根据本发明的实施例，基板处理装置包括:基座；以及安装在上述基座上部的盖机构，上述基板置于上述盖机构上，上述盖机构包括：具有一个以上气隙的盖框架；以及一个以上的盖，具有与各上述气隙对应的形状且可安装在上述一个以上气隙中的各气隙内，上述气隙...

根据本发明的一实施例，基板处理装置，包括：腔体，用于对基板实施工序；基座，设在上述腔体内部，用于支持上述基板；及喷头，设在上述基座的上部，上述喷头具有：多个内侧喷射孔，形成在与上述基板的上部对应的内侧区域，且朝向下部喷射反应气体；及多个...

根据本发明的一实施例的基板处理装置，包括：支撑板；天线，与上述支撑板的一面平行设置，且具有自内侧端沿着一方向卷绕的第1至第n线匝，n为大于3的整数；以及距离调节单元，可调节上述第1至第n线匝的间隔距离。节上述第1至第n线匝的间隔距离。节...

依据本发明的一实施例，基板支持组合体包括：支持框，具有从该支持框的一表面凹入的一个以上插入孔，所述插入孔包括内侧移动孔及位于所述内侧移动孔外侧的螺纹孔；及基板支持体，包括轴主体及销轴，该轴主体的一侧插入设置于所述插入孔中，所述销轴与所述...

根据本发明的一实施例，一种运用基板处理装置的方法，该基板处理装置包括：腔体，通过对置于内部的基板的氧化膜除去工序，在内壁沉积了含氟/硅盐；及天线，设置在上述腔体外侧；被施加RF功率，向上述腔体内部供应惰性气体，且对上述天线施加RF功率，...

依据本发明的实施例的利用等离子体处理基板的装置，包括：腔室，形成被供应处理气体的内部空间；基板固持器，设置在上述内部空间中以支持基板；介电窗，位于上述基板固持器上部；至少一个天线，设置在上述介电窗外侧，以便由供应至上述内部空间的上述处理...

根据本发明的一实施例，基板处理装置包括：腔体，在内部形成有处理空间；基座，设置于上述处理空间，且在该基座上部放置基板；供气口，形成于上述腔体的天花板中央部，向上述处理空间供应源气体；排气口，形成于上述腔体的侧壁，位于上述基座的外侧下部，...

根据本发明的一实施例，一种薄膜形成方法，将被处理体装载至腔室内，将上述被处理体的温度控制为400℃以下，并向上述腔室内供应硅源气体和氧化气体，以在上述被处理体表面形成氧化硅膜，其特征在于，所述氧化气体在被供应至所述腔室内之前被加热至超过...

本发明涉及形成非晶薄膜的方法。根据本发明的一实施例，形成非晶薄膜的方法包括：在基底上流过氨基硅烷系气体，从而在上述基底表面形成种子层的工序；在上述种子层供给包括含硼气体的第一源气体而形成掺杂有硼的第一非晶薄膜的工序；以及在上述第一非晶薄...

本发明的等离子体处理装置包括：感应腔体，用于向内部导入源气体以产生等离子体；处理腔，放置利用感应腔体产生的等离子体进行处理的被处理基板；ICP天线，位于感应腔体外部，形成感应磁场，以便由导入到感应腔体内部的源气体产生等离子体；及高频振荡...

根据本发明的一实施例，基板处理装置包括：腔体，用于对基板实施工序；喷淋头，设置于所述腔体的内部且向所述基板喷射反应气体；以及基座，设置于所述喷淋头的下部且支撑所述基板；所述喷淋头包括：喷淋头本体，包括内部空间及多个喷射孔，所述内部空间从...

本发明涉及电感耦合等离子体(ICP)天线，天线的一端通过阻抗匹配电路连接至射频(RF)电源且另一端接地；及可变电容器，并联于所述天线线圈的局部。

本发明涉及薄膜循环蒸镀方法，根据本发明的一实施例，其包括：氧化膜蒸镀步骤，重复进行在装载有对象物的腔的内部注入硅前驱体而在上述对象物上蒸镀硅的蒸镀步骤、在上述腔的内部去除未反应硅前驱体及反应副产物的第1净化步骤、向上述腔内部供给包含氧的...

根据本发明的一实施例，低温外延层形成方法包括：将基板传送到外延腔的步骤；及在所述基板上实施外延工序以在所述基板上形成外延层的步骤。所述外延工序包括：在将所述基板加热到700℃以下、且将所述外延腔内部调节至300Torr以下的状态下，向所...

本发明涉及一种能够阻挡颗粒从衬底的下部部分落到下部衬底的表面的衬底处理设备。根据示范性实施例的衬底处理设备可包含：衬底舟，其包含以多级方式连接到多个棒的多个中空板，其中多个衬底分别加载于多个中空板上；反应管，其具有容纳衬底舟的容纳空间；...

本发明包括：套管组合件，其具有内部空间，所述内部空间用于处理形成于其中的衬底，所述衬底是通过层压多个层压板组装；衬底固持器，其用于以多级方式将多个衬底支撑在所述套管组合件的所述内部空间中；气体供应单元，其安装在所述套管组合件的一侧，以用...

本发明包含：限定内部空间的套管组合件，在所述内部空间中处理衬底且堆叠及组装各自具有喷射部分及排气口的多个堆叠主体；衬底固持器，其用于以多级方式将多个衬底支撑在所述内部空间中；供应管线，其连接到所述多个堆叠主体中的任一个的所述喷射部分以便...

本发明包含：腔室，包含提供基板在其中待用的空间的第一主体部分及提供对基板在其中执行薄膜沉积处理的空间的第二主体部分；基板固持器，其上负载有基板，基板固持器可在第一与第二主体部分之间移动；第一供应单元，自第二主体部分中至基板上供应用于薄膜...

本发明涉及形成非晶薄膜的方法。根据本发明的一实施例，形成非晶薄膜的方法包括：在基底上流过氨基硅烷系气体，从而在上述基底表面形成种子层的工序；在上述种子层供给包括含硼气体的第一源气体而形成掺杂有硼的第一非晶薄膜的工序；以及在上述第一非晶薄...

揭露一种基板处理装置。基板处理装置包含：腔室，其提供基板处理空间；处理气体供应管线，其用以将处理气体供应至腔室中；第一扩散板，在其边缘部分上形成有注入孔，注入孔用以注入处理气体；基板支撑件，其面向第一扩散板且用以支撑基板；第二扩散板，其...