【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术所揭示的实施例涉及，例如在制造集成电路时。
技术介绍
在制造集成电路时，当在下伏材料中蚀刻时可使用掩膜来形成所希望的特征形状。光刻加工是一种用于制造所述掩膜的技术。举例来说，可使光阻剂沉积在衬底上并且曝露于图案化辐射，然后显影以形成图案化光阻掩膜。随后可转印所述光阻掩膜的图案而在下伏衬底材料中形成电子装置组件，所述下伏衬底材料是一种或一种以上导电、绝缘或半导电材料。在许多应用中，掩膜的光阻材料本身的坚固度不足以在完成装置特征的蚀刻时充当掩膜。在这些情况下可在光阻剂与用于形成装置特征的材料之间使用硬掩膜材料。 因此，光阻掩膜图案被转印在硬掩膜材料中，随后所述硬掩膜材料被用作比光阻剂更为坚固的蚀刻掩膜。在这些情况下，在蚀刻硬掩膜材料期间或在蚀刻硬掩膜材料之下的材料期间光阻剂可能被完全去除。集成电路制造不断地制造越来越小的特征宽度尺寸以将个别装置组件的尺寸降至IJ最小并且由此增加集成电路内组件的密度。集成电路中的一个常见组件是导电线，例如全局或局部互联线。其它示例导线包括晶体管栅极线，所述晶体管栅极线可能并有或可能不并有沿个别晶体管栅极线间隔分布的电荷储存区...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：法雷尔·古德，周葆所，方小龙，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：
国别省市：
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