基板处理装置制造方法及图纸

根据本发明专利技术的一个实施例，一种基板处理装置包括：设置有堆叠空间和处理空间的腔室，在堆叠空间中基板被堆叠，在处理空间中执行对基板的处理；晶舟，其包括沿上下方向布置的至少一个直立的晶舟框架，晶舟会升降而移动至堆叠空间和处理空间中；多个承载座，其布置在所述晶舟框架上并沿着晶舟框架的纵向方向彼此间隔开，其中随着晶舟移动至处理空间中被依次加载至基板的顶面上；以及至少一个保持件，所述保持件包括与所述晶舟框架平行布置的竖直杆以及从所述竖直杆的内表面伸出以支撑所述基板的基板支撑末端，当所述晶舟移动至所述处理空间中时，所述竖直杆沿着所述晶舟框架的纵向方向相对移动。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置
这里公开的本专利技术涉及一种基板处理装置，更具体地涉及一种防止由于处理气体而在基板的后表面上形成处理膜的批量型基板处理装置。
技术介绍
用于制造半导体、平板显示器、光伏电池等的基板处理装置(热处理装置)可以是执行基本热处理过程以使在诸如硅片或玻璃基板的基板上沉积的预定薄膜结晶化及相变的装置。一般来说，在制造液晶显示器或薄膜结晶硅光伏电池的情况下，有硅结晶装置用于将基板上沉积的非晶硅结晶成多晶硅。为了执行上述结晶化处理(热处理过程)，需要能够对形成有预定薄膜的基板加热的热处理装置。例如，使非晶硅结晶所需的最低温度为约550℃至约600℃。这里，热处理可以指的是以期望的温度即约350℃至约1300℃的温度加热物体或基板的处理。半导体基板上的热处理可例如包括加热处理、退火、掺杂材料的扩散或驱使、化学沉积(即材料层的沉积或生长，例如化学气相沉积)以及材料的蚀刻或移除。一般来说，基板处理装置可分为在一个基板上执行热处理的单晶片型基板处理装置和在多个基板上执行热处理的批量型基板处理装置。单晶片型基板处理装置的优点在于其结构简单。但是，单晶片型基板处理装置的生产率会下降。由此，批量型基板处理装置就受到重视。批量型基板处理装置包括基板加载晶舟(boat)，该基板加载晶舟用于将多个基板加载至腔室中以改善过程处理性能。在批量型基板处理装置中，由于基板的边缘在处理期间会局部安装在沟槽内，因此在薄膜形成处理期间会在支撑半导体基板的两个表面和下部的晶舟或沟槽上形成用于半导体处理的膜。由此，当在完成用于制造半导体的薄膜形成处理之后卸载基板时，一体连接至基板和沟槽的膜会破裂。由此，当膜破裂时，可能产生颗粒，并且基板的后表面上的机械应力会大幅提高而导致基板弯曲。此外，由于半导体基板的后表面上的膜均匀度大幅低于前表面上的均匀度，因此在后续处理尤其是在光刻处理中会导致许多问题。
技术实现思路
技术问题本专利技术提供了一种基板处理装置，该基板处理装置防止在基板的后表面上形成处理膜。参阅如下的详细说明以及附图将可了解本专利技术的其它目的。技术方案本专利技术的实施方式提供了基板处理装置，该基板处理装置包括：腔室，所述腔室设置有堆叠空间和处理空间，在所述堆叠空间中基板被堆叠，并且在所述处理空间中执行与所述基板相关的处理；晶舟，所述晶舟包括至少一个竖直直立的晶舟框架，所述晶舟会升降而移动至所述堆叠空间和所述处理空间中；多个承载座(susceptor)，所述多个承载座布置在所述晶舟框架上并且沿着所述晶舟框架的纵向方向彼此间隔开，其中随着所述晶舟移动至所述处理空间中，所述基板被相继加载至所述多个承载座中的每个承载座的顶面上；以及至少一个保持件，所述保持件包括与所述晶舟框架平行布置的竖直杆以及从所述竖直杆的内表面伸出以支撑所述基板的基板支撑末端，其中当所述晶舟移动至所述处理空间中时，所述竖直杆沿着所述晶舟框架的纵向方向相对移动。在一些实施方式中，所述腔室可以具有位于所述堆叠空间与所述处理空间之间的连接空间，并且所述基板处理装置可以进一步包括夹持板，所述夹持板布置在所述连接空间中以阻隔所述堆叠空间和所述处理空间，所述夹持板连接至所述竖直杆的上端，以当所述晶舟从所述堆叠空间移动至所述处理空间中时，与所述晶舟一起移动至所述处理空间中。在其它实施方式中，所述腔室可以包括：下腔室，所述下腔室具有敞开的上部以及限定在所述腔室的一侧中以供所述基板进出的通道，所述下腔室提供所述堆叠空间；以及上腔室，所述上腔室布置在所述下腔室上，并且具有与所述下腔室的敞开的上部连通的敞开的下部，所述上腔室提供所述处理空间。在又一些实施方式中，所述基板处理装置可以进一步包括布置在所述连接空间中的支撑环，所述支撑环包括从该支撑环的内表面伸出的支撑突起以支撑放置在该支撑突起上的所述夹持板。在另一些实施方式中，当所述晶舟移动至所述处理空间中时，所述保持件可以相对移动通过限定在所述承载座中的插入孔。在再一些实施方式中，所述承载座可以具有座置槽，所述座置槽从所述承载座的顶面下凹并具有与所述基板的形状对应的形状，其中所述基板可以座置在所述座置槽中。在再一些实施方式中，所述基板处理装置可以进一步包括上阻挡板，所述上阻挡板连接至所述晶舟框架的上部以在所述晶舟移动至所述处理空间中时抬起所述夹持板。在再一些实施方式中，所述上阻挡板可以具有贯穿孔，所述贯穿孔限定在与所述保持件的位置对应的位置，并且当所述晶舟移动至所述处理空间中时，所述保持件可移动通过所述贯穿孔。在再一些实施方式中，所述晶舟框架可以包括承载座支撑末端，所述承载座支撑末端从所述晶舟框架的内表面伸出以支撑所述承载座，所述承载座支撑末端沿着所述晶舟框架的纵向方向彼此间隔开。