基板液处理装置和基板液处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板液处理装置和基板液处理方法。基板中心部不会暴露在周围气氛中，自一喷嘴喷出的处理液不会阻挡自另一喷嘴喷出而在基板表面上朝向基板周缘部流去的处理液的流动或者不会将该处理液的流动朝向基板中心部挤回。基板液处理方法包括以下：工序a，使基板(W)绕铅垂轴线旋转；工序b，一边自第1喷嘴(411)向基板的中心部供给处理液，一边自第2喷嘴(412)向基板供给处理液，此时，使自第2喷嘴喷出的处理液的着液点自基板的中心部向周缘部连续地移动；工序c，在所述工序b之后，一边自第1喷嘴向基板的中心部继续供给处理液，一边停止自第2喷嘴喷出处理液，并使第2喷嘴向能够向基板的中心部供给处理液的位置移动。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种一边自喷嘴向旋转的基板供给处理液一边对该基板实施液处理的基板液处理装置和基板液处理方法。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中包含使用光刻技术在半导体晶圆等基板的表面上形成电路图案的工序。当以光致抗蚀剂为掩模进行干蚀刻时，会在基板的表面上不可避免地附着被称作聚合物的反应生成物，因此，要在接下来的工序中去除该聚合物。聚合物去除处理是通过例如一边使基板绕铅垂方向轴线旋转一边向基板的中心部供给聚合物去除液来进行的。为了提高反应性，以加热了的状态供给聚合物去除液。在聚合物去除液自基板的中心部向周缘部流动的过程中，聚合物去除液的热被基板吸收，从而使聚合物去除液的温度降低。另外，基板的周缘部因圆周速度较高而容易变冷。因此，与基板的中心部相比，在周缘部，去除聚合物要更花费时间。为了提高基板的面内的热条件的均匀性，有时以聚合物去除液的着液点在基板的中心部与周缘部之间移动的方式进行使正喷出聚合物去除液的喷嘴移动的扫描式喷出(日文：スキャン吐出)。但是，若进行该扫描式喷出，则在喷嘴位于基板周缘部的上方时，基板中心部没有被聚合物去除液覆盖，而是暴露在基板的周围气氛(大气气氛)中，在该情况下，容易在基板的表面上产生微粒等缺陷。在专利文献1中，公开了一种在1个喷嘴臂上设有两个喷嘴的基板处理装置。通过使喷嘴臂旋转，从而使所述两个喷嘴沿着俯视时通过基板的中心的圆弧轨道移动。两个喷嘴以空开基板的直径的1/3左右的距离的方式安装在喷嘴臂上。在专利文献1中记载有：通过一边自两个喷嘴喷出处理液一边使这两个喷嘴移动，能够对基板表面的整个区域均匀地进行处理且能够防止基板中心部暴露在基板的周围气氛中。但是，在专利文献1的装置中，会产生以下情况：自位于周缘部侧的喷嘴喷出的处理液阻碍自位于中心部侧的喷嘴喷出的、在离心力的作用下在基板表面上流向基板周缘部的处理液的流动。在这样的情况下，被处理液自基板去除而向周缘部侧流动的物质会返回中心部侧或停滞下来，因此，该物质没有被排出到外部，而容易再附着在基板上。专利文献1：日本特开2007－088381号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的在于，提供一种基板中心部不会暴露在基板的周围气氛中且自位于周缘部侧的喷嘴喷出的处理液不会阻碍自位于中心部侧的喷嘴喷出的、在基板表面上流向基板周缘部的处理液的流动的液处理技术。用于解决问题的方案本专利技术的一技术方案提供一种基板液处理装置，其中，该基板液处理装置包括：基板保持部，其用于保持基板；旋转驱动部，其用于使所述基板保持部绕铅垂轴线旋转；第1喷嘴，其用于向由所述基板保持部保持着的所述基板的至少中心部供给处理液；第2喷嘴，其用于向由所述基板保持部保持着的所述基板供给所述处理液；第1处理液供给部，其用于向所述第1喷嘴供给所述处理液；第2处理液供给部，其用于向所述第2喷嘴供给所述处理液；第2喷嘴移动机构，其用于使所述第2喷嘴在所述基板的中心部与周缘部之间移动；控制部，其用于至少对所述第1处理液供给部、所述第2处理液供给部以及所述第2喷嘴移动机构的动作进行控制，所述控制部进行如下控制：在正在自所述第1喷嘴向所述基板的中心部供给处理液时，使所述第2喷嘴自所述基板的中心部朝向周缘部移动，同时自所述第2喷嘴供给所述处理液，之后，在自所述第1喷嘴供给处理液的状态下，停止自所述第2喷嘴喷出所述处理液，同时使所述第2喷嘴自所述基板的周缘部朝向中心部移动，之后，在自所述第1喷嘴供给处理液的状态下，开始自所述第2喷嘴向所述基板供给所述处理液。