半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术可提高半导体器件的制造成品率。在半导体晶片(SW)上形成被加工膜(1)，在被加工膜(1)上形成抗反射膜(2)，在抗反射膜(2)上形成抗蚀层(3)后，对抗蚀层(3)进行浸液曝光、显影及冲洗处理，从而形成抗蚀图(3a)。随后，将抗蚀图(3a)作为蚀刻掩模，依序对抗反射膜(2)及被加工膜(1)进行蚀刻。在抗蚀层(3)的显影工序中，抗反射膜(2)从因显影处理而被除去了抗蚀层(3)的部分露出。在进行显影后的冲洗处理时，从抗蚀层(3)露出的抗反射膜(2)表面的憎水性与抗蚀层(3)表面(3b)的憎水性相同或更高。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法
本专利技术涉及一种半导体器件的制造方法，尤其涉及一种适用于使用浸液曝光的半导体器件的制造方法的有效技术。
技术介绍
浸液曝光是通过在透镜与半导体晶片之间的微小间隙内利用水的表面张力形成水膜(弯液面)，从而使透镜与被照射面(半导体晶片)之间高折射率化的一种曝光方式，与通常的干式曝光相比，这种曝光方式可增大实效的透镜数值孔径(NA)。通过增大透镜数值孔径，能够对更微细的图形进行析像，因此正在推进浸液曝光在工业上的实用化。在日本特开2009-4478号公报(专利文献1)中，公开了除去抗蚀膜表面的憎水性膜，以改善显影处理工序中的图形尺寸控制性的技术。在日本特开2005-183709号公报(专利文献2)中，公开了对经过浸液曝光的基板进行显影的显影装置相关的技术，即：涂敷抗蚀剂并使憎水性膜成膜，之后进行浸液曝光，在将憎水性膜溶解除去之后，对抗蚀剂进行显影处理。在日本特开2010-212270号公报(专利文献3)中，公开了无须改动抗蚀膜表面的接触角便可应对抗蚀膜及膜厚变化的半导体器件的制造方法相关的技术。在日本特开2010-212270号公报(专利文献3)中，公开了如下技术：本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：工序(a)，即准备半导体衬底的工序；工序(b)，即在所述半导体衬底上形成第1材料膜的工序；工序(c)，即在所述第1材料膜上形成抗蚀层的工序；工序(d)，即对所述抗蚀层进行浸液曝光的工序；工序(e)，即在所述工序(d)后，对所述抗蚀层进行显影处理的工序；工序(f)，即在所述工序(e)后，用冲洗液对所述半导体衬底进行冲洗处理的工序；工序(g)，即在所述工序(f)后，旋转所述半导体衬底以使所述半导体衬底干燥的工序；以及工序(h)，即在所述工序(g)后，将所述抗蚀层作为蚀刻掩模来对所述第1材料膜进行蚀刻的工序，其中，在所述工序(e)中，所述第1材料膜...

【技术特征摘要】
2011.08.26 JP 2011-1845501.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：工序(a)，即准备半导体衬底的工序；工序(b)，即在所述半导体衬底上形成第1材料膜的工序；工序(c)，即在所述第1材料膜上形成抗蚀层的工序；工序(d)，即对所述抗蚀层进行浸液曝光的工序；工序(e)，即在所述工序(d)后，对所述抗蚀层进行显影处理的工序；工序(f)，即在所述工序(e)后，用冲洗液对所述半导体衬底进行冲洗处理的工序；工序(g)，即在所述工序(f)后，旋转所述半导体衬底以使所述半导体衬底干燥的工序；以及工序(h)，即在所述工序(g)后，将所述抗蚀层作为蚀刻掩模来对所述第1材料膜进行蚀刻的工序，其中，在所述工序(e)中，所述第1材料膜从因显影处理而被除去了所述抗蚀层的部分露出，在进行所述工序(f)时，从所述抗蚀层露出的所述第1材料膜表面的憎水性比所述抗蚀层表面的憎水性更高。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在进行所述工序(g)时，从所述抗蚀层露出的所述第1材料膜表面的憎水性比所述抗蚀层表面的憎水性更高。3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在进行所述工序(f)时，将所述抗蚀层表面的所述冲洗液的接触角设为θ1、且将从所述抗蚀层露出的所述第1材料膜表面的所述冲洗液的接触角设为θ2时，所述θ2大于θ1。4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在进行所述工序(d)时如果将所述抗蚀层表面的所述冲洗液的接触角设为θ3时，则所述θ3大于所述θ1。5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述θ3大于所述θ2。6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述θ2小于等于80°。7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述冲洗液为纯水。8.如权利要求7所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：萩原琢也，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：