加热器可提升型基板处理装置制造方法及图纸

根据本发明专利技术的实施方式，一种基板处理装置包括：腔室，该腔室提供内部空间，在该内部空间中执行对于基板的处理；加热板，该加热板被固定到腔室中，基板放置在加热板的上部；加热器，该加热器设置为与加热板的下部隔开，以加热加热板；以及提升模块，该提升模块对加热器进行提升。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】加热器可提升型基板处理装置
本说明书中公开的本专利技术涉及基板处理装置，并且具体地，涉及提升(lift)加热器来控制基板温度的基板处理装置。
技术介绍
通常选择性外延处理(selective epitaxy process)涉及沉积反应与蚀刻反应。沉积与蚀刻反应可以以稍微不同的反应速率，对于多晶层与外延层同时发生。虽然在沉积处理期间将现有的多晶层及/或非结晶层沉积在至少一个第二层上，但是该外延层形成在单晶的表面上。然而，已沉积多晶层的蚀刻快于该外延层。因此，腐蚀气体的浓度可以改变，以执行净选择性处理(net selective process),藉此实现外延材料的沉积以及有限或无限多晶材料的沉积。例如，可以执行选择性外延处理，以在单晶硅表面上形成由含硅材料形成的外延层，而没有在隔板上遗留沉积物。 一般而言，该选择性外延处理具有若干限制。为了在选择性外延处理期间保持选择性，应该在沉积处理上调整并控制前驱物的化学浓度与反应温度。如果供应的硅前驱物不足，则启动蚀刻反应来降低整个处理速率。另外，基板的特性可以随蚀刻而退化。如果供应的腐蚀溶液前驱物不足，则会减少在沉积反应中在该基板表面上形成单晶与多晶材料的选择性。另外，典型选择性外延处理在大约800°C、大约1，000°C或以上的高反应温度下执行。在此，因为不受控制的氮化反应以及基板表面上的热积存(thermal budge)，所以高温并不适合于该制造处理。
技术实现思路
技术问题 本专利技术提供一种基板处理装置，其中提升加热器来控制基板的温度。 参照下列详细说明以及附图，本专利技术的另外目的将变得清楚。 技术方案 本专利技术的实施方式提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括:腔室，该腔室提供内部空间，在该内部空间中执行对于基板的处理；加热板，在该加热板上放置基板，加热板被固定地设置在腔室内；加热器，该加热器与加热板的下部隔开，以加热加热板；以及提升模块，该提升模块提升加热器。 在一些实施方式中，该基板处理装置可进一步包括排放板，该排放板设置在加热板周围，其中排放板可设置在腔室中限定的基板进入通道下方。 在其它实施方式中，该基板处理装置可进一步包括多个支撑杆，其设置在排放板下方的以支撑排放板。 仍旧在其它实施方式中，排放板可被固定地设置在腔室的内壁上以支撑加热板。 甚至在其它实施方式中，该基板处理装置可进一步包括与排放板下部隔开的辅助排放板，该辅助排放板被固定地设置在腔室的内壁上。 还在其它实施方式中，该基板处理装置进一步包括:支撑轴，该支撑轴连接至加热器的下部，以支撑加热器；下固定环，该下固定环固定地设置在支撑轴的下部上；以及驱动部分，该驱动部分提升下固定环。 在进一步的实施方式中，该基板处理装置进一步包括:上固定环，其固定在该腔室的下方壁上；以及波纹管，其将该上固定环连接至该下固定环，将该腔室的内部空间维持在真空状态。 仍旧在进一步的实施方式中，该基板处理装置进一步包括:支撑轴，该支撑轴连接至加热器的下部，以支撑加热器；驱动部分，该驱动部分提升支撑轴；以及控制部分，该控制部分根据输入到加热器的加热温度来控制驱动部分，以调整加热板与加热器之间相隔的距离。 还在进一步的实施方式中，该基板处理装置可进一步包括多个提升销，其固定地设置在加热板的顶表面上以支撑其上的基板。 在更进一步的实施方式中，该基板处理装置进一步包括:腔室本体，该腔室本体具有开放的上部，腔室本体在其侧面具有通道，通过该通道装载或卸载基板；腔室盖，该腔室盖覆盖腔室本体的开放的上部；以及排气口，该排气口设置在腔室本体的侧壁上。 仍旧在更进一步的实施方式中，该基板处理装置进一步包括:腔室本体，该腔室本体具有开放的上部，腔室本体在其侧面具有通道，通过该通道装载或卸载基板；腔室盖，该腔室盖覆盖腔室本体的开放的上部；下口，该下口连接至腔室本体的开放的下部；以及排气口，该排气口设置在下口上。 甚至在更进一步的实施方式中，该基板处理装置进一步包括:腔室本体，该腔室本体具有开放的上部，腔室本体在其侧面具有通道，通过该通道装载或卸载基板；腔室盖，该腔室盖覆盖腔室本体的开放的上部；气体供应孔，该气体供应孔限定在腔室盖的上部，用于供应第一气体；天线，该天线设置为包围腔室盖的周边，以在腔室盖内形成磁场，藉此从第一气体产生等离子体；以及注入环，该注入环被固定地设置在腔室本体与腔室盖之间，用于供应第二气体。 还在更进一步的实施方式中，该基板处理装置进一步包括:第一喷头，该第一喷头设置在注入环上方，第一喷头具有多个第一注入孔；以及第二喷头，该第二喷头设置在注入环下方，该第二喷头具有多个第二注入孔。 