芯片间隔维持方法技术

提供一种芯片间隔维持方法，在短时间内可靠地去除扩张后的粘接带的松弛。芯片间隔维持方法是以拉伸粘接带而使其扩张的状态维持借助粘接带(T)被支承于环状框架(F)的被加工物(W)的多个芯片(C)的间隔的方法，构成为：使保持于保持台(11)的被加工物与保持于框架保持单元(12)的环状框架沿铅直方向相对移动，来拉伸粘接带，在被加工物的多个芯片间形成间隔，在保持台上吸引保持粘接带以维持多个芯片的间隔，并使保持台与框架保持单元阶段性地返回到初始状态而解除粘接带的张力，并且利用加热单元(41)对解除各阶段的张力时产生的粘接带的松弛进行热收缩。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，针对借助粘接带而被支承于环状框架上的被加工物的分割后的各个芯片，以扩张的状态来维持芯片间隔。
技术介绍
以往，已知有如下的方法:在贴附于粘接带的被加工物上沿着分割预定线形成改性层、激光加工槽、切削槽等分割起点后，将被加工物分割成各个芯片(例如，参照专利文献I)。在专利文献I所描述的分割方法中，对设置于环状框架的粘接带进行扩张，由此向沿着分割预定线形成的分割起点施加外力，沿着该强度降低的分割起点将被加工物分割成各个芯片。然而，当解除粘接带的张力时，粘接带中产生较大的松弛，有可能导致相邻的芯片彼此接触而产生缺损或破损。因此，也提出了如下的方法:在维持(固定)着芯片之间的间隔的状态下，向粘接带的松弛较大的被加工物的周围施加热等外部刺激，来收缩粘接带的松弛。在该方法中，有可能因粘接带的材质或厚度而导致外部刺激并没有充分地收缩松弛、或者没有收缩松弛。因此，提出了如下方法:通过把持粘接带的松弛进行热压接而在粘接带中产生张力(例如，参照专利文献2)。在该专利文献2所描述的方法中，使得在被加工物的周围出现的粘接带的松弛向上方隆起，整周地把持该隆起的部位并且进行热压接，来去除粘接带的松弛。专利文献1:日本特开2007 - 189057号公报专利文献2:日本特开2013 — 239557号公报然而，在专利文献2的方法中，存在如下问题:必须整周地对粘接带隆起的部位进行压接，特别是要想从大口径的被加工物的粘接带中去除松弛时需要大量的时间。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于，提供一种，能够在短时间内可靠地去除扩张后的粘接带的松弛。本专利技术的维持使多个芯片的间隔扩张后的状态，所述多个芯片构成贴附于粘接带且安装于环状框架的被加工物，所述包括如下步骤:保持步骤，隔着该粘接带将被加工物载置在能够吸引保持被加工物的保持台上，并且利用框架保持单元保持该环状框架；芯片间隔扩张步骤，在实施了该保持步骤后，使该保持台与该框架保持单元沿铅直方向相对移动规定距离，使得该保持台相对于该框架保持单元向上凸起，来拉伸该粘接带，由此在该多个芯片之间形成间隔；吸引保持步骤，在实施了该芯片间隔扩张步骤后，在该保持台上隔着该粘接带吸引保持被加工物，由此维持相邻的该芯片间的间隔；以及芯片间隔固定步骤，在开始了该吸引保持步骤后，使该保持台与该框架保持单元沿铅直方向相对移动，多次地阶段性地解除该保持台相对于该框架保持单元的该规定距离的向上凸起，按照各阶段对被加工物与该环状框架的内周之间的被拉伸的该粘接带进行加热，使得该粘接带阶段性地多次收缩，使相邻的该芯片间的间隔固定。根据该结构，使保持被加工物的保持台相对于保持环状框架的框架保持单元向上凸起，由此拉伸粘接带而在芯片间形成间隔。并且，在被加工物的芯片间维持间隔的状态下，阶段性地解除保持台的向上凸起，并且在松弛变大前通过加热逐渐地收缩粘接带的松弛。由此，在被加工物的芯片间维持着间隔的状态下，收缩粘接带的松弛而进行固定，因此不会产生相邻的芯片之间接触而缺损或破损的情况。并且，与把持粘接带的松弛而进行热压接的方法相比，能够在短时间内在粘接带中产生张力。并且，在上述中，针对设定有交叉的多个分割预定线的被加工物，沿着该分割预定线形成分割起点，在该芯片间隔扩张步骤中，将被加工物分割成多个芯片，并且在芯片之间形成间隔。专利技术效果根据本专利技术，阶段性地解除粘接带的扩张状态并且通过加热使粘接带的松弛收缩，由此能够在短时间内可靠地去除扩张后的粘接带的松弛。【附图说明】图1是本实施方式的芯片间隔维持装置的立体图。图2是示出本实施方式的保持步骤的一例的图。图3是示出本实施方式的芯片间隔扩张步骤的一例的图。图4是示出本实施方式的吸引保持步骤的一例的图。图5是示出本实施方式的芯片间隔固定步骤的一例的图。