一种外延片及其加工方法技术

本发明专利技术提供了一种外延片及其加工方法，其中，所述加工方法包括以下步骤：在外延层注入离子。采用上述方案，本发明专利技术通过在外延层注入离子，能够在外延片加工完成后调整其特性，扩大了其应用范围；还可以作为外延片加工整体流程中的一个步骤，制造相异的外延片，应用广泛，具有很高的市场应用价值。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了，其中，所述加工方法包括以下步骤：在外延层注入离子。采用上述方案，本专利技术通过在外延层注入离子，能够在外延片加工完成后调整其特性，扩大了其应用范围；还可以作为外延片加工整体流程中的一个步骤，制造相异的外延片，应用广泛，具有很高的市场应用价值。【专利说明】
本专利技术涉及外延片加工，尤其涉及的是，。
技术介绍
外延是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中，娃片最底层是P型衬底娃；然 后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层；再后来在外延层上注入基区、发射区 等等。最后基本形成纵向NPN管结构：外延层在其中是集电区，外延上面有基区和发射区。 外延片就是在衬底上做好外延层的硅片。有些厂只做外延之后的工艺生产，所以他们买别 人做好外延工艺的外延片来接着做后续工艺。 外延产品主要应用于4个方面，CMOS互补金属氧化物半导体支持了要求小器件尺 寸的前沿工艺，CMOS产品是外延片的最大应用领域，并被1C制造商用于不可恢复器件工 艺，包括微处理器和逻辑芯片以及存储器应用方面的闪速存储器和DRAM (动态随机存取存 储器)。分立半导体用于制造要求具有精密Si特性的元件。"奇异"（exotic)半导体类包 含一些特种产品，它们要用非Si材料，其中许多要用化合物半导体材料并入外延层中。掩 埋层半导体利用双极晶体管元件内重掺杂区进行物理隔离，这也是在外延加工中沉积的。 通常半导体集成电路制造中应用的外延片都是EPI (Epitaxy，外延）厂代工做出 符合预期要求规格的外延片，如图1所示，外延片的特性单一参杂离子浓度分布均匀，外延 片加工完成时特性和电阻率已经确定，再送到晶圆厂做进一步的工艺加工时，一般是在外 延层上进行加工，如图2所示，所以外延层的特性对器件性能的影响是很大的，又因外延层 的特性已经确定，故只能用于符合条件的应用中，这就限定了外延片的应用范围。 由于外延片加工完成后，它的特性已经确定，直接将它应用于M0S制造，就限定了 它的应用范围。 因此，现有技术存在缺陷，需要改进。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种新的外延片及其加工方法。 本专利技术的技术方案如下：一种外延片加工方法，其包括以下步骤：在外延层注入 离子。 优选的，在外延层注入N型离子。 优选的，在外延层注入P型离子。 优选的，在N型外延层注入P型离子。 优选的，在表面形成重参杂低电阻的外延。 优选的，在N型外延层注入B型离子。 优选的，在表面形成浅参杂大电阻的外延。 优选的，注入超过预设剂量的B型离子，形成P型外延片。 优选的，在各外延片的外延层注入相异离子。 优选的，在外延层注入相异能量剂量的离子。 本专利技术的又一技术方案如下：一种外延片，其米用上述任一加工方法制备。 采用上述方案，本专利技术通过在外延层注入离子，能够在外延片加工完成后调整其 特性，扩大了其应用范围；还可以作为外延片加工整体流程中的一个步骤，制造相异的外延 片，应用广泛，具有很高的市场应用价值。 【专利附图】【附图说明】 图1为现有技术的外延片的结构示意图； 图2为现有技术的外延片的外延层上进行加工示意图； 图3为本专利技术的一个实施例的示意图。 【具体实施方式】 为了便于理解本专利技术，下面结合附图和具体实施例，对本专利技术进行更详细的说明。 