二维电子材料装置及其混合光刻方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种二维电子材料装置及其混合光刻方法，方法包括：在衬底上形成至少一层引线金属层并对至少一层引线金属层进行光学光刻，以形成至少一层引线图形，最上层包括多个上层引线，栅、源、漏电极图形分别与一个上层引线相连；形成电极金属层；对电极金属层进行光学光刻，以形成晶体管区域；对电极金属层进行电子束光刻，以形成栅、源、漏电极图形；形成栅介质层；对栅介质层进行光学光刻形成栅介质层图形；形成二维电子材料层图形；以及形成欧姆接触层图形。本发明专利技术可消除或减小二维电子材料的本征特性的破坏，在保证工艺成本的前提下可以大大提升小尺寸器件的光刻精度，提高器件性能，同时在保证加工精度的情况下可以节省加工时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种。
技术介绍
由碳原子构成的单层片状结构的二维电子材料，例如石墨烯，因其超高的本征载流子迁移率、超高的强场漂移速度和极高的电流承载能力，因此可用来制备具有更小尺寸和更快导电速度的新一代半导体器件。现有的二维电子材料装置，包括基板，基板上形成有二维电子材料、二维电子材料作为半导体器件的沟道材料，其上依次形成有源/漏电极、栅介质(栅氧化层)和栅电极。 上述器件中，首先将二维电子材料直接铺设在基板上，在制备工艺过程中，还要在 其上形成栅介质、栅源漏电极等，这些工艺会造成二维电子材料的本征特性遭到破坏，例如，可能使二维电子材料的迁移率退化，二维电子材料本征特性的破坏进而会影响整个器件的性能。而且，随着二维电子材料的引入，半导体器件可以达到更小的尺寸级，在形成例如栅电极图形、源电极图形和漏电极图形时，需要达到更细的加工精度。，目前，如何减少或消除去二维电子材料的破坏、保证器件性能优越，同时保证加工精度是本领域亟需解决的问题。
技术实现思路
在下文中给出关于本专利技术的简要概述，以便提供关于本专利技术的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二维电子材料装置的混合光刻方法，其特征在于，包括：在衬底上形成至少一层引线金属层并对所述至少一层引线金属层进行光学光刻，以形成至少一层引线图形，其中最上层的引线图形包括多个上层引线；形成电极金属层；对所述电极金属层进行光学光刻，以形成至少一个器件区域，所述至少一个器件区域包括晶体管区域；对所述电极金属层进行电子束光刻，以在所述晶体管区域形成栅电极图形、源电极图形和漏电极图形，所述栅电极图形、源电极图形和漏电极图形分别与所述引线图形中的一个上层引线相连；形成栅介质层；对所述栅介质层进行光学光刻，以形成栅介质层图形；形成二维电子材料层图形，所述二维电子材料层图形包括位于所述栅介质层图形、源电极...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴华强，肖柯，吕宏鸣，钱鹤，伍晓明，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：