侧排型基板处理装置制造方法及图纸

根据本发明专利技术的一个实施方式，一种基板处理装置包括：腔室本体，该腔室本体的上部打开，并且在该腔室本体中提供一内部空间，在该内部空间中对于基板进行处理；腔室盖，该腔室盖安装在腔室本体上并且用于关闭该腔室本体的上部；以及喷洒头，该喷洒头安装在腔室盖的下方并且用于朝向该内部空间供应处理气体，其中所述腔室本体包括：至少一个会聚口，该会聚口沿着侧壁布置中内部上并且用于会聚内部空间内的气体；多个内部排气孔，这多个内部排气孔形成在所述侧壁上并且用于允许所述会聚口及所述内部空间之间的连通；以及多个内部排气口，这多个内部排气口连接至所述会聚口。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】根据本专利技术的一个实施方式，一种基板处理装置包括：腔室本体，该腔室本体的上部打开，并且在该腔室本体中提供一内部空间，在该内部空间中对于基板进行处理；腔室盖，该腔室盖安装在腔室本体上并且用于关闭该腔室本体的上部；以及喷洒头，该喷洒头安装在腔室盖的下方并且用于朝向该内部空间供应处理气体，其中所述腔室本体包括：至少一个会聚口，该会聚口沿着侧壁布置中内部上并且用于会聚内部空间内的气体；多个内部排气孔，这多个内部排气孔形成在所述侧壁上并且用于允许所述会聚口及所述内部空间之间的连通；以及多个内部排气口，这多个内部排气口连接至所述会聚口。【专利说明】
这里公开的本专利技术涉及基板处理装置，并且更具体地涉及侧排型基板处理装置。 侧排型基板处理装置
技术介绍
半导体装置及平板显示器都使用许多薄膜沉积处理以及蚀刻处理来制造。也就 是，通过沉积处理在一基板上形成薄膜，然后通过蚀刻处理使用掩膜去除薄膜的不必要部 分。因此，在该基板上形成所期望的预定图案或电路装置。 沉积处理可在真空状态下的处理腔室内执行。将基板装入处理腔室内。将喷洒头 布置在该基板的上方，以将处理气体供应到该基板上。该处理气体沉积于该基板上以形成 所期望的薄膜。 沉积处理与一排放处理一起执行。在该排放处理中，在沉积处理中产生的处理副 产品以及未反应气体都排出到外面。
技术实现思路
技术问题 本专利技术提供一种侧排型基板处理装置。 本专利技术也提供一种这样的基板处理装置，该基板处理装置通过均匀的排气而确保 沉积在基板上的薄膜的均匀性。 参阅下列详细说明以及附图将可清楚本专利技术的另外的其它目的。 技术方案 本专利技术的实施方式提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括：腔室本体，该腔 室本体具有打开的上侧，该腔室本体提供一内部空间，在该内部空间中对于基板进行处理； 腔室盖，该腔室盖布置在所述腔室本体的上部，以关闭所述腔室本体的所述打开的上侧；以 及喷洒头，该喷洒头布置在所述腔室盖的下部，以朝向所述内部空间供应处理气体，其中， 所述腔室本体包括：至少一个会聚口，该会聚口沿着所述腔室本体的侧壁的内侧布置，以允 许所述内部空间内的处理气体会聚；多个内部排气孔，这多个内部排气孔沿着所述腔室本 体的所述侧壁限定，以与所述会聚口及所述内部空间连通；以及多个内部排气口，这多个内 部排气口连接至所述会聚口。 在一些实施方式中，所述基板处理装置还可以包括一承座，所述基板被装载在该 承座的顶面上，该承座能通过其升高而在装置位置与处理位置之间改变位置，所述基板在 所述装载位置被装载，在所述处理位置执行与所述基板相关的处理，并且所述内部排气孔 可以被布置在处于所述处理位置的所述承座的上部与所述喷洒头之间。 在其它实施方式中，所述腔室本体可以具有限定于其侧壁内的通道，以允许所述 基板通过该通道进入所述内部空间中，并且所述会聚口与所述内部排气孔都可布置在所述 通道的上方。 在又其它实施方式中，根据与所述内部排气口的相隔距离，所述内部排气孔可以 具有彼此不同的直径。 在甚至其它实施方式中，所述内部排气孔的直径可以与和所述内部排气口的相隔 距离成比例。 在另外其它实施方式中，所述基板处理装置还可以包括布置于所述会聚口上的分 配环，该分配环具有多个分配孔。 在其它实施方式中，根据与所述内部排气口的相隔距离，所述分配孔可以具有彼 此不同的直径。 在又其它实施方式中，所述分配孔的直径可以与和所述内部排气口的相隔距离成 比例。 在甚至其它实施方式中，所述分配孔可以分别布置在所述内部排气孔之间。 在又其它的实施方式中，所述会聚口可以具有环形形状。 