本专利技术的另一技术方案提供一种基板液处理方法，其是基板处理装置的基板处理方法，该基板液处理装置包括：基板保持部，其用于保持基板；旋转驱动部，其用于使所述基板保持部绕铅垂轴线旋转；第1喷嘴，其用于向由所述基板保持部保持着的所述基板的至少中心部供给处理液；第2喷嘴，其用于向由所述基板保持部保持着的所述基板供给所述处理液；第1处理液供给部，其用于向所述第1喷嘴供给所述处理液；第2处理液供给部，其用于向所述第2喷嘴供给所述处理液；第2喷嘴移动机构，其用于使所述第2喷嘴在所述基板的中心部与周缘部之间移动；其中，该基板液处理方法包括：工序a，使基板绕铅垂轴线旋转；工序b，一边自第1喷嘴向旋转的所述基板的中心部供给处理液，一边自第2喷嘴向旋转的所述基板供给处理液，此时，使自所述第2喷嘴供给的处理液的着液点自所述基板的中心部朝向所述基板的周缘部移动；工序c，在所述工序b之后，一边自所述第1喷嘴继续向旋转的所述基板的中心部供给处理液，一边停止自所述第2喷嘴供给处理液并使所述第2喷嘴向所述旋转的基板的中心部移动，工序d，在所述工序c之后，自所述第2喷嘴向旋转的所述基板供给处理液。专利技术的效果采用所述本专利技术的技术方案，在一个喷嘴向基板的中心部供给处理液时，使自另一个喷嘴喷出的处理液的着液点自基板的中心部朝向周缘部移动，而不使自另一个喷嘴喷出的处理液的着液点自基板的周缘部朝向中心部移动。因此，自所述一个喷嘴喷出而在基板表面上朝向基板周缘部流去的处理液的流动不会被自另一个喷嘴喷出的处理液阻挡或被自另一个喷嘴喷出的处理液朝向基板中心部挤回。附图说明图1是表示本专利技术的一实施方式的基板处理系统的概略结构的俯视图。图2是所述基板处理系统所具有的处理单元的概略俯视图。图3是所述处理单元的概略纵剖视图。图4是用于说明聚合物去除工序中的处理液喷嘴的动作的说明图。图5是用于说明聚合物去除工序中的处理液喷嘴的动作的时序图。图6是用于说明聚合物去除工序中的处理液喷嘴的其他动作的时序图。具体实施方式图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。以下，为了使位置关系清楚，对互相正交的X轴、Y轴及Z轴进行规定，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。如图1所示，基板处理系统1包括输入输出站2和处理站3。输入输出站2和处理站3相邻地设置。输入输出站2包括承载件载置部11和输送部12。在承载件载置部11上载置有多个承载件C，该多个承载件C用于将多张晶圆W以水平状态收纳。输送部12与承载件载置部11相邻地设置，在输送部12的内部具有基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13具有用于保持晶圆W的基板保持机构。另外，基板输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴线为中心进行旋转，其使用基板保持机构在承载件C与交接部14之间输送晶圆W。处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16以排列在输送部15的两侧的方式设置。输送部15在内部具有基板输送装置17。基板输送装置17具有用于保持晶圆W的基板保持机构。另外，基板输送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴线为中心进行旋转，其使用基板保持机构在交接部14与处理单元16之间输送晶圆W。处理单元16用于对利用基板输送装置17输送过来的晶圆W进行规定的基板处理。另外，基板处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如是计算机，其包括控制部18和存储部19。在存储部19中存储有用于对在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行被存储在存储部19中的程序来控制基板处理系统1的动作。