高压器件的外延层制造方法技术

本发明专利技术提供了一种高压器件的外延层制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成外延层，外延层具有第一厚度；平坦化外延层；在外延层上形成牺牲层；去除牺牲层，留下的外延层具有第二厚度，第一厚度大于第二厚度。依照本发明专利技术的高压器件的外延层制造方法，能有效改善外延层平整度、提升后面诸如光刻工艺的良品率，从而最终提高诸如击穿电压、开启电压的器件参数的均匀性、大大提升了芯片的良品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件制造方法，特别是涉及一种高压DMOS器件的外延层制造方法。
技术介绍
高压功率集成电路(HVPIC)越来越广泛于开关电源、电机控制、汽车电子、消费电子等领域，需要耐压、高频的元器件。而双扩散MOS (以下简称DM0S)功率器件由于是平面器件，其源、栅、漏三极都在硅片的表面，利用两种杂质原子的侧向扩散速度差形成自对准的亚微米结构，易于采用普通集成电路工艺实现且能达到很高的工作频率和响应 速度，所以它是HVPIC中常用的器件。此外，高压器件还有绝缘栅双极晶体管(IGBT)，是由双极晶体管(BJT)与MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，驱动功率小而饱和压较低，适用于600V以上的直流或交流领域。由于高压器件通常要经受高达几百伏的高电压，与传统的低电压器件所经受的例如5V或12V电压差距甚大，衬底或基极中电压电流常常较高，使得高压击穿的风险剧增，故其耐压性能是衡量其性能的重要指标，直接关系到器件是否因高压击穿而失效。目前，实现耐高压器件的工艺主要有1)硅单晶工艺，该工艺方法简单，易于与常规CMOS工艺兼容，但是缺点是其采用这种工艺仅靠厚度有限的体硅衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压器件的外延层制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成外延层，外延层具有第一厚度；平坦化外延层；在外延层上形成牺牲层；去除牺牲层，留下的外延层具有第二厚度，第一厚度大于第二厚度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王红丽，李俊峰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：