有益效果根据本专利技术的实施方式，可以防止由于将基板加载到承载座上而在基板的后表面上形成处理膜。由此，可以提高基板的产量，以提高基板的生产率。附图说明图1是根据本专利技术的实施方式的基板处理装置的示意图；图2是其中图1的晶舟被切换至处理位置的状态的图；图3是图1的晶舟单元的立体图；图4是图3的承载座的图；图5至图8是将基板加载到承载座上的处理的图；以及图9至图11是将晶舟单元切换至处理位置的处理的图。具体实施方式下面将参照图1至图11详细地描述本专利技术的示例性实施方式。但是，本专利技术可以以不同的形式被实施而不应被理解为限于这里所提出的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开全面且完整，并且向本领域技术人员充分地传达本专利技术的范围。在附图中，为了清楚起见放大了层和区域的厚度。本领域技术人员明了的是，除了当前实施方式所述的基板W以外，本专利技术的实施方式也适用于要处理的各种物体。例如，本专利技术并不限制要处理的基板的类型。由此，基板由在整个半导体制造过程中通常使用的各种材料形成，例如玻璃、塑料、聚合物、硅片、不锈钢、蓝宝石材料等。而且，基板的处理可以理解为预定或形成在基板上的图案的处理以及基板本身的处理。而且，本专利技术并不限制基板处理装置的使用。由此，整个半导体处理，例如沉积处理、蚀刻处理、表面处理过程等都可使用根据本专利技术的基板处理装置来执行。此外，下面将只描述本专利技术的主要构件。而且明显的是，根据用途，本专利技术的基板处理装置可以额外设置各种构件。图1是根据本专利技术的实施方式的基板处理装置的示意图，图2是其中图1的晶舟被切换至处理位置的状态的图。参照图1和图2，基板处理装置100包括：具有敞开上部的下腔室20；以及将下腔室20的敞开上部封闭的处理腔室10，以提供在其中执行与基板W相关的处理的处理空间12。支撑环30可布置在处理腔室10的敞开下部以及下腔室20的敞开上部上(即，连接空间)。支撑环30可包括从其内周表面突出的支撑突起35。下腔室20可以具有供传送基板W的通道3。由此，基板W可通过通道3被传送至下腔室20中。例如，下腔室20的通道3可连接至传送腔室(未示出)，该传送腔室连接至多个处理腔室。由此，可通过末端执行器(请参见图5的附图标记65)将基板W从传送腔室传送至下腔室20中。在通道3的外侧可以布置有闸阀4，并且可通过闸阀4来打开或关闭通道3。在基板处理设备100内布置有晶舟41，在该晶舟上堆叠有将通过通道3传送的多个基板W。在晶舟41定位在设于下腔室20中的堆叠空间22(或位于“堆叠位置”)时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，该基板处理装置包括：腔室，所述腔室设置有堆叠空间和处理空间，在所述堆叠空间中基板被堆叠，并且在所述处理空间中执行与所述基板相关的处理；晶舟，所述晶舟包括至少一个竖直直立的晶舟框架，所述晶舟会升降而移动至所述堆叠空间和所述处理空间中；多个承载座，所述多个承载座布置在所述晶舟框架上并且沿着所述晶舟框架的纵向方向彼此间隔开，其中随着所述晶舟移动至所述处理空间中，所述基板被相继加载至所述多个承载座中的每个承载座的顶面上；以及至少一个保持件，所述保持件包括与所述晶舟框架平行布置的竖直杆以及从所述竖直杆的内表面伸出以支撑所述基板的基板支撑末端，其中当所述晶舟移动至所述处理空间中时，所述竖直杆沿着所述晶舟框架的纵向方向相对移动。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.04.08 KR 10-2013-00380771.一种基板处理装置，该基板处理装置包括：腔室，所述腔室设置有堆叠空间和处理空间，在所述堆叠空间中基板被堆叠，并且在所述处理空间中执行与所述基板相关的处理；晶舟，所述晶舟包括至少一个竖直直立的晶舟框架，所述晶舟会升降而移动至所述堆叠空间和所述处理空间中；多个承载座，所述多个承载座布置在所述晶舟框架上并且沿着所述晶舟框架的纵向方向彼此间隔开，其中随着所述晶舟移动至所述处理空间中，所述基板被相继加载至所述多个承载座中的每个承载座的顶面上；以及至少一个保持件，所述保持件包括与所述晶舟框架平行布置的竖直杆以及从所述竖直杆的内表面伸出以支撑所述基板的基板支撑末端，其中当所述晶舟移动至所述处理空间中时，所述竖直杆沿着所述晶舟框架的纵向方向相对移动。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述腔室具有位于所述堆叠空间与所述处理空间之间的连接空间，并且所述基板处理装置进一步包括夹持板，所述夹持板布置在所述连接空间中以阻隔所述堆叠空间和所述处理空间，所述夹持板连接至所述竖直杆的上端，以当所述晶舟从所述堆叠空间移动至所述处理空间中时，与所述晶舟一起移动至所述处理空间中。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中所述腔室包括：下腔室，所述下腔室具有敞开的上部以及限定在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁日光，宋炳奎，金劲勋，金龙基，申良湜，
申请(专利权)人：株式会社EUGENE科技，
类型：发明
国别省市：韩国;KR