片的应力，生产的厚层FRD产品(厚度＞100μm)裂片率降至0.1％以下，其余参数均满足FRD器件的性能指标要求，保证了产品的质量和生产的稳...

本发明提供一种外延片C‑V测试前处理方法，使用KIO3溶液替代现有技术中高温下稳定性差的过氧化氢和成本较高的碘化银试剂，作为新的外延片C‑V测试前处理用钝化试剂，在钝化效果满足工艺要求的前提下，兼具成本低廉，环境友好的优点，并且可以满足...

本发明提供一种减少重掺杂8英寸衬底外延片背面晶点缺陷的外延方法。通过在外延生长前对反应腔内基座进行预先包硅处理，在基座表面生长薄层硅，对重掺杂8英寸衬底背面起到保护作用，在外延过程中减少了反应气体的渗入，有效的改善了带有背封膜结构的重掺...

本技术公开了一种降低外延片滑片程度的基座，包括基座和开设于基座上的若干片坑，所述片坑底部为弧面，其特征在于，所述片坑底部的外圆周上设有若干等距离分布的支点，用于支撑外延片。通过支点的支撑作用，将外延片与片坑的接触方式由线接触改为近似点接...

本技术公开了一种改善硅片表面压伤的吸盘，在现有吸盘结构的基础上，在吸盘上表面开有若干位于同一圆周上等距离分布的调节通孔，用于调节抽真空时吸盘与硅片之间的气体与外界气体流动；所述调节通孔与吸盘上表面呈一定角度，避免在抽真空时将周围环境中的...

本技术公开了一种平板式外延设备零点位置校验装置，属于设备零点校验领域。本技术平板式外延设备零点位置校验装置包括：基座、旋转轴、旋转平台、零点激光组件、激光器、零点位置卡，在工作中零点激光组件控制旋转轴转动至零点位置，激光器发射激光在零点...

本发明公开了一种8英寸高压FRD元器件用外延片的制备方法。通过选用特定低氧含量的8英寸硅片作为衬底，使得外延生长得到的高压FRD元器件有着良好的电性参数一致性；在外延生长前对衬底进行高温烘烤处理，有效降低了衬底的自掺杂效应，减少了外延层...

本发明提供一种Si基GaN‑HEMT外延片及制备方法。采用在Si衬底上生长三层AlN缓冲层的设计，有效释放因Si衬底与GaN层间晶格失配、热膨胀系数不同而产生的应力，从而降低Si衬底与GaN层之间的晶格缺陷，减少Si基GaN‑HEMT外...

本发明公开了一种Si衬底的GaN外延结构及其制备方法。所述外延结构包括在Si衬底基础上从下至上顺次层叠的三维岛状叠层、Si掺杂GaN外延层、Si<subgt;x</subgt;N<subgt;y</subgt;非...

本实用新型专利提供了一种外延平台托盘旋转轴工位校准组件，包括壳体、位于壳体内的托盘旋转轴、校准工具；校准工具覆盖于壳体上表面，基本定位块的内表面抵靠于壳体的外表面，主定位块位于旋转轴上方，且主定位块的侧面作为任意两个承载臂上的定位孔之间...

本实用新型专利提供了一种改善硅片厚度均匀性的单片石墨盘，该单片石墨盘的圆形凹陷区域设置具有坡度的斜面，所述斜面表面加工若干条状凹槽，所述凹槽用于硅片装载过程中石墨盘与硅片下表面空间内的气体流动，且不影响硅片外延后的背面质量。故本设计方案...

本实用新型专利提供了一种应用于高压FRD硅外延的基座。该基座上装配上、下挡件。上、下挡件悬挂于外延片坑的左右两侧，通过改变片坑左、右侧的气流分布，有效降低外延片内最高点厚度，从而提升外延厚度参数一致性，能够将片内的厚度均匀性提升1.5％...

本实用新型公开了一种硅片自动清洗机的机械手提篮防撞控制装置，用于使用提篮方式的硅片自动清洗机的机械手在没有正确卸载提篮时可以被检测到报警并触发机械手暂停的检测控制装置，实现清洗机利用控制系统自动检测机械手提篮是否正确卸载，避免机械手的提...

本发明公开了一种生长薄层高阻硅外延片的方法，包括如下步骤：预备衬底片：选用掺As衬底；设置反应腔体压强10~50Torr，衬底表面用生长温度为1050~1100℃，采用二氯二氢硅(DCS)作为硅源生长第一外延层；设置反应腔体压强10~8...

本发明公开了一种提高外延片过渡区一致性的工艺方法，包括如下步骤：预备衬底片：选用重掺As衬底片，电阻率为0.002~0.004Ω•cm，外延生长：源采用超高纯三氯氢硅，生长目标厚度的外延层，同时通入相应的掺杂源。掺杂源通入量分两段：第一...

本实用新型公开了一种桶式外延炉基座旋转同心度监控装置，包括：桶式基座，用于装载硅片；同心度监控装置，用于实时监控桶式基座旋转同心度是否为允许范围，如旋转同心度偏差超出了允许范围即报警。本实用新型可解决桶式基座旋转同心度的量化监控和及时控...

本发明公开了一种半导体处理装置，包括本体，在所述本体的上端面形成凹进部，所述凹进部的底壁上具有至少一个位置，在底壁的每个所述位置处开设的与所述凹进部连通的第一通道；在所述凹进部底壁的边缘处的所述本体上开设的与所述凹进部连通的第二通道，所...