此外，该程序既可以是存储在可由计算机读取的存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板液处理装置，其中，该基板液处理装置包括：基板保持部，其用于保持基板；旋转驱动部，其用于使所述基板保持部绕铅垂轴线旋转；第1喷嘴，其用于向由所述基板保持部保持着的所述基板的至少中心部供给处理液；第2喷嘴，其用于向由所述基板保持部保持着的所述基板供给所述处理液；第1处理液供给部，其用于向所述第1喷嘴供给所述处理液；第2处理液供给部，其用于向所述第2喷嘴供给所述处理液；第2喷嘴移动机构，其用于使所述第2喷嘴在所述基板的中心部与周缘部之间移动；控制部，其用于至少对所述第1处理液供给部、所述第2处理液供给部以及所述第2喷嘴移动机构的动作进行控制，所述控制部进行如下控制：在正在自所述第1喷嘴向所述基板的中心部供给处理液时，使所述第2喷嘴自所述基板的中心部朝向周缘部移动，同时自所述第2喷嘴供给所述处理液，之后，在自所述第1喷嘴供给处理液的状态下，停止自所述第2喷嘴喷出所述处理液，同时使所述第2喷嘴自所述基板的周缘部朝向中心部移动，之后，在自所述第1喷嘴供给处理液的状态下，开始自所述第2喷嘴向所述基板供给所述处理液。

【技术特征摘要】
2015.08.07 JP 2015-1577231.一种基板液处理装置，其中，该基板液处理装置包括：基板保持部，其用于保持基板；旋转驱动部，其用于使所述基板保持部绕铅垂轴线旋转；第1喷嘴，其用于向由所述基板保持部保持着的所述基板的至少中心部供给处理液；第2喷嘴，其用于向由所述基板保持部保持着的所述基板供给所述处理液；第1处理液供给部，其用于向所述第1喷嘴供给所述处理液；第2处理液供给部，其用于向所述第2喷嘴供给所述处理液；第2喷嘴移动机构，其用于使所述第2喷嘴在所述基板的中心部与周缘部之间移动；控制部，其用于至少对所述第1处理液供给部、所述第2处理液供给部以及所述第2喷嘴移动机构的动作进行控制，所述控制部进行如下控制：在正在自所述第1喷嘴向所述基板的中心部供给处理液时，使所述第2喷嘴自所述基板的中心部朝向周缘部移动，同时自所述第2喷嘴供给所述处理液，之后，在自所述第1喷嘴供给处理液的状态下，停止自所述第2喷嘴喷出所述处理液，同时使所述第2喷嘴自所述基板的周缘部朝向中心部移动，之后，在自所述第1喷嘴供给处理液的状态下，开始自所述第2喷嘴向所述基板供给所述处理液。2.根据权利要求1所述的基板液处理装置，其中，该基板液处理装置还包括用于使所述第1喷嘴在所述基板的中心部与周缘部之间移动的第1喷嘴移动机构，所述控制部进行如下控制：控制所述第1喷嘴移动机构的动作，所述第2喷嘴自所述基板的周缘部朝向中心部移动，所述第2喷嘴开始向所述基板供
\t给处理液，在所述第2喷嘴正在向所述基板的中心部供给处理液时，使所述第1喷嘴自所述基板的中心部朝向周缘部移动，同时自所述第1喷嘴供给所述处理液，之后，在自所述第2喷嘴供给处理液的状态下，停止自所述第1喷嘴喷出所述处理液，同时使所述第1喷嘴自所述基板的周缘部朝向中心部移动，之后，在自所述第2喷嘴供给处理液的状态下，开始自所述第1喷嘴向所述基板供给所述处理液。3.根据权利要求1所述的基板液处理装置，其中，所述控制部进行如下控制：所述第2喷嘴自所述基板的周缘部朝向中心部移动，开始向所述基板供给处理液，之后，在自所述第1喷嘴向所述基板的中心部供给处理液的状态下，一边自所述第2喷嘴供给所述处理液一边使所述第2喷嘴自所述基板的中心部朝向周缘部移动。4.根据权利要求2所述的基板液处理装置，其中，所述控制部进行如下控制：在所述第1喷嘴一边供给所述处理液一边正在自基板的中心部向周缘部移动时，自所述第2喷嘴向所述基板的中心部供给所述处理液，使在所述第2喷嘴正在向所述基板的中心部供给所述处理液时的、来自所述第2喷嘴的所述处理液的供给流量大于在所述第2喷嘴正在自所述基板的中心部朝向周缘部移动时的供给流量。5.根据权利要求2所述的基板液处理装置，其中，所述控制部进行如下控制：使所述第2喷嘴向所述基板的中心部供给的处理液的供给流量大于在所述第2喷嘴正在自所述基板的中心部朝向周缘部移动时的供给流量，且使所述第1喷嘴正在向所述基板的中心部供给的处理液的供给流量大于在所述第1喷嘴正在自所述基板的中心部朝向周缘部移动时的供给流...

【专利技术属性】
技术研发人员：野中纯，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP