本发明涉及一种衬底输送机器人和用该衬底输送机器人的衬底处理设备，该衬底处理设备可包括：真空锁腔室，从外部输送的衬底布置在真空锁腔室中，并且真空锁腔室的内部状态变为真空状态和大气压力状态；衬底处理模块，在衬底处理模块中对衬底执行处理；输送...

本发明涉及一种基板处理装置，包括：腔室，该腔室提供内部空间，在该内部空间中，基板通过通道传递，并在基板上执行工艺，并且该腔室具有将气体供应至基板的供应口；以及基座，该基座安装在内部空间中，并且该基座包括对基板进行加热的加热区域和对从供应...

本发明公开了用于形成薄膜的循环沉积法、半导体制造方法和半导体器件。所述用于形成薄膜的循环沉积法包括：通过将硅前体注入装有物体的室内，将硅沉积在所述物体上，并实施第一次吹扫，以将所述硅前体的未反应部分和反应副产物从所述室的内部除去，从而在...

根据本发明的一个实施方式，基板处理装置包括：处理室，在该处理室中进行对基板处理的过程；清洗室，该清洗室用于去除该基板上存留的污物；以及输送室，该输送室被构造为使得处理室和清洗室在一侧相连，并且该输送室包括位于处理室与清洗室之间的基板操作...

本发明提供了一种衬底处理模块、包括该衬底处理模块的衬底处理设备以及衬底传输方法。该衬底处理模块包括：具有通道的腔室，通道形成在其一侧上并允许衬底通过其进入或离开；安装在腔室内的第一基座，其设置在通道的前面，具有以贯穿的方式形成在其上表面...

根据本发明的一个实施方式，基板的处理发生在基板处理装置处，所述基板处理装置包括：主腔室，其具有敞口顶部形状，并且具有在所述主腔室的一个侧部上形成的用于所述基板的入口和出口的直通路径；基座，其安装在所述主腔室内，并且在所述基座上放置有所述...

本发明涉及一种三维结构存储元件的制造装置，所述装置包括：用于实行基底加工的腔室；基底支撑台，其设置于所述腔室内并用于放置所述基底，并通过升降而转换至所述基底出入于所述腔室内部的解除位置和对所述基底进行加工的加工位置；环形边，当所述基底支...

一种基板处理装置。根据一个实施方式，该基板处理设备包括：处理单元，其中执行用于处理基板的过程；加载口，该加载口具有容纳基板的容纳容器；框架，该框架设置在处单元与加载口之间并具有内空间；内部容器，该内部容器具有与内空间连通的容纳空间，并具...

根据本发明的一个实施方式，一种用于处理基板的基板处理装置包括：具有开放式上部的主腔室，所述主腔室具有在其侧壁内限定的通道，使得基板能够进入/退出；腔室盖，所述腔室盖置于所述主腔室的开放式上部上，并形成与外部阻隔开的处理空间，用于执行处理...

根据本发明的实施方式，一种衬底处理装置，在其中进行衬底的处理，该衬底处理装置包括：主腔室本体，其具有开口的顶部形状，并具有形成在其上的通道，并使得衬底能够进入且退出；腔室盖，其被设置在主腔室本体的顶部上并关闭主腔室本体的开口的顶部以提供...

根据本发明的一个实施方式的基板处理装置包括：腔室，其具有开放的上侧，所述腔室在所述腔室的一侧内具有允许基板进出的通道；腔室盖，其覆盖所述腔室的所述开放的上侧以提供在其中执行针对所述基板的处理的内部空间，所述腔室盖具有穿过所述腔室盖的顶壁...

本发明公开了一种基板处理装置。在该基板处理装置中，执行针对基板的处理，该基板处理装置包括：主腔室，其具有限定在所述主腔室的侧壁内以加载或卸载所述基板的通道以及分别限定在所述主腔室的上部和下部的上开口和下开口；腔室盖，其封闭所述主腔室的所...

根据本发明的实施方式，一种基板处理装置包括：腔室，该腔室提供内部空间，在该内部空间中执行对于基板的处理；加热板，该加热板被固定到腔室中，基板放置在加热板的上部；加热器，该加热器设置为与加热板的下部隔开，以加热加热板；以及提升模块，该提升...

根据本发明的一个实施方式，一种基板处理模块包括：下部室，该下部室具有敞开式上部，并且该下部室在其侧面中形成有一通道，以引入基板；多个承座，这多个承座都被布置在所述下部室内并且绕预设中心被固定地且周向地布置，使得在处理期间相应的基板能够被...

根据本发明的一个实施方式，一种基板处理装置包括：腔室本体，该腔室本体的上部打开，并且在该腔室本体中提供一内部空间，在该内部空间中对于基板进行处理；腔室盖，该腔室盖安装在腔室本体上并且用于关闭该腔室本体的上部；以及喷洒头，该喷洒头安装在腔...

根据本发明一实施方案，用于对基板进行工艺的基板处理装置，其包括：下部腔室，其上部敞开，并在一侧形成有用于使所述基板进出的通道；外部反应管，其用于封闭下部腔室中敞开的上部，并提供实现工艺的工艺空间；基板支架，其以上下方向载置一个以上的所述...

根据本发明的一实施方案，所述基板处理装置包括：腔室主体，其上部打开，并提供实现对基板的工艺的内部空间；腔室盖，其设置在所述腔室主体的上部，并用于关闭所述腔室主体的上部；以及喷头，其设置在所述腔室盖的下部，并用于向所述内部空间供应反应气体...

根据本发明一实施方案，用于实现对基板的工艺的基板处理装置包括：下部腔室，其上部打开，并在一侧形成有用于使所述基板进出的通道；外部反应管，其用于关闭所述下部腔室中打开的上部，并提供实现所述工艺的工艺空间；基板支架，其以上下方向载置一个以上...

根据本发明的一实施方案，实现在基板上形成外延层的外延工艺的外延装置，其包括：下部腔室，其上部打开，并在一侧形成有使所述基板进出的通道；外部反应管，其用于关闭所述下部腔室中打开的上部，并提供实现所述外延工艺的工艺空间；基板支架，其在上下方...

根据本发明的一实施方案，实现在基板上形成外延层的外延工艺的外延装置，其包括：下部腔室，其上部打开，并在一侧形成有使所述基板进出的通道；外部反应管，其用于关闭所述下部腔室中打开的上部，并提供实现所述外延工艺的工艺空间；基板支架，其在上下方...