专利技术效果 根据本专利技术的实施方式，可以通过提升加热器来调整基板的温度。 【附图说明】 图1是根据本专利技术的实施方式的基板处理装置的示意图； 图2是例示其中图1的加热器下降的状态的示意图；以及 图3是根据本专利技术的另一实施方式的基板处理装置的示意图。 【具体实施方式】 此后，将参照图1至图3来详细描述本专利技术的示例性实施方式。然而，本专利技术可以以不同形式来实施，并且不应被构造为受限于此处阐述的实施方式。而是提供这些实施方式，使得本公开将全面且完整，并且将本专利技术的范围完整地传达给本领域的技术人员。在图中，为了说明的清晰起见，所以夸大了组件的形状。虽然以下描述氧化层移除处理(清洁处理)作为示例，但是本专利技术可以适用于包括沉积处理的各种半导体制作处理。另外，虽然将电感稱合等离子体ICP(inductively coupled plasma)处理例示为在实施方式中描述的等离子体产生处理，但是该等离子体产生处理可以适用于各种等离子体处理。另外，除了在实施方式中描述的基板W以外，该等离子体产生处理还可以在要处理的各种物体上执行。 图1是根据本专利技术的实施方式的基板处理装置的示意图。参照图1，基板处理装置100包括腔室本体I以及腔室盖2。另外，在基板处理装置100内执行针对基板W的处理。腔室本体I具有开放的上部以及在其一个侧面中限定的通道8。基板W通过在腔室本体I的一个侧面中定义的通道8装载到腔室中或从腔室卸载。闸阀5设置在通道8外部。通道8可以由闸阀5开启或关闭。另外，腔室本体I可以具有如下结构，其通过在底部表面中限定的通孔31朝向其下侧打开。 基板W通过通道8移动到基板处理装置100中，并且然后座置在支撑基板W的提升销15上。提升销15可以与加热板10的上端一体形成。另外，可以设置多个提升销15以稳定地支撑基板W。另外，提升销15可以在预定高度上维持基板W与加热板10之间的距离。因此，基板W与加热板10之间的距离可以根据提升销15的高度而改变。 加热板10连接至提升销15的下端，并且提升销15稳定地支撑在提升销15上的基板W。另外，加热板10将从与加热板10的下部隔开的加热器20提供的热量传递至基板W。加热板10的面积可以大于加热器20的面积，以便将从加热器20提供的热量均匀地传递至基板W。另外，加热板10可以具有对应于基板W的形状的圆盘形。另外，加热板10可以由具有优异导热性且在高温下变形较少的材料形成。加热板10可以是石英或涂覆有石英的材料。 加热器20被设置为与加热本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，该基板处理装置包括：腔室，该腔室提供内部空间，在该内部空间中执行对于基板的处理；加热板，所述基板放置在该加热板上，所述加热板被固定地设置在所述腔室内；加热器，该加热器与所述加热板的下部隔开，以加热所述加热板；以及提升模块，该提升模块对所述加热器进行提升。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.04.10 KR 10-2012-00372991.一种基板处理装置，该基板处理装置包括: 腔室，该腔室提供内部空间，在该内部空间中执行对于基板的处理； 加热板，所述基板放置在该加热板上，所述加热板被固定地设置在所述腔室内； 加热器，该加热器与所述加热板的下部隔开，以加热所述加热板；以及 提升模块，该提升模块对所述加热器进行提升。2.如权利要求1所述的基板处理装置，所述基板处理装置进一步包括设置在所述加热板周围的排放板， 其中，所述排放板设置在所述腔室中限定的基板进入通道下方。3.如权利要求2所述的基板处理装置，所述基板处理装置进一步包括多个支撑杆，所述多个支撑杆设置在所述排放板下方的以支撑所述排放板。4.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述排放板被固定地设置在所述腔室的内壁上以支撑所述加热板。5.如权利要求2所述的基板处理装置，所述基板处理装置进一步包括与所述排放板的下部隔开的辅助排放板，该辅助排放板被固定地设置在所述腔室的所述内壁上。6.如权利要求1所述的基板处理装置，所述基板处理装置进一步包括: 支撑轴，该支撑轴连接至所述加热器的下部，以支撑所述加热器； 下固定环，该下固定环固定地设置在所述支撑轴的下部上；以及 驱动部分，该驱动部分提升所述下固定环。7.如权利要求6所述的基板处理装置，所述基板处理装置进一步包括: 上固定环，该上固定环固定地设置在所述腔室的下壁上；以及 波纹管，该波纹管将所述上固定环连接至所述下固定环，以使所述腔室的内部空间保持在真空状态。8.如权利要求1所述的基板处理装置，所述基板处理装置进一步包括: 支撑轴，该支撑轴连接至所述加热器的下部，以支撑所述加热器； 驱动部分，该驱动部分提升所述支撑轴；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁日光，宋炳奎，金劲勋，金龙基，申良湜，
申请(专利权)人：株式会社EUGENE科技，
类型：发明
国别省市：韩国;KR