标号说明1:芯片间隔维持装置；11:保持台；12:框架保持单元；41:加热单元；54:改性层(分割起点)；C:芯片；F:环状框架；S:松弛；T:粘接带；W:被加工物。【具体实施方式】以下，对本实施方式的芯片间隔维持装置进行说明。图1是本实施方式的芯片间隔维持装置的立体图。需要说明的是，本实施方式的芯片间隔维持装置不限定于图1所示的结构。芯片间隔维持装置只要是阶段性地解除粘接带的扩张状态，并且能够通过加热来去除粘接带的松弛的结构，则可以以任意的方式构成。如图1所示，芯片间隔维持装置I构成为，通过粘接带T的带扩张，将借助粘接带T被支承于环状框架F的圆板状的被加工物W分割成各个芯片。并且，芯片间隔维持装置I构成为，以维持着芯片间隔的状态，阶段性地解除粘接带T的张力，通过加热(热收缩)来反复去除每次解除张力时产生的松弛。这样，仅仅对拉伸粘接带T而大幅松弛的部位进行热收缩，以维持着被加工物W的分割后的芯片间隔的状态来进行固定。在被加工物W的表面51上设置有格子状的分割预定线52，在由分割预定线52划分的各区域上形成有各种器件(未图示)。在被加工物W的外缘设置有表示结晶方位的切口 53。需要说明的是，被加工物W可以是在硅、砷化镓等的半导体基板上形成有IC、LSI等器件的半导体晶片，也可以是在陶瓷、玻璃、蓝宝石类的无机材料基板上形成有LED等光器件的光器件晶片。被加工物W以借助粘接带T被支承于环状框架F的状态，被送入芯片间隔维持装置I。并且，在被加工物W的内部沿着分割预定线52形成有作为分割起点的改性层54 (参照图2)。需要说明的是，改性层54是指如下这样的区域:在该区域中，因激光的照射而使得被加工物W的内部的密度、折射率、机械强度以及其他物理特性成为与周围不同的状态，强度比周围低。改性层54例如可以是熔融处理区域、裂纹区域、介电击穿区域、折射率变化区域，也可以是这些区域混杂在一起的区域。并且，在以下的说明中，作为分割起点举例示出改性层54，但是，对分割起点而言，只要使被加工物W的强度降低而成为分割时的起点即可，例如，也可以是激光加工槽、切削槽、划线。芯片间隔维持装置I在中央处配置有能够吸引保持被加工物W的保持台11，在保持台11的周围配置有保持环状框架F的框架保持单元12。保持台11在筒状的外壁部21的上侧隔着支承板22 (参照图2)配置有多孔性的多孔板23。借助该多孔性的多孔板23在保持台11的上表面形成有吸附被加工物W的保持面24。保持面24通过保持台11内的通道而与吸引源13 (参照图2)连接，利用保持面24上产生的负压来吸引保持被加工物W。并且，在从保持面24连接到吸引源13的通道中设置有开闭阀14(参照图2)，通过开闭阀14来切换保持面24的吸引保持与吸引解除。在保持台11的外壁部21的上端部、即保持台11的外周边缘，整周地设置有多个辊部25。多个辊部25在将被加工物W保持在保持面24上的状态下，从下侧与被加工物W的周围的粘接带T转动接触。通过使多个辊部25与粘接带T转动接触，来抑制在粘接带T扩张时在保持台11的外周边缘产生的摩擦。在框架保持单元12中，利用盖板32从上方夹住载置台31上的环状框架F，在载置台31上保持环状框架F。在俯视时，载置台31是四边形，在中央处形成有直径比保持台11大的圆形开口 33。利用使载置台31升降的4个升降汽缸34的活塞杆35从下侧支承载置台31的四角。4个升降汽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片间隔维持方法，维持使多个芯片的间隔扩张后的状态，所述多个芯片构成贴附于粘接带且安装于环状框架的被加工物，所述芯片间隔维持方法包括如下步骤：保持步骤，隔着该粘接带将被加工物载置在能够吸引保持被加工物的保持台上，并且利用框架保持单元保持该环状框架；芯片间隔扩张步骤，在实施了该保持步骤后，使该保持台与该框架保持单元沿铅直方向相对移动规定距离，使得该保持台相对于该框架保持单元向上凸起，来拉伸该粘接带，由此在该多个芯片之间形成间隔；吸引保持步骤，在实施了该芯片间隔扩张步骤后，在该保持台上隔着该粘接带吸引保持被加工物，由此维持相邻的该芯片间的间隔；以及芯片间隔固定步骤，在开始了该吸引保持步骤后，使该保持台与该框架保持单元沿铅直方向相对移动，多次地阶段性地解除该保持台相对于该框架保持单元的该规定距离的向上凸起，按照各阶段对被加工物与该环状框架的内周之间的被拉伸的该粘接带进行加热，使得该粘接带阶段性地多次收缩，使相邻的该芯片间的间隔固定。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：植木笃，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP