【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体制造方法，特别涉及。
技术介绍
目前，半导体制造工业主要在硅衬底的晶片(wafer)器件面上生长器件，例如，金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)器件结构包括有源区、源极、漏极和栅极，其中，所述有源区位于半导体硅衬底中，所述栅极位于有源区上方，所述栅极两侧的有源区中进行离子注入形成源极和漏极，栅极下方具有导电沟道，所述栅极和导电沟道之间有栅极电介质层。根据离子注入的不同类型，空穴型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)和电子型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS)。多年以来，沿着摩尔定律提供的途径，人们一直采用对MOSFET进行等比例微缩来增加器件速度，然而随着MOSFET尺寸的缩小，常规的等比例微缩方法遇到了以短沟道效应为核心的一系列问题。例如，电源电压的等比例缩小在降低动态功耗的同时如何增大驱动电流(Idsat)密度的问题，因此如何提高载流子迁移率(PM0S内的空穴和NMOS内的电子)成为保持MOSFET性能的关键。由于无应变...
【技术保护点】
一种锗硅外延层生长方法，提供一具有硅衬底的晶片，所述硅衬底中具有PMOS的源极和漏极区域刻蚀的凹槽，其特征在于，该方法还包括，所述晶片放入反应腔后，所述反应腔中通入含锗元素的反应气体的同时通入含碳气体，在所述源极和漏极区域的所述凹槽中选择性外延生长含碳的锗硅外延层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：涂火金，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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