间隔件及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种间隔件及其制造方法。所述间隔件包含一光刻胶型封胶体，具有一第一表面以及一第二表面，并包含数个通孔以及数个导电柱。所述通孔贯穿所述第一表面与第二表面，所述导电柱对应填充于所述通孔中。所述间隔件另包含一第一图案化线路层及一第二图案化线路层，分别形成于所述封胶体的第一及第二表面。所述第二图案化线路层通过所述导电柱电性连接至所述第一图案化线路层，其中所述光刻胶型封胶体包含光刻胶材料、环氧树脂以及填充颗粒，且所述填充颗粒的直径小于两个相邻所述导电柱的间距的三分之一。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于ー种封装构造用。
技术介绍
现今，半导体封装产业为了满足各种高密度封装的需求，逐渐发展出各种不同型式的封装设计，其中各种不同的系统封装(system in package, SIP)设计概念常用于架构高密度封装产品。系统封装中，常需要设计ー些间隔件(interposer)用于进行系统封装中各个芯片之间以及芯片与承载件之间的电性连接，间隔件的设计对于系统封装的集成度、散热性与可靠性的影响很大，因此在封装业界对于间隔件的设计与制造一直为ー热门的研究课 题。已知的一种间隔件是采用半导体材料，如硅材料，进行制造的。此种硅间隔件的上下表面之间通常制作直通娃穿孔(through silicon via, TSV),以电性连接后续堆叠的上层芯片至承载件。现有的制作直通硅穿孔的エ艺是对在硅载板的一表面进行选择性蚀刻或以激光方式形成穿孔，然后于穿孔中填充导电材料，最后从硅载板的另外ー表面进行研磨使得硅穿孔曝露出来从而形成两个表面之间的电性通路。然而，所述直通硅穿孔方法制造硅间隔件在实际使用上仍具有下述问题，例如由于硅材料较脆，不具有延展性，因此硅间隔件很容易在直通硅穿孔制造过程中或者后续的封装エ艺中破裂从而导致失效；另外，由于硅是半导体材料，因此在直通硅穿孔制造过程中需要对通孔先进行孔壁绝缘处理后再填入导电材料，从而导致エ艺复杂、精度要求很高，并且由于直通硅穿孔エ艺的设备以及制造成本很高，因此不易推广。故，有必要提供ー种改良的，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种，以解决现有技术所存在的间隔件易破裂、通孔需做绝缘处理以及成本较高的问题。本专利技术的主要目的在于提供一种，其中间隔件具有较强的刚性与韧性，以适应对于间隔件的平整度以及抗应カ程度的要求，同时エ艺简单，且材料与制造成本较低。为达成本专利技术的前述目的，本专利技术ー实施例提供一种间隔件的制造方法，其中所述间隔件的制造方法包含步骤提供一第一临时性载板，所述第一临时性载板上依序形成一黏胶层、ー种子层以及一光刻胶层；形成数个通孔贯穿所述光刻胶层，并于所述通孔中曝露出所述种子层；电镀填满所述通孔，以形成数个导电柱；去除所述光刻胶层，曝露出所述种子层；于所述种子层上形成一封胶体覆盖所述种子层以及填在所述导电柱之间，其中所述封胶体具有一第一表面曝露出所述导电柱；并于所述封胶体的第一表面形成一第一图案化线路层及数个第一导电凸块。再者，本专利技术另一实施例提供另ー种间隔件的制造方法，其中所述间隔件的制造方法包含步骤提供一第一临时性载板，所述第一临时性载板上依序形成一黏胶层、ー种子层以及一光刻胶型封胶体；形成数个通孔贯穿所述光刻胶型封胶体，并于所述通孔中曝露出所述种子层；电镀填满所述通孔，以形成数个导电柱，其中所述光刻胶型封胶体具有一第一表面曝露出所述导电柱；并于所述光刻胶型封胶体的第一表面形成一第一图案化线路层及数个第一导电凸块。再者，本专利技术ー实施例提供一种间隔件，其中所述间隔件包含一光刻胶型封胶体、一第一图案化线路层及一第二图案化线路层。所述光刻胶型封胶体具有一第一表面以及一第二表面，包含数个通孔以及数个导电柱，所述通孔贯穿所述第一表面与第二表面，所述导电柱对应填充于所述通孔中。所述第一图案化线路层形成于所述封胶体的第一表面。所述第二图案化线路层形成于所述封胶体的第二表面，所述第二图案化线路层通过所述导电柱电性连接至所述第一图案化线路层，其中所述光刻胶型封胶体包含光刻胶材料、环氧树脂以及填充颗粒，且所述填充颗粒的直径小于两个相邻所述导电柱的间距的三分之一。 与现有技术相比较，本专利技术的，这样不但可提高间隔件的刚性与韧性，从而保证制造过程中以及后续封装エ艺中的可靠性，同时由于无需对通孔进行绝缘处理，使得制造エ艺简单并降低了制造成本。