喷淋头及基板处理装置制造方法及图纸

根据本发明专利技术的一实施例，基板处理装置包括：腔体，用于对基板实施工序；喷淋头，设置于所述腔体的内部且向所述基板喷射反应气体；以及基座，设置于所述喷淋头的下部且支撑所述基板；所述喷淋头包括：喷淋头本体，包括内部空间及多个喷射孔，所述内部空间从外部被供给反应气体，所述多个喷射孔与所述内部空间连通而喷射所述反应气体；流入板，设置于所述内部空间而将所述内部空间划分为流入空间及缓冲空间，且具有连通所述流入空间和所述缓冲空间的多个流入口；以及多个调节板，分别设置于所述流入口上且可移动，可以根据由移动引起的与所述流入板之间的间隔距离，限制所述反应气体从所述流入空间向所述缓冲空间移动。

Spray head and base plate treatment device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】喷淋头及基板处理装置
本专利技术涉及喷淋头及基板处理装置，更详细地涉及可以移动多个调节板来限制反应气体的移动的喷淋头及基板处理装置。
技术介绍
半导体装置在硅基板上包括很多层，这些层通过蒸镀工序蒸镀于基板上。这种蒸镀工序存在几个重要的议题，这些议题对评价所蒸镀的膜并选择蒸镀方法很重要。第一，是所蒸镀的膜的“品质”(qulity)。这意味着组成(composition)、污染度(contaminationlevels)、损失度(defectdensity)、及机械性/电特性(mechanicalandelectricalproperties)。膜的组成可以根据蒸镀条件发生变化，这对于得到特定的组成(specificcomposition)非常重要。第二，是贯穿晶片的均匀的厚度(uniformthickness)。尤其是，在形成有阶梯差(step)的非平面(nonplanar)形状的图案上部蒸镀的膜厚度非常重要。所蒸镀的膜的厚度是否均匀可以根据由蒸镀于阶梯部分的最小厚度除以蒸镀于图案上部表面的厚度的值定义的阶梯覆盖率判断。与蒸镀相关的另一议题为填充空间(fillingspace)。这包括用包含氧化膜的绝缘膜填充金属线路之间的间隙填充(gapfilling)。设置间隙是为了对金属线路进行物理及电绝缘。这些议题中均匀度为与蒸镀工序相关的重要的议题之一，不均匀的膜在金属布线上导致高电阻(electricalresistance)，增加机械性破损的可能性。
技术实现思路
技术课题本专利技术的目的在于，提供一种喷淋头及基板处理装置，其操作调节板，根据基板的部位调节反应气体的供给量。本专利技术的其它目的在于，提供一种容易调节工序均匀度的喷淋头及基板处理装置。本专利技术的其它目的可以根据详细的说明和附图变得更加清楚。课题解决方案根据本专利技术的一实施例，基板处理装置包括：腔体，所述腔体用于对基板实施工序；喷淋头，所述喷淋头设置于所述腔体的内部且向所述基板喷射反应气体；以及基座，所述基座设置于所述喷淋头的下部且支撑所述基板；所述喷淋头包括：喷淋头本体，所述喷淋头本体包括内部空间和多个喷射孔，所述内部空间从外部被供给反应气体，所述多个喷射孔与所述内部空间连通而喷射所述反应气体；流入板，所述流入板设置于所述内部空间，用于将所述内部空间划分为流入空间及缓冲空间，所述流入板具有连通所述流入空间和所述缓冲空间的多个流入口；以及多个调节板，分别设置于所述流入口上且可移动，根据由移动引起的与所述流入板之间的间隔距离，限制所述反应气体从所述流入空间向所述缓冲空间移动。所述流入板具有导向孔，所述导向孔形成于所述流入口的两侧中某一个以上；所述调节板具有导向条，所述导向条从与所述流入板相对的一面凸出且插入所述导向孔，所述调节板移动时，所述导向条沿着所述导向孔移动。所述基板处理装置还包括多个电磁铁，所述电磁铁向所述调节板分别施加磁力来移动所述调节板。所述腔体具备：上部开放的下部腔体；及上部腔体，所述上部腔体设置于所述喷淋头的上部而形成所述内部空间，用于开闭所述下部腔体的上部，与所述下部腔体一起形成对所述基板实施工序的空间；所述电磁铁安装于所述上部腔体中，分别位于所述调节板的上部。所述基板处理装置还包括：扩散板，所述扩散板设置于所述缓冲空间，将所述缓冲空间划分为划分空间及扩散空间，所述扩散板具备连通所述划分空间和所述扩散空间的多个扩散孔；所述扩散板具备隔板，所述隔板从上部表面凸出且将所述划分空间划分为多个。所述流入口与划分为多个的所述划分空间的各区域为一对一对应关系。所述流入板在表面涂敷有树脂。根据本专利技术的一实施例，喷淋头包括：喷淋头本体，所述喷淋头本体包括内部空间及多个喷射孔，所述内部空间从外部被供给反应气体，所述多个喷射孔与所述内部空间连通而喷射所述反应气体；流入板，所述流入板设置于所述内部空间，用于将所述内部空间划分为流入空间及缓冲空间，所述流入板具有连通所述流入空间和所述缓冲空间的多个流入口；以及多个调节板，分别设置于所述流入口上且可移动，根据由移动引起的与所述流入板之间的间隔距离限制所述反应气体从所述流入空间向所述缓冲空间移动。本专利技术具有如下的效果：根据本专利技术的一实施例，通过移动调节板限制反应气体通过流入口移动，由此可以根据基板的部位调节反应气体的供给量。另外，可在腔体外部通过电磁铁远程移动调节板，因此不必开放腔体或解除腔体内部的真空也能够容易调节工序均匀度。