本说明书及其附图中给出了本专利技术的较佳的实施例，但是，本专利技术可以以许多不同的形式 来实现，并不限于本说明书所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术 的公开内容的理解更加透彻全面。需要说明的是，当某一元件固定于另一个元件，包括将该 元件直接固定于该另一个元件，或者将该元件通过至少一个居中的其它元件固定于该另一 个元件。当一个元件连接另一个元件，包括将该元件直接连接到该另一个元件，或者将该元 件通过至少一个居中的其它元件连接到该另一个元件。 本专利技术的一个实施例是，一种外延片加工方法，其包括以下步骤：在外延层注入离 子。现有技术生产出来的外延片只能用于合适的工艺，这就限制了它的使用范围，而采用发 明及其各实施例，可以通过注入不同能量剂量的N型或P型离子改变外延的单一特性，在表 面形成一层重参杂低电阻的外延，优化器件的电性能，还可以在一片外延片上做出几种不 同的电阻率，用一片晶圆做多目标片能收集更多数据并节约成本。又如，在外延层注入离子 时，分方向注入离子，包括相同或相异离子，又如，采用材料模板分方向注入离子；优选的， 使用相异能量剂量，分方向注入相同或相异离子。优选的，在外延层加温注入离子；优选的， 根据外延层设置加温的温度与时间，例如，1000至1200摄氏度，40至80分钟等。 本专利技术的又一个实施例是，一种外延片，其采用上述任一加工方法制备。例如，一 种外延片，其外延层具有参杂离子。又如，一种外延片，其外延层采用注入方式设置参杂离 子。优选的，在外延层注入N型离子，或者，N型外延层注入B型离子，或者，N型外延层注 入P型离子；优选的，外延层注入设置相异能量剂量的N型离子、P型离子或B型离子。例 如，外延层注入设置相异能量剂量的相异离子；又如，各外延片的外延层注入设置相异能量 剂量的相异离子。这样，同一批出厂的外延片，可以为不同的规格，或者是形成系列规格，更 适应细分市场。优选的，将外延层由内而外分为若干区域，每一区域注入设置相同或相异能 量剂量的相同或相异离子。又如，一种外延片，其采用各技术方案或者各实施例所述加工方 法制备。 优选的，在外延层注入N型离子；或者，在外延层注入P型离子。优选的，在N型外 延层注入P型离子；优选的，在表面形成重参杂低电阻的外延。优选的，在N型外延层注入 B型离子；优选的，在表面形成浅参杂大电阻的外延。优选的，注入超过预设剂量的B型离 子，形成P型外延片。又如，预设剂量根据外延层的规格设置。优选的，参杂离子的浓度根 据外延层的厚度设置。 采用本专利技术各实施例所述加工方法，可以一次加工多片外延片，也可一次加工单 片外延片。优选的，在各外延片的外延层注入相异离子。优选的，在外延层注入相异能量剂 量的离子。例如，在外延层注入相异能量剂量的N型离子、P型离子或B型离子。 例如，在外延层注入相异能量剂量的相异离子；又如，在各外延片的外延层注入相 异能量剂量的相异离子。这样，同一批出厂的外延片，可以为不同的规格，或者是形成系列 规格，更适应细分市场。 优选的，将外延层由内而外分为若干区域，每一区域注入相同或相异能量剂量的 相同或相异离子。例如，将外延层由内而外分为若干区域，每一区域注入相异能量剂量的相 同离子，其中，内部区域的能量剂量大于外部区域的能量剂量；或者，外部区域的能量剂量 大于内部区域的能量剂量。又如，将外延层由内而外分为若干区域，每一区域注入相同能量 剂量的相异离子。又如，将外延层由内而外分为面积相等的若干区域。这样，适应市场需求， 实现非常灵活，尤其适合小批量测试使用。 例如，将外延层分为若干区域，每一区域注入相同或相异能量剂量的相同或相异 离子。又如，将外延层等分为若干区域，每一区域注入相同或相异能量剂量的相同离子，或 者，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种外延片的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：在外延层注入离子。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王金，
申请(专利权)人：王金，
类型：发明
国别省市：广东;44