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下附图说明图I是本专利技术一实施例间隔件的示意图。图2是本专利技术一实施例间隔件以及构成的封装构造的示意图。图3A至3J是本专利技术一实施例间隔件的制造方法示意图。图4A至4G是本专利技术另ー实施例间隔件的制造方法示意图。具体实施例方式以下各实施例的说明是參考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。再者，本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」或「侧面」等，仅是參考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。图I是本专利技术一实施例间隔件的示意图，图2为本专利技术一实施例间隔件以及构成的封装构造的示意图。请參照图I及图2所示，本专利技术ー实施例的封装构造10主要包含间隔件100、芯片组200以及承载件300。在本实施例中，间隔件100主要包含封胶体110、导电柱120、第一图案化线路层130、第二图案化线路层140、第一导电凸块150以及第ニ导电凸块160。其中导电柱120电性连接第一图案化线路层130与第二图案化线路层140，第一导电凸块150电性连接至第一图案化线路层130，第二导电凸块160电性连接至第二图案化线路层140。更详细来说，在本实施例中，封胶体110可以为ー非光刻胶型封胶体，主要包含5至20%的环氧树脂、5至10%的硬化剂(hardner) >60至90%的填充颗粒以及I至5%的阻燃剂(flame retardant),但其成分或组成比例并不限于此。封胶体110亦可是一光刻胶型封胶体，主要包含80 %的光刻胶(photoresist)材料及20 %的封胶体材料，其中的封胶体材料则与上述非光刻胶型封胶体的成分或组成比例相同或相似。其中环氧树脂可选自双酹A环氧树脂(bisphenol A epoxy)、酹醒环氧树脂(novolac epoxy)或聚合性多功能树脂(polyfunctional resin),硬化剂可选自酹醒树脂等,填充颗粒材料可选自石英颗粒或氧化铝颗粒，阻燃剂可选自溴化环氧树脂和氧化锑，光刻胶材料可选自聚甲基丙烯酸甲酷、聚甲基戊ニ酰亚胺、酚醛树脂或环氧SU-8树脂等，但皆不限于此。封胶体110的选择可以根据不同应用的需要进行调整，对应的制造方法也可以随之调整，具体的制造方法会在本专利技术实施例中加以说明。在本实施例中，填充颗粒的直径小于两相邻导电柱120间距的1/3，从而可以减小填充颗粒未完全填满在导电柱120的间距中而产生空隙的可能性， 进ー步提高本实施例中的封胶体110的填隙效果以及间隔件100的可靠性。一般的，两相邻导电柱120的间距为10微米至50微米，填充颗粒的直径小于3. 3至16. 5微米，例如为10微米。在本实施例中，第一图案化线路层130与第二图案化线路层140皆属于ー种重分布线路层(re-distribution layer),两者的表面上分别形成有数个焊垫(未图示)，而第ー导电凸块150以及第ニ导电凸块160分别通过焊垫对应焊接于第一图案化线路层130与第二图案化线路层140上。在本实施例中，芯片组200包含第一芯片210以及第ニ芯片220，但芯片组200包含的芯片数量并不限于两个，例如芯片组200亦可包含单芯片或两个以上的芯片。芯片组200内的芯片之间通过间隔件I 00相互之间电性连接，并电性连接至承载件300本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种间隔件的制造方法，其特征在于：所述间隔件的制造方法包含步骤：提供一第一临时性载板，所述第一临时性载板上依序形成一黏胶层、一种子层以及一光刻胶层；形成数个通孔贯穿所述光刻胶层，并于所述通孔中曝露出所述种子层；电镀填满所述通孔，以形成数个导电柱；去除所述光刻胶层，曝露出所述种子层；于所述种子层上形成一封胶体覆盖所述种子层以及填在所述导电柱之间，其中所述封胶体具有一第一表面曝露出所述导电柱；以及于所述封胶体的第一表面形成一第一图案化线路层及数个第一导电凸块。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周泽川，唐和明，黄东鸿，黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：