在更进一步的实施方式中，所述会聚口可以从所述腔室本体的顶面凹入。 在又更进一步的实施方式中，所述基板处理装置还可以包括口盖，所述口盖关闭 所述会聚口的打开的上侧。 在甚至更进一步的实施方式中，所述基板处理装置还可以包括：多个外部排气口， 这多个外部排气口分别穿过所述腔室本体的外部连接至所述内部排气口；以及主口，该主 口连接至所述外部排气口。 在又更进一步的实施方式中，所述基板处理装置还可以包括：流动控制阀，这些流 动控制阀分别被布置在所述外部排气口上，以控制通过所述外部排气口排出的处理气体的 流率；以及控制器，该控制器连接至所述流动控制阀以控制这些流动控制阀，由此均匀地调 整处理气体的排放量。 有益效果 本专利技术通过侧排方式，将处理副产品和未反应气体排出到处理腔室的外部，特别 是通过均匀的排放能够确保沉积于基板上的薄膜的均匀性。 【专利附图】【附图说明】 在此包括附图来进一步了解本专利技术，并且这些附图并入以及构成此说明书的一部 分。这些附图示出了本专利技术的示例性实施方式，并且与说明书一起用于解释本专利技术原理。在 附图中： 图1为根据本专利技术的实施方式的基板处理装置的示意图； 图2为示出了图1中的内部排气孔、分配环以及内部排气口的剖面图； 图3为示出了图1中的一腔室本体的下部的视图； 图4和图5为示出了处理气体的流动的视图；以及 图6为根据本专利技术的另一实施方式的基板处理装置的示意图。 【具体实施方式】 在下文中，将参照图1至图6来详细说明本专利技术的示例性实施方式。然而，本专利技术 可以被以不同的形式实施，并且不应受限于本文所述的实施方式。而是，提供这些实施方 式，使得本公开将是完全和完整的，并且将本专利技术的范畴完全地传达给本领域技术人员。在 附图中，为了例示的清晰起见所以夸大了组件的形状。 虽然以下作为示例来说明一沉积装置，但本专利技术可以适用于各种基板处理装置。 另外，尽管以下作为示例来说明一晶片W，但本专利技术可以适用于各种要处理的物体。 图1为根据本专利技术的实施方式的基板处理装置的示意图。请参阅图1，基板处理装 置1包括一腔室本体10以及一腔室盖20。腔室本体10具有打开的上侧。腔室盖20打开 或关闭该腔室本体10的该打开的上侧。当腔室盖20关闭腔室本体10中该打开的上侧时， 腔室本体10与腔室盖20限定出与外面隔离的内部空间。 腔室本体10具有与内部空间对应的一腔室内部11。一晶片通过限定于腔室本体 10的一侧的通道l〇a被装载到该腔室内部11中。一承座50被布置在该腔室内部11中。 所装载的晶片被放置在承座50的顶面上。一旋转轴51连接至承座50的下部。旋转轴51 支撑承座50并且在执行处理时旋转该承座50。一薄膜借助这些处理被沉积在该晶片上。 该薄膜可以具有均匀的厚度。 如图1中所示，喷洒头40具有平板形状，并且被布置在腔室本体10与腔室盖20 之间。因此，腔室本体10的打开的上侧由喷洒头40与腔室盖20关闭。另选地，喷洒头40 可以通过分离的耦合构件被固定至腔室盖20的底面。在此，可以由腔室盖20关闭腔室本 体10的打开的上侧。 -气体供应口 21被布置在腔室盖20内。通过气体供应口 21供应处理气体。喷洒 头40具有凹入顶面，该凹入顶面与腔室盖20的底面间隔开，以限定一缓冲空间。处理气体 通过气体供应口 21被填充到该缓冲空间中，并且通过喷洒头40被供应到腔室内部11中。 喷洒头40具有多个注射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，该基板处理装置包括：腔室本体，该腔室本体具有打开的上侧，该腔室本体提供一内部空间，在该内部空间中对于基板进行处理；腔室盖，该腔室盖布置在所述腔室本体的上部，以关闭所述腔室本体的所述打开的上侧；以及喷洒头，该喷洒头布置在所述腔室盖的下部，以朝向所述内部空间供应处理气体，其中，所述腔室本体包括：至少一个会聚口，该会聚口沿着所述腔室本体的侧壁的内侧布置，以允许所述内部空间内的处理气体会聚；多个内部排气孔，这多个内部排气孔沿着所述腔室本体的所述侧壁限定，以与所述会聚口及所述内部空间连通；以及多个内部排气口，这多个内部排气口连接至所述会聚口。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁日光，宋炳奎，金劲勋，申良湜，
申请(专利权)人：株式会社EUGENE科技，
类型：发明
国别省市：韩国;KR