附图说明图1为简要地表示根据本专利技术的一实施例的基板处理装置的剖面图。图2为简要地表示图1所示的上部腔体及喷淋头的剖面图。图3为简要地表示图2所示的扩散板的平面图。图4为简要地表示图2所示的流入板的平面图。图5为表示图2所示的调节板的移动的剖面图。图6为表示图2所示的调节板的剖面图。图7为表示图2所示的电磁铁分别连接于控制器的状态的框图。图8为表示图2所示的喷淋头的工作状态的剖面图。具体实施方式下面，参考所附的图1至图8更详细地说明本专利技术的优选实施例。本专利技术的实施例可以变形为各种形态，本专利技术的范围不应当解释为限于下面说明的实施例。为了向本领域普通技术人员更详细地说明本专利技术而提供本实施例。因此，为了强调更清楚的说明，可能夸张表示附图中出现的各要素的形状。另外，下面以蒸镀装置为例进行说明，但是本专利技术的范围不限于此，可以应用于利用反应气体处理基板的多样的工序。图1是简要地表示根据本专利技术的一实施例的基板处理装置的剖面图。如图1所示，基板处理装置10包括下部腔体12及上部腔体18。下部腔体12为上部开放的形状，在一侧具备基板W可出入的通道12a。基板W可以通过通道12a出入于下部腔体12的内部，闸阀(未图示)设置于通道12a的外部，可以开放或封闭通道12a。上部腔体18开闭下部腔体12的开放的上部。若上部腔体18封闭下部腔体12的开放的上部，则下部腔体12及上部腔体18形成从外部封闭的内部空间。上部腔体18具备与后述的喷淋头本体16的内部空间连通的气体供给口18a，反应气体通过气体供给口18a供给到内部空间。基座14设置于下部腔体12的内部，基板W放置于基座14的上部。基座14具备加热器(未图示)，加热器通过从外部电源施加的电流将基板W加热到工序温度。图2是简要地表示图1所示的上部腔体及喷淋头的剖面图。喷淋头包括喷淋头本体16、扩散板22及流入板24。喷淋头本体16具备：喷射部及凸缘部，所述喷射部连接在上部腔体18的下部且为平板形状，所述凸缘部设置于喷射部的外侧且固定于上部腔体18。喷射部与上部腔体18隔开配置，内部空间形成于上部腔体18和凸缘部之间。喷射部具备多个喷射孔16a，供给到内部空间的反应气体通过这些喷射孔16a喷射到基板W。反应气体可以包括氢(H2)或氮(N2)或者规定的其它惰性气体，可以包括诸如硅烷(SiH4)或二氯硅烷(SiH2Cl2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：/n腔体，所述腔体用于对基板实施工序；/n喷淋头，所述喷淋头设置于所述腔体的内部且向所述基板喷射反应气体；以及/n基座，所述基座设置于所述喷淋头的下部且支撑所述基板；/n所述喷淋头包括：/n喷淋头本体，所述喷淋头本体包括内部空间和多个喷射孔，所述内部空间从外部被供给反应气体，所述多个喷射孔与所述内部空间连通而喷射所述反应气体；/n流入板，所述流入板设置于所述内部空间，用于将所述内部空间划分为流入空间及缓冲空间，所述流入板具有连通所述流入空间和所述缓冲空间的多个流入口；以及/n多个调节板，分别设置于所述流入口上且可移动，根据由移动引起的与所述流入板之间的间隔距离，限制所述反应气体从所述流入空间向所述缓冲空间移动。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170928 KR 10-2017-01258301.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
腔体，所述腔体用于对基板实施工序；
喷淋头，所述喷淋头设置于所述腔体的内部且向所述基板喷射反应气体；以及
基座，所述基座设置于所述喷淋头的下部且支撑所述基板；
所述喷淋头包括：
喷淋头本体，所述喷淋头本体包括内部空间和多个喷射孔，所述内部空间从外部被供给反应气体，所述多个喷射孔与所述内部空间连通而喷射所述反应气体；
流入板，所述流入板设置于所述内部空间，用于将所述内部空间划分为流入空间及缓冲空间，所述流入板具有连通所述流入空间和所述缓冲空间的多个流入口；以及
多个调节板，分别设置于所述流入口上且可移动，根据由移动引起的与所述流入板之间的间隔距离，限制所述反应气体从所述流入空间向所述缓冲空间移动。


2.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，
所述流入板具有导向孔，所述导向孔形成于所述流入口的两侧中某一个以上；
所述调节板具有导向条，所述导向条从与所述流入板相对的一面凸出且插入所述导向孔，所述调节板移动时，所述导向条沿着所述导向孔移动。


3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还包括多个电磁铁，所述电磁铁向所述调节板分别施加磁力来移动所述调节板。


4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述腔体具备：
上部开放的下部腔体；及
上部腔体，所述上部腔体设置于所述喷淋头的上部而形成所述内部空间，用于开闭所述下部腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：诸成泰，朴灿用，李在镐，张吉淳，尹畅焄，林汉俊，姜宇泳，
申请(专利权)人：株式会社EUGENE科技，
类型：发明
国别省市：韩国;KR