6″VDMOS管用硅外延片的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种功率ＶＤＭＯＳ管用硅外延片的制造方法，首先衬底片的选用优为重要，选用的衬底片既要符合器件的要求，也要符合外延的要求。其技术工艺在于：选择合适的气腐流量和气腐时间，减小气腐杂质在外延反应器的浓度，以减小外延生长时的自掺杂。第一层外延生长：在高浓度的衬底表面用较低的温度生长一层纯度外延层，对衬底片表面和边缘进行包封，控制其生长温度、生长速率和外延时间，以使包封层达到理想效果，同时必须考虑低温淀积以减少自掺杂杂质的蒸汽压和固态扩散速率；选择合适的外延条件，使外延片的形变最小。第二层外延生长：用较低的温度生长一层电阻率和厚度符合器件要求的外延层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅外延片，具体而言，是6″VDMOS功率管用硅外延片的制造方法。
技术介绍
功率MOSFET是一种电压控制型单极晶体管，它是通过栅极电压来控制漏极电流的，因而它的一个显著特点是驱动电路简单、驱动功率小；仅由多数载流子导电，无少子存储效应，高频特性好，工作频率高达100kHz以上，为所有电力电子器件中频率之最，因而最适合应用于开关电源、高频感应加热等高频场合；没有二次击穿问题，安全工作区广，耐破坏性强。它采用超大规模集成电路的精细加工技术，用N/N+外延结构，因此对外延片的有特殊的要求和标准。6″功率VDMOS管因一个单管包含有几百到几千个元胞，所以须用超大规模集成电路精细加工技术，故对外延片表面的颗粒要求极高；6″功率VDMOS外延片因其表面积是5″外延片的1.44倍，所以对表面电阻率的均匀性有较高的要求，对电阻率的纵向分布有较高的要求，对外延片的弯曲度、翘曲度、平整度和局部平整度有极高的要求；6″功率VDMOS管要实现大电流、高电压的导通和关断，所以要求外延材料有完整的晶格结构和较低的缺陷密度。目前国际上一般采用单片外延炉生长功率VDMOS管用外延片，并且用的衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种６″功率ＭＯＳ管用硅外延片的制造方法，其特征在于：气腐条件的选择：气腐温度１１３０℃，气腐的时间４分钟和ＨＣｌ流量１０Ｌ／ｍｉｎ的确定；功率ＶＤＭＯＳ管用衬底片的选用：用掺Ａｓ片，电阻率≤０．００５Ωｃｍ，抛光片的局部平 整度≤１．５（１０×１０ｍｍ），ＬＴＯＳｉＯ↓［２］背封层边缘去边宽度≤０．４ｍｍ，ＬＴＯＳｉＯ↓［２］厚度为６０００±６００Ａ；第一层外延生长：在高浓度的衬底表面生长一层纯度外延层，对衬底片表面和边缘进行包封，选择合适的外 延条件，控制其生长温度、生长速率和外延时间，以使包封层达到理想效果，同时必须考虑低温淀积...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：金龙，高涛，马林宝，
申请(专利权)人：南京国盛电子有限公司，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]