【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及清洗方法、器件制造方法、曝光装置、以及器件制造系统。本申请根据在2010年4月2日申请的美国专利临时申请第61/320,451号、以及第61/320,469号、以及在2011年4月I日申请的美国申请主张优先权,并在此援用其内容。
技术介绍
在半导体器件、电子器件等微型器件的制造工序中,使用经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的浸液曝光装置。在浸液曝光装置中,与曝光液体接触的接液构件有可能被污染。因此,提出了例如下述专利文献公开那样的使用清洗用的液体对接液构件进行清洗的技术。 专利文献I :美国专利申请公开第2008/0273181号专利文献2 :美国专利申请公开第2009/0195761号
技术实现思路
例如,在清洗中使用的液体(废液)的处理中需要时间的情况、或者处理烦杂的情况下,包括曝光装置的器件制造系统的运转率有可能降低、或其处理的成本有可能增大。因此,期望提出能够顺利地执行该处理的技术。本专利技术的方式的目的在于提供一种能够良好地清洗接液构件,能够顺利地执行清洗中使用的液体的处理的清洗方法、器件制造方法、曝光装置、以及器件制造系统。根据本专利技术的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:田中亮,金井俊,白石健一,渡边俊二,涩谷敬,
申请(专利权)人:株式会社尼康,
类型:
国别省市:
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